采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对三种类石墨烯材料(即 T 石墨烯、HOT 石墨烯和 net W 碳单层)中单空位和双空位的形成能以及电子结构性质进行了计算。结果表明,这三种类石墨烯中双空位的形成能总是低于单空位的形成能,并...
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对三种类石墨烯材料(即 T 石墨烯、HOT 石墨烯和 net W 碳单层)中单空位和双空位的形成能以及电子结构性质进行了计算。结果表明,这三种类石墨烯中双空位的形成能总是低于单空位的形成能,并且HOT石墨烯具有最小的单空位和双空位形成能。当存在单空位时,T石墨烯由金属转变为半导体,HOT石墨烯由半金属转化为金属,而net W碳单层仍为金属,双空位则不改变体系的电子性质。此外,对于这三种类石墨烯,单空位体系都具有弱磁性和平带,平带处的态密度主要来自px轨道,py轨道或px,py轨道的共同贡献。差分电荷密度图显示,空位的存在对整体电荷密度的影响是相当局域的。
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