检索结果-内蒙古大学图书馆

六苯并晕苯化合物及其衍生物不仅结构优美,而且具有优良的光电性质,己被广泛应用于场效应晶体管和光电导器件中.本文应用密度泛函(DFT)和ZINDO方法从理论上对一系列六苯并晕苯衍生物的平衡几何、电子结构和单、双光子吸收性质进行了详细的研究.结果显示增强分子末端吸电子基的能力,HOMO-LUMO能隙差降低,最大单、双光子吸收波长红移,双光子吸收截面值增大.尤其硝基的引入,使得最大双光子吸收截面值达到6260.7GM.

关键词：双光子吸收截面单双光子吸收性质电子结构

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拓扑分子的结构和性质

拓扑分子的结构和性质

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中国化学会第二十七届学术年会

作者：李志儒理论化学计算国家重点实验室吉林大学理论化学研究所长春130023

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以2,1,3-苯并噻二唑为中心的星形分子作为红色荧光材料的光电性质的理论研究

以2,1,3-苯并噻二唑为中心的星形分子作为红色荧光材料的光电性质...

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第五届国际理论化学、分子模拟和生命科学研讨会

作者：刘英芳邹陆一任雪峰任爱民吉林大学理论化学研究所理论化学国家重点实验室长春130023

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2-叔丁基-9,10-二(三苯基乙烯基-4-苯基)蒽的电子结构和光谱性质的理论计算

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海南师范大学学报（自然科学版） 2010年第1期23卷 47-52页

作者：刘艳玲韩立志孙晓茹任爱民刘朋军海南师范大学化学与化工学院海南海口571158 吉林大学理论化学计算国家重点实验室吉林长春130023

蒽类化合物作为有机电致发光材料具有刚性结构、宽能隙和高荧光量子效率等优点,近年来引起了人们的广泛关注.本文通过量子化学计算系统的研究了一种新型的蒽类蓝光发光材料--2-叔丁基-9,10-二(三苯基乙烯基-4-苯基)蒽(TPVAn)的光学和电... 详细信息

蒽类化合物作为有机电致发光材料具有刚性结构、宽能隙和高荧光量子效率等优点,近年来引起了人们的广泛关注.本文通过量子化学计算系统的研究了一种新型的蒽类蓝光发光材料--2-叔丁基-9,10-二(三苯基乙烯基-4-苯基)蒽(TPVAn)的光学和电子结构性质.计算结果表明,TPVAn分子具有三维的非平面分子结构,这种结构可以降低分子间的相互作用以及激基缔合物的形成.电子的激发导致TPVAn分子中心蒽中各键键长发生变化.吸收光谱和发射光谱的理论计算值和实验值符合较好,分别为328.34nm和453.15nm,并且该分子荧光寿命较长,为15.9094ns.在电致发光器件应用上,TPVAn分子是一种具有开发前景和实用价值的蓝光发光材料.

关键词：电致发光,激发态电离能电子亲和势含时密度泛函理论

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潜在的星际分子PSiCP势能面的密度泛函理论研究

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石油化工高等学校学报 2010年第1期23卷 43-46页

作者：李飞王婵张凤华刘慧玲辽宁石油化工大学化学与材料科学学院辽宁抚顺113001 吉林大学理论化学研究所理论化学计算国家重点实验室吉林长春130021

潜在的单重态星际分子PSiCP的势能面在密度泛函和从头算理论水平下进行计算。在B3LYP/6-311G(d)水平下,共得到8个异构体,它们由10个过渡态所连接。在QCISD/6-311G(d)水平下,3个异构体cSiPCP1,PSiCP7和SiCPP8具有较大的转变能垒,是动力... 详细信息

潜在的单重态星际分子PSiCP的势能面在密度泛函和从头算理论水平下进行计算。在B3LYP/6-311G(d)水平下,共得到8个异构体,它们由10个过渡态所连接。在QCISD/6-311G(d)水平下,3个异构体cSiPCP1,PSiCP7和SiCPP8具有较大的转变能垒,是动力学稳定的异构体。分析得到的3个异构体的结构性质和光谱学参数可为星际探测和制备这些异构体提供理论依据。

关键词：势能面 PSiCP 稳定性密度泛函理论研究

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聚硅烷传输性质的理论研究

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中国科学：化学 2010年第12期40卷 1896-1896页

作者：张桂玲袁洪亮张辉尚岩孙苗刘波李泽生哈尔滨理工大学化学与环境工程学院哈尔滨150080 吉林大学理论化学研究所理论化学计算国家重点实验室长春130023

近年来,聚硅烷导电高分子材料受到广泛重视,主要由于硅是公知的半导体,在电子工业上应用极广泛,另外硅是地球上贮量最丰富的元素,在寻找非碳功能材料时,聚硅烷自然是首选.聚硅烷的主链形成σ电子离域,通过掺杂能使这类材料的电导率在较... 详细信息

近年来,聚硅烷导电高分子材料受到广泛重视,主要由于硅是公知的半导体,在电子工业上应用极广泛,另外硅是地球上贮量最丰富的元素,在寻找非碳功能材料时,聚硅烷自然是首选.聚硅烷的主链形成σ电子离域,通过掺杂能使这类材料的电导率在较宽的范围内变化,从而赋予他们非常独特的光化学和光物理性质,可用作导体与半导体、光导体材料、以及非线性光学材料、光致抗蚀剂、电致发光装置中的发光二级管等,有可能成为方兴未艾的信息技术所必需的集成电子器件或集成光子器件中的关键材料之一.同π共轭体系相类似,聚硅烷体系也只有在掺杂引入载流子的情况下才能导电.相比之下,对依赖于σ共轭体系的导电机理研究很少.国际上关于这类高分子的理论研究还处在刚刚起步阶段,只有少部分的理论工作是关于未掺杂聚硅烷体系的基态几何和能带结构的分析,大多集中在σ电子离域的验证上.而对于掺杂聚硅烷的理论工作更是少见报道,仅有少量的关于掺杂对聚硅烷寡聚体极子的几何结构和激发能影响的理论工作.有关掺杂后聚硅烷的电子输运性能研究国内外更是未见文献报道,因此开展这方面的理论研究工作是很必要的.本文运用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,用ATK软件和Gaussian 03软件分别对未掺杂、电荷掺杂(Si12+)、B原子和P原子掺杂(Si5Bsi6和Si5PSi6)的四种聚硅烷寡聚体进行了传输性质的比较性理论研究.首先,为了更真实的模拟电场情况下的电子的性质,本文应用Gaussian程序在6-31+G(d)基组和BH&HLYP泛函下,分别在电场0.0,0.68×108,1.36×108,2.03×108,2.71×108,3.38×108和4.06×108V·m-1下对四种聚硅烷进行了几何结构优化,在优化的几何构型和相同的计算方法基础上进行了TDDFT激发态光谱的计算和自然键轨道NBO的计算.然后对优化后的聚硅烷在ATK程序下用Au(111)-(3×3)电极分别计算了偏压为0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0和1.2V下的电子输运性质.计算结果表明,电荷掺杂的聚硅烷Si12+和杂原子掺杂的聚硅烷(Si5BSi6和Si5PSi6)的传输性质有着明显的差异,得到了与实验相一致的结论.即电荷掺杂的聚硅烷由于电子传输通道被破坏,所以它的导电性很差,而Si5BSi6和Si5PSi6则表现出了很好的导电性能,并且杂原子掺杂的聚硅烷还表现出了NDR效应.我们通过传输谱图、MPSH图、激发态图谱、能带和共轭效应对上述现象进行了详细讨论.由此可见,B原子和P原子掺杂的聚硅烷可以作为电子器件的优良材料.

关键词：理论研究输运性质聚硅烷

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