检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 236-239,297页

作者：孔岑李辉周建军陈效建陈辰耿习娇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,... 详细信息

采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,"金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为7.5 nH,品质因数为7.17,与相同结构同工艺同批次传统单层无磁膜电感相比分别提高了270%和47%;"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈"结构电感的电感量为9 nH,品质因数为5.86,与传统电感相比分别提高了350%和25%。结果表明多层磁膜电感在低频范围(<5GHz)较传统电感有巨大优势。

关键词：磁膜电感多层结构单片微波集成电路

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0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 433-437页

作者：任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度... 详细信息

报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性。研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fmax为24 GHz,6 GHz下的MSG为17 dB,满足C波段及以下频段应用要求。对1.25 mm栅宽GaN HEMT在2 GHz、28 V工作电压下的负载牵引,最佳功率匹配的功率附加效率66%,对应输出功率以及功率增益分别为38.0 dBm和17.3 dB。对大栅宽GaN HEMT器件的版图进行了优化以利于散热,并将其应用于输出功率60 W的L波段功率模块末级开发。

关键词： I线步进光刻铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板难熔栅

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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌

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固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 313-323,389页

作者：薛舫时杨乃彬郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。

关键词：实时能带非稳态能带电流崩塌能带峰耗尽局域电子气势垒电流崩塌能带模型陷阱

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利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 328-330,344页

作者：张东国李忠辉孙永强董逊李亮彭大青倪金玉章咏梅南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。... 详细信息

采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。

关键词：金属有机物化学气相淀积氮化镓缓冲层结晶

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AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 429-432页

作者：董逊孔月婵周建军倪金玉李忠辉李亮张东国彭大青南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道... 详细信息

基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工艺验证表明,使用双异质结材料显著抑制了栅漏电,有利于提高器件的耐压特性。

关键词：双异质结二维电子气方块电阻

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2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 223-225,232页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赟王雯贾铃铃柏松陈辰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基... 详细信息

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qΦ_B=1.24 eV,理想因子n=1。

关键词： 4H—SiC 结势垒肖特基二极管高耐压

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100nm GaAsMHEMT器件研制

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固体电子学研究与进展 2012年第6期32卷 548-550,589页

作者：康耀辉徐筱乐高建峰陈辰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了... 详细信息

应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到460mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.23V时的最大非本征跨导gm为940mS/mm,截止频率ft达到220GHz,最大振荡频率fmax大于200GHz。

关键词：渐变组分高电子迁移率晶体管 T形栅截止频率

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MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析

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固体电子学研究与进展 2012年第6期32卷 542-547页

作者：林罡贾东铭耿涛黄念宁徐波薛静高建峰金毓铨微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索。试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的失效都是由同一原因引起的。通过监测数据和失效... 详细信息

采用恒定功耗高温加速的试验方法,搭建了相关的试验系统,对高温工作寿命试验(HTOL)方法在功率GaAs MMIC领域的应用进行了一些探索。试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数,所有样品的失效都是由同一原因引起的。通过监测数据和失效样品的分析,发现存在欧姆接触退化与栅金属下沉两种失效机理,但最终引起失效的机理单一,为栅金属下沉。

关键词：砷化镓微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管高温工作寿命失效分析

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Ku波段宽带大功率多芯片合成设计

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 563-567页

作者：王晔成海峰张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计针对多个Ku波段宽带MMIC功率放大芯片进行大功率合成。对波导多路功率合成结构进行了分析,基于单个Ku波段6W功放单片,进行了16路的功率合成,研制出了工作在12～17GHz,带宽达到6GHz的固态功率放大器。通过测试发现该固态功率放大器... 详细信息

设计针对多个Ku波段宽带MMIC功率放大芯片进行大功率合成。对波导多路功率合成结构进行了分析,基于单个Ku波段6W功放单片,进行了16路的功率合成,研制出了工作在12～17GHz,带宽达到6GHz的固态功率放大器。通过测试发现该固态功率放大器的输出功率≥70W,功率增益≥15dB,工作电压48V,效率≥16%,并具有较好的抗失配能力,整个固态功放的尺寸≤280mm×170mm×55mm。4个这样的固态功放合成在12～17GHz内得到大于200W的功率输出。

关键词：固态功率放大器合成大功率

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1～8 GHz GaN 10 W 巴伦型分布式功率放大器

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 159-162,178页

作者：韩程浩陶洪琪南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路... 详细信息

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路拓扑结构。该芯片在1~8GHz频率范围内,漏压28 V连续波条件下,线性增益大于25.8dB,功率增益大于23.2dB,典型饱和输出功率为10W,功率附加效率大于28.8%。芯片面积为3.5mm×3.3mm。

关键词：超宽带巴伦高效率分布式功率放大器

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