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作者

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  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 张有涛
  • 27 篇 董逊
  • 24 篇 张东国
  • 24 篇 朱健
  • 23 篇 彭大青
  • 22 篇 薛舫时
  • 22 篇 陶洪琪
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 16 篇 李亮
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 郁元卫
  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
GaAs/Si晶圆片键合偏差及影响因素研究
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 10-13,40页
作者: 郭怀新 戴家赟 潘斌 周书同 孔月婵 陈堂胜 朱健 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶... 详细信息
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多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究
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固体电子研究与进展 2021年 第3期41卷 166-170页
作者: 李杰 王雷 姜理利 黄旼 郁元卫 张洪泽 陈聪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现... 详细信息
来源: 评论
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)
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固体电子研究与进展 2021年 第6期41卷 425-431页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息
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小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件
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固体电子研究与进展 2021年 第5期41卷 330-336页
作者: 侯芳 孙超 栾华凯 黄旼 朱健 胡三明 东南大学毫米波国家重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠... 详细信息
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栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
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固体电子研究与进展 2021年 第3期41卷 229-234页
作者: 戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南方科技大学 广东深圳518055
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影... 详细信息
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X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC
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通信电源技术 2022年 第9期39卷 13-15页
作者: 李文龙 陶洪琪 余旭明 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出... 详细信息
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基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
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红外与毫米波学报 2021年 第5期40卷 634-637页
作者: 牛斌 钱骏 范道雨 王元庆 梅亮 戴俊杰 林罡 周明 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 江苏南京210016 南京安太芯电子有限公司 江苏南京210016
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组... 详细信息
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一款X波段高效率GaN负载调制平衡放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2020年 第1期40卷 1-6页
作者: 王光年 陶洪琪 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的X波段高效率负载调制平衡放大器芯片。该芯片由两个射频端口的90°Lange耦合器,一对平衡功率放大器和一个控制信号功率放大器组成。通过改变同频率处控制信号的幅度与相位去调制平衡功率放大... 详细信息
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基于毫米波负载调制网络优化设计的26 GHz Doherty功率放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 317-323页
作者: 郭润楠 陶洪琪 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
提出了一种毫米波Doherty放大器负载调制网络结构及优化设计方法。该方法在改善传统方案调制不充分的同时,去除影响工作带宽的四分之一波长线,有效降低输出网络的复杂度,减少匹配损耗,提高了Doherty放大器效率和工作带宽。基于提出的优... 详细信息
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碳基射频电子器件研究进展
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固体电子研究与进展 2020年 第2期40卷 94-103,121页
作者: 孔月婵 杨扬 周建军 吴云 顾晓文 郁鑫鑫 王登贵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫兹以及光电混频等... 详细信息
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