检索结果-内蒙古大学图书馆

太阳能学报 2015年第1期36卷 190-195页

作者：罗庆洲祝善友余晨辉梅安新南京信息工程大学遥感学院南京210044 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 华东师范大学资源与环境科学学院上海200062

构建基于分布较广的常规气象台站的日照百分率数据来计算水平面太阳辐射的模型,拟合结果表明模型精度较高。在此基础上使用空间插值技术得到全国范围内水平面太阳辐射,使用MODIS反照率产品获取地形反射辐射,之后依据各向异性辐射模型计... 详细信息

构建基于分布较广的常规气象台站的日照百分率数据来计算水平面太阳辐射的模型,拟合结果表明模型精度较高。在此基础上使用空间插值技术得到全国范围内水平面太阳辐射,使用MODIS反照率产品获取地形反射辐射,之后依据各向异性辐射模型计算光伏阵列面太阳辐射,循环寻优生成最佳倾角的全国空间连续分布图。这套计算方法与结果可为包括无辐射观测记录地区在内的光伏阵列最佳倾角的确定提供科学参考。

关键词：最佳倾角空间分布太阳辐射日照百分率

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新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究

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物理学报 2012年第20期61卷 441-446页

作者：余晨辉罗向东周文政罗庆洲刘培生南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 广西大学物理科学与工程技术学院南宁530004 南京信息工程大学遥感学院南京210044

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不... 详细信息

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.

关键词：双异质结高电子迁移率晶体管电流崩塌热电子效应自加热效应

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铁电局域场增强低维材料光电探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2022年第7期51卷 49-58页

作者：余晨辉沈倪明周勇成田恬秦嘉怡罗曼南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

光电探测器在通讯、环境、健康和国防等日常生活及国家安全等领域中应用广泛。随着时代的发展,对光电探测器在灵敏度、响应速度及波长范围等方面的性能要求与日俱增。低维材料独特的电学及光电特性使其在光电子器件领域具有重要的应用... 详细信息

光电探测器在通讯、环境、健康和国防等日常生活及国家安全等领域中应用广泛。随着时代的发展,对光电探测器在灵敏度、响应速度及波长范围等方面的性能要求与日俱增。低维材料独特的电学及光电特性使其在光电子器件领域具有重要的应用前景。为了充分利用低维材料的优势,克服其暗电流大、吸收率低的不足,研究人员提出将铁电材料与低维材料结合,利用铁电材料的剩余极化作用形成强局域场调控载流子浓度以提高低维材料的光电探测能力。文中总结了近年来铁电局域场增强低维材料光电探测器的研究成果,介绍了铁电材料对一维纳米线、二维材料以及低维结型器件的调控和性能提升方面的相关研究。最后,对铁电局域场增强低维材料光电探测器的发展趋势进行了简要的总结和展望。

关键词：铁电局域场低维材料光电探测器

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PR9200芯片的超高频RFID读写器通信技术

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实验室研究与探索 2019年第5期38卷 60-63,101页

作者：曹丹丹景为平南通大学江苏省集成电路设计重点实验室

针对PR9200芯片的超高频、无线射频识别读写器通信效率低下的问题,设计了一种基于FPGA的通信方案。介绍了数据通信的架构,制定了通信协议的传输规则,采用工业以太网口通信,并通过FPGA对传输的数据进行并行处理后送至MCU。仿真与测试验... 详细信息

针对PR9200芯片的超高频、无线射频识别读写器通信效率低下的问题,设计了一种基于FPGA的通信方案。介绍了数据通信的架构,制定了通信协议的传输规则,采用工业以太网口通信,并通过FPGA对传输的数据进行并行处理后送至MCU。仿真与测试验证表明,该读写器通信系统能有效地提高数据传输及处理速度,与原系统相比,通信效率提高了57%,且不影响系统稳定性,可应用于高速的标签识别中。

关键词：无线射频识别数据通信协议现场可编程门阵列以太网口

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新型PMNT材料红外光传感器数字化低功耗输出技术

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核电子学与探测技术 2010年第9期30卷 1236-1240页

作者：谢峰景为平鲁华祥李言谨南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 中国科学院传感技术联合国家重点实验室上海200050

红外探测器进入商业市场的最大障碍是致冷。它不仅使系统成本提高,而且操作不便[1]。我国科学家最新发现的以PMNT为代表的弛豫铁电单晶在热扩散系数、物化性能等方面具有优异的热释电综合性能,可应用于非致冷器件,用其制成的传感器具有... 详细信息

红外探测器进入商业市场的最大障碍是致冷。它不仅使系统成本提高,而且操作不便[1]。我国科学家最新发现的以PMNT为代表的弛豫铁电单晶在热扩散系数、物化性能等方面具有优异的热释电综合性能,可应用于非致冷器件,用其制成的传感器具有结构简单,功耗低,系统成本低等优点,具有非常诱人的广泛应用前景。目前,基于弛豫铁电单晶这种新型热释电材料红外光传感器和配套的读出电路芯片正在积极研究[2]。同时将读出电路信号转化成数字信号,可以完成原来读出电路所不能完成的信号的存储、变换、去噪声和数字化传输等方便于应用的功能。所以人们希望把红外焦平面模拟信号转换为数字信号来处理。较低功耗和较低的系统成本是这种新型PMNT材料红外光传感器的优势。

关键词：弛豫铁电单晶低频传感器数字化技术

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符合ISO/IEC 15693协议的专用RFID并行晶圆测试系统设计

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实验室研究与探索 2017年第11期36卷 130-134,154页

作者：范巍景为平南通大学江苏省集成电路设计重点实验室江苏南通226001

针对遵循ISO/IEC 15693协议的RFID(radio frequency identification)晶圆测试效率低下的问题,提出了一种16通道并行测试系统的方法,选用FPGA(field programmable gate array)作为逻辑处理器,使用并行处理的方法高效地实现逻辑功能;设计... 详细信息

针对遵循ISO/IEC 15693协议的RFID(radio frequency identification)晶圆测试效率低下的问题,提出了一种16通道并行测试系统的方法,选用FPGA(field programmable gate array)作为逻辑处理器,使用并行处理的方法高效地实现逻辑功能;设计专用硬件测试电路,成本低、针对性强;采用16通道并行测试方法,大幅度提高测试效率;采用射频耦合式测试方法,完全模拟芯片的实际工作状态,保证测试结果与实际应用结果一致。实际测试中,测试晶圆为8 in(203 mm)。如果采用单通道串行测试系统,整片测试时间为36 h;采用16通道并行测试系统,测试时间为2.26 h。结果表明采用16通道并行测试的方法可以节约93.8%的时间,大大提高了测试效率,缩短了测试时间。

关键词：射频识别现场可编程序门阵列测试效率晶圆

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二维层状材料异质结光电探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2021年第1期50卷 186-196页

作者：陈红富罗曼沈倪明徐腾飞秦嘉怡胡伟达陈效双余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,... 详细信息

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外,2DLMs不受晶格匹配的限制,能以范德瓦尔斯力(Van der Waals,vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合,制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展,主要包括基于二硒化钨(WSe2)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS3)、二硒化钯(PbSe2)等异质结光电探测器,这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新,在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时,文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：二维层状材料异质结光电探测器

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基于FPGA的RFID晶圆并行测试系统设计

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半导体技术 2015年第11期40卷 866-871页

作者：张慧雷景为平南通大学江苏省集成电路设计重点实验室江苏南通226019

针对高频射频识别(RFID)晶圆在中测(CP)阶段单通道串行测试效率低下的问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的多通道并行测试系统以提高测试效率。鉴于RFID晶圆上没有集成天线,提出了一种新的基于探针技术的射频耦合式的晶圆检测... 详细信息

针对高频射频识别(RFID)晶圆在中测(CP)阶段单通道串行测试效率低下的问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的多通道并行测试系统以提高测试效率。鉴于RFID晶圆上没有集成天线,提出了一种新的基于探针技术的射频耦合式的晶圆检测方法,模拟芯片实际工作。系统选用FPGA为微控制器,配以多路射频耦合通信电路,实现测试向量生成及快速信号处理。再结合上位机与探针台高速并行的通用接口总线(GPIB)通信接口,以实现晶圆级RFID芯片测试。经实际测试,该系统能够实现16通道并行测试,与单通道串行测试系统相比,效率提升了97%,可靠性好,稳定性高,可应用高密度RFID晶圆的中测。

关键词：并行测试高频射频识别(RFID) 晶圆测试(CP) 射频耦合现场可编程门阵列(FPGA)

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等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化

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物理学报 2014年第12期63卷 366-372页

作者：何素明戴珊珊罗向东张波王金斌湘潭大学材料与光电物理学院低维材料与应用技术教育部重点实验室湘潭411105 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019

研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30... 详细信息

研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.

关键词：氮氧化硅等离子体增强化学气相沉积背面钝化晶硅太阳能电池

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单晶Si太阳能电池工艺仿真与性能分析

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半导体技术 2010年第3期35卷 209-212页

作者：孙玲罗向东常志强南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 矽谷科技上海200040

日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用。基于TCAD工具,给出了一种简单pn结太阳能电池的工艺过程,详细介绍了其短路电流、开路电压、填充因子以及... 详细信息

日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用。基于TCAD工具,给出了一种简单pn结太阳能电池的工艺过程,详细介绍了其短路电流、开路电压、填充因子以及转换效率等性能参数的仿真方法,并以p型衬底上单晶Si太阳能电池为例,分别讨论了其伏安特性、光谱特性、照度特性和温度特性。与实验方法相比较,基于TCAD的辅助设计方法对加快国内太阳能电池工艺的技术发展将起到积极的作用。

关键词：计算机辅助设计硅太阳能电池 pn结伏安特性

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