检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2023年第1期51卷 222-230页

作者：赵继聪吕世涛张敖宇宋晨光孙海燕南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通大学信息科学技术学院江苏南通226019 南通大学电气工程学院江苏南通226019

本文介绍了工作频率为400 MHz和2 GHz氮化铝Lamb波谐振器的结构设计、微纳制造及测试表征,研究了锚点损耗和声子间相互作用损耗对Lamb波谐振器品质因数(Q值)的影响,并分析了不同工作频率的Lamb波谐振器的主要能量损耗来源.研究发现:对... 详细信息

本文介绍了工作频率为400 MHz和2 GHz氮化铝Lamb波谐振器的结构设计、微纳制造及测试表征,研究了锚点损耗和声子间相互作用损耗对Lamb波谐振器品质因数(Q值)的影响,并分析了不同工作频率的Lamb波谐振器的主要能量损耗来源.研究发现:对于低频谐振器,锚点损耗为其主要能量损耗来源,因此减小支撑轴宽度可减少通过支撑轴泄漏至衬底的能量,进而提高Q值;对于高频谐振器,声子间相互作用损耗为其主要能量损耗来源,因此相比于金(Au),采用铝(Al)作为叉指电极(IDT)材料的谐振器具有更高Q值.针对Lamb波谐振器的结构特点,设计了一套基于七步光刻工艺的微纳制程,成功制备了具有微型化释放腔体的Lamb波谐振器,并具备优异的性能.测试结果表明,工作频率为400 MHz和2 GHz的Al-IDT谐振器的串联品质因数(Qs)分别达到2 590和1 192.

关键词：微机电系统 Lamb波谐振器品质因数能量损耗制备工艺

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纳米ZnS∶Cu薄膜及谐振腔的制备与特性研究

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人工晶体学报 2010年第2期39卷 412-415页

作者：秦旭峰茅惠兵侯士丽王基庆景为平南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226007 华东师范大学信息科学与技术学院上海200241

采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS... 详细信息

采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS∶Cu纳米薄膜荧光强度最强。在由Al膜与ITO薄膜构成的腔长为3.6μm的ZnS∶Cu垂直谐振腔中共观察到10多个荧光干涉峰。经分析确定,该垂直谐振腔的品质因数为30.3。

关键词： ZnS∶Cu薄膜光致发光谐振腔

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InAs基范德华异质结界面电荷转移特性第一性原理计算的研究进展

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红外与毫米波学报 2023年第5期42卷 666-680页

作者：成田恬张坤罗曼孟雨欣祖源泽王奕锦王鹏余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各... 详细信息

由低维InAs材料和其他二维层状材料堆叠而成的垂直范德华异质结构在纳米电子、光电子和量子信息等新兴领域中应用广泛。探索跨结界面的电荷转移机制对于全面理解该类器件的非凡特性至关重要。第一性原理计算在揭示界面电荷转移特性与各种能量稳定型InAs基范德华异质结的电、光、磁等原理物理特性和器件性能变化之间的内在关系方面发挥着不可比拟的作用。文中梳理、总结和探讨了近年来InAs基范德华异质结间界面电荷转移特性的理论研究工作与潜在的功能应用,提出在理论方法和计算精度方面大力发展第一性原理计算的几个途径,为更好地开展InAs基范德华异质结的基础科学研究和应用器件设计提供可借鉴的量化研究基础。

关键词： InAs异质结范德华堆叠结构界面电荷转移第一性原理计算

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邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟

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物理学报 2006年第10期55卷 5435-5440页

作者：茅惠兵景为平俞建国王基庆王力戴宁华东师范大学信息科学技术学院上海200062 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007 中国科学院红外物理国家实验室上海200083

用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势... 详细信息

用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度.

关键词：外延生长模式动力学Monte Carlo Ehrlich-Schwoebel势垒

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铁电局域场增强低维材料光电探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2022年第7期51卷 49-58页

作者：余晨辉沈倪明周勇成田恬秦嘉怡罗曼南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

光电探测器在通讯、环境、健康和国防等日常生活及国家安全等领域中应用广泛。随着时代的发展,对光电探测器在灵敏度、响应速度及波长范围等方面的性能要求与日俱增。低维材料独特的电学及光电特性使其在光电子器件领域具有重要的应用... 详细信息

光电探测器在通讯、环境、健康和国防等日常生活及国家安全等领域中应用广泛。随着时代的发展,对光电探测器在灵敏度、响应速度及波长范围等方面的性能要求与日俱增。低维材料独特的电学及光电特性使其在光电子器件领域具有重要的应用前景。为了充分利用低维材料的优势,克服其暗电流大、吸收率低的不足,研究人员提出将铁电材料与低维材料结合,利用铁电材料的剩余极化作用形成强局域场调控载流子浓度以提高低维材料的光电探测能力。文中总结了近年来铁电局域场增强低维材料光电探测器的研究成果,介绍了铁电材料对一维纳米线、二维材料以及低维结型器件的调控和性能提升方面的相关研究。最后,对铁电局域场增强低维材料光电探测器的发展趋势进行了简要的总结和展望。

关键词：铁电局域场低维材料光电探测器

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二维层状材料异质结光电探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2021年第1期50卷 186-196页

作者：陈红富罗曼沈倪明徐腾飞秦嘉怡胡伟达陈效双余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,... 详细信息

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外,2DLMs不受晶格匹配的限制,能以范德瓦尔斯力(Van der Waals,vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合,制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展,主要包括基于二硒化钨(WSe2)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS3)、二硒化钯(PbSe2)等异质结光电探测器,这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新,在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时,文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：二维层状材料异质结光电探测器

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基于MCT可逆线路的量子线路近邻化排布

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电子学报 2018年第8期46卷 1891-1897页

作者：程学云管致锦徐海谈莹莹刘洋南通大学电子信息学院江苏南通226019 南通大学计算机科学与技术学院江苏南通226019 江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

为了实现量子线路线性最近邻(LNN)排布,给出了可逆MCT门的最近邻Toffoli门级联方法.为了解决线路近邻化中额外插入的SWAP门增加量子代价的问题,引入NNTS门减少插入的SWAP门数,并给出了MCT门基于NNTS门的最近邻线路排布.提出了量子线路... 详细信息

为了实现量子线路线性最近邻(LNN)排布,给出了可逆MCT门的最近邻Toffoli门级联方法.为了解决线路近邻化中额外插入的SWAP门增加量子代价的问题,引入NNTS门减少插入的SWAP门数,并给出了MCT门基于NNTS门的最近邻线路排布.提出了量子线路近邻化排布算法,将多控制MCT门通过交换线路的顺序得到其最近邻线路排布,然后将每个NNTS门替换为其最优的LNN量子线路实现,得到该MCT线路的LNN量子线路,该方法可以减少量子线路的长度和量子代价.通过Benchmark例题测试,并与现有的线路近邻化结果进行比较,所需插入的SWAP门数平均减少42.83%,量子代价平均改善率达14.80%.

关键词：量子线路可逆线路 MCT门线性最近邻(LNN) 最近邻线路排布

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新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究

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物理学报 2012年第20期61卷 441-446页

作者：余晨辉罗向东周文政罗庆洲刘培生南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 广西大学物理科学与工程技术学院南宁530004 南京信息工程大学遥感学院南京210044

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不... 详细信息

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.

关键词：双异质结高电子迁移率晶体管电流崩塌热电子效应自加热效应

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可逆逻辑门网络的表示与级联

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电子学报 2010年第10期38卷 2370-2376页

作者：管致锦秦小麟陶涛施南通大学计算机科学与技术学院江苏南通226019 南京大学新技术软件国家重点实验室江苏南京210093 南京航空航天大学信息科学与技术学院江苏南京210016 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

可逆计算是一个新兴的研究领域,可逆逻辑门网络的级联是可逆计算的重要内容.本文提出了一种可逆逻辑网络表示方法,给出了相应的可逆网络模型.为了构造可逆逻辑网络,给出了一种可逆逻辑门单元库的构造方法.证明了同一垂直线上两个不相交... 详细信息

可逆计算是一个新兴的研究领域,可逆逻辑门网络的级联是可逆计算的重要内容.本文提出了一种可逆逻辑网络表示方法,给出了相应的可逆网络模型.为了构造可逆逻辑网络,给出了一种可逆逻辑门单元库的构造方法.证明了同一垂直线上两个不相交可逆逻辑门单元的输出值与此二逻辑门单元分布到相同平行线的两条相邻垂直线上的输出值之间的关系;给出了分布在相同平行线上奇数和偶数个相邻的相同可逆逻辑门单元输出结果的性质.提出了一种可逆网络输出向量的表示方法和基于可逆门编码的可逆网络级联方法,以此生成给定范围内的可逆网络.通过变进制数的方法快速找到可逆网络输出向量所对应的序号,降低了搜索次数,减小了搜索空间,为进一步综合大规模可逆网络,提高可逆网络级联效率提供了支持.Benchmark例题验证表明,该方法构造的可逆网络控制门数更少,代价更小.

关键词：可逆计算可逆逻辑综合可逆逻辑门可逆网络可逆门级联

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单区JTE终端结构4H-SiC PIN雪崩二极管击穿特性研究

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南通大学学报（自然科学版） 2022年第3期21卷 42-49页

作者：陈红富王奕锦俞彦伟陈志鹏何嘉诚高子建罗曼余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅(SiC)具有高临界电场、高热导率等特性,以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。目前传统的4H-SiC PIN雪崩二极管容易受到电场集边效... 详细信息

作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅(SiC)具有高临界电场、高热导率等特性,以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。目前传统的4H-SiC PIN雪崩二极管容易受到电场集边效应的影响,从而导致器件的提前击穿。为了降低这种效应,利用Sentaurus TCAD软件设计一种具有单区结终端扩展结构(junction termination extension,JTE)的4H-SiC PIN雪崩二极管,在此基础上重点分析了JTE层的横向长度与掺杂浓度水平对二极管击穿特性的影响。仿真结果表明:从单区JTE终端结构4H-SiC PIN二极管研究中得到的最大外击穿电压约为1 670 V,为理论击穿电压的87%;相较于传统器件所具有的267.5 V的击穿电压,单区JTE二极管的耐压性更好,可靠性更高。

关键词：碳化硅二极管结终端扩展击穿电压

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