检索结果-内蒙古大学图书馆

利用九天EDA系统构建集成电路教学平台

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中国集成电路 2005年第8期14卷 54-57页

作者：孙海燕景为平南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室

九天EDA软件系统在大学本科相关专业的教学工作中发挥了良好的作用。本文主要论述了九天教学、实验系统的构成。实践表明基于此方法构成的九天EDA系统平台为我校的教师教学和学生实验提供了强有力的支持,保证了各项工作的顺利进行。

关键词：集成电路教学平台 EDA系统设计方法

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GaNAs和GaAsSb半导体的光学性质研究(英文)

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中国科学院研究生院学报 2005年第5期22卷 645-655页

作者：罗向东徐仲英南通大学理学院江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226007 中国科学院半导体研究所北京100083

首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰.该峰具有与局域发光完全不同的光学性质.通过研... 详细信息

首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性.研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰.该峰具有与局域发光完全不同的光学性质.通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光.这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据.在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移,然后蓝移,再红移的所谓的“S”形变化.它的来源一直令人们疑惑不解.我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果.这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据.通过光荧光谱,时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质.首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中,在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的,其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰.实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态.这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态.这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金,而不是仅仅以N的杂质态存在.这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用,GaNxAs1-x光跃迁的来源,以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据.最后利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接(Type-I)跃迁和间接跃迁(Type-II).时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性.

关键词： GaNAs GaAsSb 光学性质局域和非局域选择激发

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利用AutoTHERM进行MCM热设计研究

利用AutoTHERM进行MCM热设计研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：孙海燕孙玲景为平南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

本文从多芯片组件(MCM)热问题的角度出发,介绍了利用AutoTHERM软件进行MCM热建模方法及相关的理论基础,并给出了一个具体的六芯片MCM热设计的例子.实例表明:在MCM热设计的过程中,通过模型参数的选择和布局的优化,可以有效的降低结温,提... 详细信息

本文从多芯片组件(MCM)热问题的角度出发,介绍了利用AutoTHERM软件进行MCM热建模方法及相关的理论基础,并给出了一个具体的六芯片MCM热设计的例子.实例表明:在MCM热设计的过程中,通过模型参数的选择和布局的优化,可以有效的降低结温,提高MCM器件的可靠性.

关键词：多芯片组件芯片封装散热设计

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基于C＊Core的SoC设计与验证

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微电子学与计算机 2004年第7期21卷 124-126,131页

作者：徐晨袁红林李智江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007 桂林电子工业学院广西桂林541000

介绍了基于C*Core的SoC及相应的协同验证平台,提出了一种基于C*Core的SoC软硬件协同设计流程及验证方法,具有降低设计风险和缩短产品开发周期的优点,并给出了一个设计实例。

关键词： C＊Core 协同验证 SoC设计

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基于CMOS工艺的AES高速接口电路设计

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电子器件 2004年第3期27卷 413-415,396页

作者：施佺孙玲陈海进南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

为提高 AES加密电路的数据吞吐量 ,采用 0 .6μm CMOS工艺设计了输入接口单元电路。该接口电路接收串行的高速数据流 ,经过串并转换后 ,输出 1 2 8路低速并行数据流。CMOS互补逻辑结构降低了电路的功耗。手工版图布局优化了芯片面积。

关键词：先进加密标准串并转换版图 CMOS互补逻辑

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一种可参数化快速FNT的FPGA实现

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微电子学与计算机 2004年第10期21卷 165-168页

作者：陶涛初建朋赖宗声韩芳李新兵李成诗徐晨景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226007

讨论了一种基于FPGA的快速FNT算法的实现方案,同时对FNT算法的应用进行了初步的探讨。设计采用与FFT算法中类似的基4时序抽取方法,采用双端口内置RAM及数据串入串出的流水线工作方式。本设计可通过调配参数实现64点及256点的FNT变换,并... 详细信息

讨论了一种基于FPGA的快速FNT算法的实现方案,同时对FNT算法的应用进行了初步的探讨。设计采用与FFT算法中类似的基4时序抽取方法,采用双端口内置RAM及数据串入串出的流水线工作方式。本设计可通过调配参数实现64点及256点的FNT变换,并可同时并行完成两组FNT变换。已经成功应用于数字签名算法中GF(p)域多项式模乘的实现,并使用Xilinx公司Virtex2系列xc2v1000器件下载验证通过了64点的FNT变换。

关键词： Fermat数变换快速傅立叶变换现场可编程门阵列

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一种用FNT变换完成大点数循环卷积IP核的VLSI实现

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微电子学与计算机 2004年第11期21卷 158-160页

作者：李新兵初建朋赖宗声李成诗韩芳陶涛徐晨景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

由于FNT变换本身的局限,不能完成大点数循环卷积。文章提出一种运用FNT变换实现循环卷积的方案。不仅具有FNT本身零误差的优点,而且有适合于硬件实现,具有不用保存中间结果,节省面积的优点。

关键词： FNT变换循环卷积零误差大点数

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基于CORDIC的一种高速实时定点FFT的FPGA实现

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微电子学与计算机 2004年第4期21卷 88-91,96页

作者：李成诗初建朋李新兵韩芳蒋菱赖宗声徐晨景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226007

本文论述了一种利用CORDIC算法在FPGA上实现高速实时定点FFT的设计方案。利用CORDIC算法来实现复数乘法,与使用乘法器相比降低了系统的资源占用率,提高了系统速度[1]。设计基于基4时序抽取FFT算法,采用双端口内置RAM和流水线串行工作方... 详细信息

本文论述了一种利用CORDIC算法在FPGA上实现高速实时定点FFT的设计方案。利用CORDIC算法来实现复数乘法,与使用乘法器相比降低了系统的资源占用率,提高了系统速度[1]。设计基于基4时序抽取FFT算法,采用双端口内置RAM和流水线串行工作方式。本设计针对256点、24位长数据进行运算,在XilnxSpartan2E系列的xc2s300e器件下载验证通过,完成一次运算约为12μs,可运用于高速DSP、数字签名算法等对速度要求高的领域。

关键词： FF FPGA CORDIC算法

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AES算法的C语言实现及测试向量生成

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南通工学院学报（自然科学版） 2004年第3期3卷 63-65,69页

作者：陈海进刘炎华南通工学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

在VC环境下 ,设计实现了高级加密标准 (AES)算法。密钥长度及加密/解密模式由用户控制 ,程序主要用于产生测试向量进行后期IC设计测试 ,也可应用于文件的加解密操作。

关键词：高级加密标准 VC++ 测试向量集成电路测试

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基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析

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南通工学院学报（自然科学版） 2004年第1期3卷 70-72页

作者：孙玲陈海进南通工学院江苏省重点实验室-专用集成电路设计江苏南通226007

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是,为了减少版图面积,节约成本,中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。文章探讨了利用CMOS互补... 详细信息

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是,为了减少版图面积,节约成本,中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。文章探讨了利用CMOS互补逻辑设计中小规模数字集成电路的电路结构化简方法,介绍了设计数字集成电路版图布局布线的几点体会。

关键词： CMOS工艺中小规模数字集成电路电路设计硅集成电路 CMOS互补逻辑版图

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