检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2017年第1期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过... 详细信息

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过优化设计，

关键词： PIN限幅器大功率单片 X波段南京电子器件研究所低噪声放大器 PIN二极管 GaAs

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太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究

太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究

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2019年全国微波毫米波会议

作者：陈亚培张勇孙岩陆海燕程伟徐锐敏极高频复杂系统重点学科实验室电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所

随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好... 详细信息

随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好的全频段多偏置S参数特性表征。

关键词：太赫兹技术小信号模型异质结晶体管等效电路模型

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金刚石微波功率场效应晶体管

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固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 F0003-F0003页

作者：郁鑫鑫周建军齐成军曹正义孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 天津电子材料研究所天津300220

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经... 详细信息

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。

关键词：大功率微波器件金刚石材料功率场效应晶体管电力电子器件高热导率击穿场强机械加工光学系统

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基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件

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固体电子学研究与进展 2022年第3期42卷 F0003-F0003页

作者：严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉中国电科碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管... 详细信息

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。

关键词：碳纳米管薄膜低维材料材料界面新型材料准一维柔性电子范德华力衬底材料

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用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

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固体电子学研究与进展 2015年第2期35卷 F0003-F0003页

作者：陈亮陈新宇张有涛杨磊南京电子器件研究所国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放... 详细信息

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。

关键词：相控阵雷达射频芯片 T/R组件 CMOS工艺南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路中频放大器

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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租糙度小于0.5nm,其位错密度低于l06cm-3。

关键词：半导体薄膜氮化镓同质外延金属有机化学气相沉积

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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V.s。

关键词：异质结半导体低温氮化镓插入层二维电子气性能改善电子迁移率

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基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 435-页

作者：程伟孙岩王元陆海燕常龙李骁张勇徐锐敏微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 电子科技大学成都611731

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使用多层布线工艺以实现低损耗的薄膜介质微带线。电路拓扑方面,采用4级放大结构,末级采用4个发射极宽度0.5μm的单指InP DHBT器件进行功率合成,芯片面积约为2.0 mm×1.9mm。

关键词： DHBT 单片集成功率放大器 InP DHBT

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16 Gb/s GaN数模转换器芯片

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 F0003-F0003页

作者：张有涛孔月婵张敏周建军张凯微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。

关键词： DAC芯片 b/s GaN 数模转换器南京电子器件研究所晶体管设计耗尽型

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微波光子收/发模块技术

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光电子技术 2022年第4期42卷 241-247页

作者：钱广钱坤何晓舟王子彦陈向飞唐杰王琛全顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京大学微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院南京210093 空军装备部上海局上海200231

微波光子收/发模块是微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。

关键词：微波光子收/发模块光电集成

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