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  • 265 篇 中文
检索条件"机构=南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
265 条 记 录,以下是51-60 订阅
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基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计
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电子技术应用 2021年 第4期47卷 67-70,76页
作者: 邵煜伟 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带... 详细信息
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基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件
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固体电子研究与进展 2022年 第3期42卷 F0003-F0003页
作者: 严可 杨扬 霍帅 张勇 王元 李忠辉 中国电科碳基电子重点实验室 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016
半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。电子器件研究所针对新兴的碳纳米管... 详细信息
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导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺
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固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 65-68页
作者: 赵柯臣 赵继文 代兵 张旭 郭怀新 孙华锐 朱嘉琦 哈尔滨工业大学 特种环境复合材料技术国防科技重点实验室哈尔滨150080 哈尔滨工业大学 工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室深圳518055 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算... 详细信息
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微波光子收/发模块技术
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电子技术 2022年 第4期42卷 241-247页
作者: 钱广 钱坤 何晓舟 王子彦 陈向飞 唐杰 王琛全 顾晓文 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京大学微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院 南京210093 空军装备部上海局 上海200231
微波光子收/发模块微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。
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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌
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固体电子研究与进展 2019年 第5期39卷 313-323,389页
作者: 薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息
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1~8 GHz GaN 10 W 巴伦型分布式功率放大器
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固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 159-162,178页
作者: 韩程浩 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路... 详细信息
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60 GHz带宽石墨烯光电探测器
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固体电子研究与进展 2022年 第6期42卷 F0003-F0003页
作者: 陶然 吴云 曹正义 王东辰 李冠宇 李忠辉 南京电子器件研究所 中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,电子器件研究所结合前期石墨烯器件电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使... 详细信息
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柔性石墨烯放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2021年 第5期41卷 F0003-F0003页
作者: 吴云 孙岩 曹正义 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器... 详细信息
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垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 戴家赟 王钊 贾晨阳 杨进 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要,确定了材料结... 详细信息
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双模式高集成负电荷泵电路设计
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固体电子研究与进展 2020年 第1期40卷 53-59页
作者: 李亚军 李晓鹏 张有涛 刘洁 陈新宇 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学 射频与光电集成电路研究所南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 中国空间技术研究院西安分院 西安710100
提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压... 详细信息
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