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语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是21-30 订阅
排序:
基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 24-28,34页
作者: 刘尧 潘晓枫 程伟 王学鹏 姚靖懿 陶洪琪 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,... 详细信息
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GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制
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固体电子研究与进展 2021年 第5期41卷 337-342页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息
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基于0.7μm InP DHBT的毫米波数字化功率放大器
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 109-114页
作者: 周广超 郭润楠 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
基于磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)实现了一款K波段数字化功率放大器芯片。该芯片利用InP DHBT工艺兼容高速数字与射频功率电路的优点,采用多个数字功放单元并联连接的形式,每个数字功放单元可以根据数字基带控制信号接通或断开... 详细信息
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基于金刚石钝化散热的栅区微纳尺度刻蚀研究
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电子元件与材料 2022年 第3期41卷 309-314页
作者: 李义壮 郭怀新 郁鑫鑫 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点。因此,本文采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,... 详细信息
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硅基异构三维集成技术研究进展
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 1-9页
作者: 郁元卫 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
为满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需,硅基异构集成和三维集成成为下一代集成电路的使能技术,成为当前和今后的研究热点。硅基三维集成微系统可集成化合物半导体、CMOS、MEMS等芯片,充分发挥材... 详细信息
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微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展
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硅酸盐学报 2022年 第7期50卷 1852-1864页
作者: 赵继文 郝晓斌 赵柯臣 李一村 张森 刘康 代兵 郭怀新 韩杰才 朱嘉琦 哈尔滨工业大学 特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学 微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080
随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息
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用于不同体态芯片互连的凸点制备及性能表征
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 87-92页
作者: 陈聪 李杰 姜理利 吴璟 张岩 郁元卫 黄旼 朱健 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
随着轻量化、小型化及模块功能多样化的发展,由二维平面到三维高度上的先进封装技术应运而生。微凸点作为实现芯片到圆片异构集成的关键结构,可有效缩短信号传输距离,提升芯片性能。利用电沉积法在Si基板上以Cu作支撑层、Ni作阻挡层淀... 详细信息
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InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究
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固体电子研究与进展 2021年 第4期41卷 309-312页
作者: 高汉超 王伟 于海龙 马奔 尹志军 李忠辉 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟... 详细信息
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基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 14-17,23页
作者: 张亦斌 吴少兵 李建平 韩方彬 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推... 详细信息
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低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究
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固体电子研究与进展 2021年 第4期41卷 319-322页
作者: 王雷 王冬蕊 沈雁飞 姜理利 郁元卫 黄旼 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺... 详细信息
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