检索结果-内蒙古大学图书馆

电子技术应用 2021年第4期47卷 67-70,76页

作者：邵煜伟陶洪琪南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带... 详细信息

定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3~10%的效率提升。以此设计了一款X波段单级MMIC功放。经测试,该功放芯片在9.2~11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88%。

关键词：功率放大器输入谐波控制高效率 MMIC

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基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件

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固体电子学研究与进展 2022年第3期42卷 F0003-F0003页

作者：严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉中国电科碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管... 详细信息

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。

关键词：碳纳米管薄膜低维材料材料界面新型材料准一维柔性电子范德华力衬底材料

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导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 65-68页

作者：赵柯臣赵继文代兵张旭郭怀新孙华锐朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室哈尔滨150080 哈尔滨工业大学工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室深圳518055 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算... 详细信息

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算得到孔隙率约为9.88%,中间烧结银层等效热阻约为1.38×10^(-5)m^(2)·K/W。

关键词：低温烧结银芯片散热金刚石大尺寸连接

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微波光子收/发模块技术

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光电子技术 2022年第4期42卷 241-247页

作者：钱广钱坤何晓舟王子彦陈向飞唐杰王琛全顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京大学微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院南京210093 空军装备部上海局上海200231

微波光子收/发模块是微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。

关键词：微波光子收/发模块光电集成

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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌

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固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 313-323,389页

作者：薛舫时杨乃彬郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。

关键词：实时能带非稳态能带电流崩塌能带峰耗尽局域电子气势垒电流崩塌能带模型陷阱

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1～8 GHz GaN 10 W 巴伦型分布式功率放大器

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 159-162,178页

作者：韩程浩陶洪琪南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路... 详细信息

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路拓扑结构。该芯片在1~8GHz频率范围内,漏压28 V连续波条件下,线性增益大于25.8dB,功率增益大于23.2dB,典型饱和输出功率为10W,功率附加效率大于28.8%。芯片面积为3.5mm×3.3mm。

关键词：超宽带巴伦高效率分布式功率放大器

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60 GHz带宽石墨烯光电探测器

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固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 F0003-F0003页

作者：陶然吴云曹正义王东辰李冠宇李忠辉南京电子器件研究所中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,南京电子器件研究所结合前期石墨烯器件和电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使... 详细信息

针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,南京电子器件研究所结合前期石墨烯器件和电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使石墨烯的光生载流子具有高漂移速度,促进其在短沟道中快速分离;同时基于石墨烯沟道与电极的图形结构设计,增强了石墨烯与光的相互作用;成功制备了一款60 GHz大带宽的光电探测器,显微照片如图1所示。该石墨烯光电探测器的工作电压小于0.3 V,对1550 nm光的实测响应度达到0.17 A/W,如图2(a)所示。通过矢量网络分析仪实测探测器的3 dB带宽均达60 GHz以上,当频率从10 MHz上升至60 GHz时,探测器的响应度仅下降2.18 dB,如图2(b)所示。此外,该探测器还具备硅光集成潜力,可为高速通讯应用奠定基础。

关键词：矢量网络分析仪响应度光电探测器图形结构显微照片光生载流子高速通讯漂移速度

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柔性石墨烯放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 F0003-F0003页

作者：吴云孙岩曹正义南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器... 详细信息

石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器件特别是集成电路的研制一直受到限制。南京电子器件研究所结合硬质基板上石墨烯器件和电路的研制经验,选择具有原子级平整度、耐高温的云母片作为器件衬底,突破无损转移、自对准等技术挑战,成功制备了高性能的石墨烯FET器件和放大器MMIC [如图1(a)所示]。

关键词：柔性电子无线通讯柔性衬底高频化 MMIC 自对准集成电路柔性石墨

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垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术

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固体电子学研究与进展 2021年第2期41卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新戴家赟王钊贾晨阳杨进南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 详细信息

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。

关键词：异质集成热压键合限幅器 PIN管晶圆级超大功率纵向结构减薄技术

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双模式高集成负电荷泵电路设计

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固体电子学研究与进展 2020年第1期40卷 53-59页

作者：李亚军李晓鹏张有涛刘洁陈新宇杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 中国空间技术研究院西安分院西安710100

提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压... 详细信息

提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压为-3×VCC。电路采用0.35μm BCD工艺实现。测试结果表明:室温时,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为36 mA和80 mA时输出电压分别为-3.07 V和-12.10 V。在-55℃到125℃温度范围内,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为24 mA和50 mA时输出电压分别低于-3.06 V和-12.35 V。该电荷泵在两种模式下工作特性良好,已应用于相关工程项目。

关键词：负电荷泵双模式高集成开关电容

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