在椭圆轨道的致密双星模型作为周期性重复快速射电暴(Fast Radio Bursts,FRBs)起源的基础上,考虑引力辐射对快速射电暴周期性行为的影响。这个双星系统包含一个具有强偶极磁场的中子星和一个磁化的白矮星。当白矮星充满它的洛希瓣时,物...
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在椭圆轨道的致密双星模型作为周期性重复快速射电暴(Fast Radio Bursts,FRBs)起源的基础上,考虑引力辐射对快速射电暴周期性行为的影响。这个双星系统包含一个具有强偶极磁场的中子星和一个磁化的白矮星。当白矮星充满它的洛希瓣时,物质将通过内拉格朗日点转移到中子星表面。由于角动量守恒,白矮星可能在一次爆发之后被踢开,接着在演化过程中由于引力辐射再次充满洛希瓣,实现再次爆发。这种情况下,快速射电暴的周期对应于双星轨道周期P_(orb),而它与两次质量转移时间间隔Δt之间的关系是能否显现周期性行为的关键因素。很明显,Δt≈P_(orb)或者Δt>P_(orb),周期性将很难观测到。结果表明,只有相对较长周期的快速射电暴才能显示周期性行为,这表明目前仅有的两个周期性快速射电暴都对应于较长的周期是合理的。
针对低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)和低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide,LTPO)工艺下的有机电致发光显示器(organic light emitting diode,OLED)电路设计时,驱动译码电路瞬态产生大电流引起的闩...
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针对低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)和低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide,LTPO)工艺下的有机电致发光显示器(organic light emitting diode,OLED)电路设计时,驱动译码电路瞬态产生大电流引起的闩锁效应烧坏器问题,提出一种具有瞬态电流限制能力的全N增强型金属氧化物半导体(N-enhancement type metal oxide semiconductor,NMOS)场效应管的译码器电路设计方法。该方法基于树状网络进行译码和限流,利用支路简并方法进行逻辑化简,采用共源共栅结构中的输出阻抗限制译码瞬态过程的最大电流;在SMIC 180 nm CMOS工艺下完成设计,核心电路面积为470.69μm^(2)。2种不同输入条件下的仿真结果表明,采用格雷码对输入激励进行编码的5-32全NMOS译码器的功耗延迟积仅为9.77×10^(-20)J·s,比同等工艺、电源电压、温度条件下设计的CMOS 5-32译码器降低了81.8%;瞬态译码时的最大电流为11.69μA,比CMOS 5-32译码器降低了99.44%。
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