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作者

  • 60 篇 陈堂胜
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  • 45 篇 孔月婵
  • 31 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 28 篇 陆海燕
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  • 14 篇 罗伟科
  • 13 篇 牛斌

语言

  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是41-50 订阅
排序:
As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究
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固体电子研究与进展 2020年 第2期40卷 145-148,158页
作者: 王伟 高汉超 于海龙 马奔 尹志军 李忠辉 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条... 详细信息
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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带
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固体电子研究与进展 2020年 第3期40卷 159-163页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 详细信息
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C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2020年 第3期40卷 164-168,190页
作者: 杨常林 余旭明 陶洪琪 徐波 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN H... 详细信息
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基于50nm GaN HEMT技术的180~220GHz平衡二倍频器MMIC
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固体电子研究与进展 2020年 第2期40卷 83-86页
作者: 张茂强 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用50 nm GaN HEMT技术实现了一款太赫兹波有源平衡式二倍频器单片微波集成电路(MMIC)。通过在输入端使用巴伦,可以确保二倍频器良好的基波抑制性能。在没有任何后置放大器的情况下,当输入功率为22 dBm时,在205 GHz的输出频率下二倍频... 详细信息
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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)
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固体电子研究与进展 2020年 第4期40卷 237-242,257页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 详细信息
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增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件
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固体电子研究与进展 2022年 第2期42卷 F0003-F0003页
作者: 王登贵 周建军 张凯 胡壮壮 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下... 详细信息
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硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 18-23页
作者: 杨士奇 任泽阳 张金风 何琦 苏凯 张进成 郭怀新 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 宽带隙半导体技术国防重点学科实验室西安710071 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效... 详细信息
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LNOI阵列波导光栅的设计与制备
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电子技术 2021年 第4期41卷 258-261页
作者: 王琛全 周奉杰 顾晓文 唐杰 钱广 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小... 详细信息
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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备
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电子技术 2023年 第1期43卷 7-10,16页
作者: 唐杰 王子彦 钱坤 何晓舟 潘时龙 王琛全 顾晓文 钱广 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 南京航空航天大学电子信息工程学院 南京211106 空军装备部上海局 上海200231
基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 详细信息
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多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式
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太赫兹科学与电子信息学报 2022年 第6期20卷 626-630页
作者: 侯彦飞 王伯武 于伟华 程伟 孙岩 北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 北京100081 北京无线电测量研究所 北京100854 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果... 详细信息
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