检索结果-内蒙古大学图书馆

西安工业大学学报 2023年第3期43卷 268-276页

作者：南亚新坚佳莹董芃凡耿铭涛常芳娥西安工业大学陕西省光电功能材料与器件重点实验室西安710021 西安工业大学电子信息工程学院西安710021

为了提高光电探测器的光电特性,使其具有更宽的光谱响应范围以及实现对弱光信号的探测。文中以二氧化锡和升华硫为原料,采用化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了SnS_(2)薄膜,通过干法转移制备了SnS_(2)光电探测器,探究了其在不同波长、... 详细信息

为了提高光电探测器的光电特性,使其具有更宽的光谱响应范围以及实现对弱光信号的探测。文中以二氧化锡和升华硫为原料,采用化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备了SnS_(2)薄膜,通过干法转移制备了SnS_(2)光电探测器,探究了其在不同波长、光强、偏压条件下的光电特性。研究结果表明:制备出的SnS_(2)为20~30μm的不规则形状晶体;SnS_(2)光电探测器在250~850 nm波长范围内有不同程度的响应,在波长440 nm附近的响应最高。在520 nm波长的激光照射下,SnS_(2)光电探测器的光响应度和光探测率分别为42.52 mA·W^(-1)和1.83×1011 cm·Hz 1/2·W^(-1),上升时间和下降时间分别为37 ms和66 ms。由于SnS_(2)是一种环境友好型材料且具有较大的带隙,使其为设计下一代高性能光电探测器提供了参考。

关键词：二硫化锡化学气相沉积法光电探测器光电特性

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基于光栅结构的自由电子激光波荡器(特邀)

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光子学报 2022年第10期51卷 120-126页

作者：林宏翔魏晓慧廖天发王文辕杜娟杨明亮惠州学院电子信息与电气工程学院广东惠州516007 广东省电子功能材料与器件重点实验室广东惠州516007 广东省重离子加速器工程技术研究中心广东惠州516007 广东工业大学信息工程学院广州510006

波荡器是自由电子激光器的关键技术部件,目前常规的波荡器主要由磁体构成,利用磁场实现电子束偏转振荡,将电子束能量耦合至激光场。本文提出一种基于光栅表面电场的电波荡器机制,以发展自由电子激光器的小型化技术。阐述了该波荡器的基... 详细信息

波荡器是自由电子激光器的关键技术部件,目前常规的波荡器主要由磁体构成,利用磁场实现电子束偏转振荡,将电子束能量耦合至激光场。本文提出一种基于光栅表面电场的电波荡器机制,以发展自由电子激光器的小型化技术。阐述了该波荡器的基本原理及电子束在波荡器中的运动规律,推导了该方案下的自由电子激光波长及增益,对所采用的光栅表面电场进行二维仿真,并对电子束进行了跟踪仿真,计算了能量10 MeV电子束产生的激光增益为0.43,验证了基于光栅结构的微纳波荡器方案的可行性。

关键词：自由电子激光光栅波荡器电子束微纳技术

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基于近零介电常数超材料的液晶可调带通滤波器设计方法研究

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信息对抗技术 2023年第1期2卷 78-86页

作者：丁畅孟繁义王甲富韩亚娟富新民屈绍波空军工程大学基础部陕西西安710051 陕西省人工结构功能材料与器件重点实验室陕西西安710051 哈尔滨工业大学电子与信息工程学院黑龙江哈尔滨150001

可调带通滤波器是物联网、卫星通信、智能天线等系统中不可缺少的关键器件之一。针对目前对可调带通滤波器小型化、低成本和高集成度等特点的应用需求,提出了一种基于液晶材料的可调带通滤波器设计方法。通过微带传输线结构实现了近零... 详细信息

可调带通滤波器是物联网、卫星通信、智能天线等系统中不可缺少的关键器件之一。针对目前对可调带通滤波器小型化、低成本和高集成度等特点的应用需求,提出了一种基于液晶材料的可调带通滤波器设计方法。通过微带传输线结构实现了近零介电常数(epsilon near zero,ENZ)超材料单元结构的设计,并利用ENZ超材料的窄通道隧穿效应有效实现了窄带滤波功能,通过将3个ENZ超材料单元结构串联从而完成了带通滤波器基本结构的设计。在此基础上,将微波液晶材料引入ENZ超材料的隧穿通道中,利用液晶材料在外部驱动电压作用下介电参数可变的特性,最终实现了对带通滤波特性的有效调控。全波数值仿真结果表明,所提出的基于ENZ超材料的液晶带通滤波器能够实现中心频率15.88~16.73 GHz的调控,从而验证了设计方法的有效性。

关键词：可调带通滤波器近零介电常数超材料液晶

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单粒子效应的激光模拟方法研究进展

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材料导报 2021年第21期35卷 21195-21201页

作者：李彬李娜黄一凡王强张晓东兰州大学功能有机分子化学国家重点实验室兰州730000 兰州城市学院电子与信息工程学院兰州730070 哈尔滨工业大学空间环境材料行为与评价技术国家重点实验室哈尔滨150001

单粒子效应是一种会引起器件状态改变的辐射效应现象,会对器件性能、状态造成重大影响,甚至可能造成器件无法正常工作。本文介绍了目前各种单粒子效应的研究方法,重点综述了脉冲激光模拟研究的进展,汇总了近些年来国内外的代表性研究机... 详细信息

单粒子效应是一种会引起器件状态改变的辐射效应现象,会对器件性能、状态造成重大影响,甚至可能造成器件无法正常工作。本文介绍了目前各种单粒子效应的研究方法,重点综述了脉冲激光模拟研究的进展,汇总了近些年来国内外的代表性研究机构以及相应的测试装置参数,同时对脉冲激光诱导产生单粒子效应的机理、研究测试方法和代表性前沿器件研究的成果进行了概括,最后对脉冲激光模拟单粒子效应的方法、器件的研究方向等进行展望。

关键词：单粒子效应脉冲激光模拟辐射效应二维材料和器件

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导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 65-68页

作者：赵柯臣赵继文代兵张旭郭怀新孙华锐朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室哈尔滨150080 哈尔滨工业大学工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室深圳518055 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算... 详细信息

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算得到孔隙率约为9.88%,中间烧结银层等效热阻约为1.38×10^(-5)m^(2)·K/W。

关键词：低温烧结银芯片散热金刚石大尺寸连接

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超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究

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稀有金属 2022年第4期46卷 480-487页

作者：李昱东张兆浩闫江唐波张青竹罗军中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心北京100029 有研科技集团有限公司智能传感功能材料国家重点实验室北京100088 北方工业大学电子信息工程学院北京100144 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进... 详细信息

基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进技术节点器件上困难。针对超薄铁电薄膜面临的问题,本文首先探索了原子层沉积法(atomic layer deposition,ALD)制备Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜的工艺,发现沉积Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜厚度与ALD生长周期呈现良好的线性关系,其生长速率约为0.136 nm·cycle^(-1)。接着对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜的铁电性进行了表征,发现8 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜比4 nm和10 nm薄膜具有更大的晶粒和更强的铁电性,并且通过横向对比发现4 nm的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜依然具有较好的铁电性(2P_(r)=9.3μC·cm^(-2))。最后,将4 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜材料集成到n型超薄绝缘体上硅(extra-thin silicon on insulator,ETSOI)器件中,实现室温下的亚阈值摆幅(sub-threshold slop,SS)达到57.4 mV·dec^(-1),突破了玻尔兹曼限制(60 mV·dec^(-1)),为超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜材料以及负电容ETSOI器件研究和应用提供重要的技术基础。

关键词： Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2) 原子层沉积铁电超薄绝缘体上硅(ETSOI) 负电容低功耗

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锑化物Ⅱ类超晶格材料外延生长、结构及光学特性研究进展

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发光学报 2021年第2期42卷 165-186页

作者：刘胜达房丹方铉赵鸿滨李承林王登魁王东博王晓华马晓辉魏志鹏长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 香港中文大学(深圳)理工学院广东深圳518172 北京有色金属研究总院智能传感功能材料国家重点实验室北京100088 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院黑龙江哈尔滨150001

近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿... 详细信息

近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。

关键词：锑化物超晶格分子束外延少子寿命

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多铁性铁酸铋陶瓷研究进展

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现代技术陶瓷 2022年第3期43卷 151-172页

作者：李方喆柯华张洪军张利伟贾德昌周玉哈尔滨工业大学特种陶瓷研究所哈尔滨150080 先进结构功能一体化材料与绿色制造技术工业和信息化部重点实验室哈尔滨150001 哈尔滨工业大学仪器科学与工程学院哈尔滨150080 哈尔滨理工大学工程力学系哈尔滨150080

自上个世纪60年代发现铁酸铋(BiFeO_(3))钙钛矿具有铁电性以来,近些年借助于第一性原理计算,对其铁电性及磁性结构又有了新的认知,对多铁性的理解也进一步深化。不同于大多数BiFeO_(3)研究所关注的薄膜和异质结构,本文从陶瓷的角度简要... 详细信息

自上个世纪60年代发现铁酸铋(BiFeO_(3))钙钛矿具有铁电性以来,近些年借助于第一性原理计算,对其铁电性及磁性结构又有了新的认知,对多铁性的理解也进一步深化。不同于大多数BiFeO_(3)研究所关注的薄膜和异质结构,本文从陶瓷的角度简要回顾了BiFeO_(3)铁电性的发现历史,并从BiFeO_(3)的晶体结构,Bi_(2)O_(3)-Fe_(2)O_(3)二元相图与BiFeO_(3)陶瓷粉体、陶瓷的合成,BiFeO_(3)陶瓷的磁电耦合及应用等多个面较为详细地阐述了BiFeO_(3)陶瓷的最新研究进展;总结归纳了BiFeO_(3)陶瓷研究中急需解决的科学问题和未来的一些发展趋势。

关键词：多铁性铁酸铋晶体结构相图陶瓷制备磁电耦合

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聚集诱导发光

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化学进展 2022年第1期34卷 1-130页

作者：韩鹏博徐赫安众福蔡哲毅蔡政旭巢晖陈彪陈明陈禹池振国代淑婷丁丹董宇平高志远管伟江何自开胡晶晶胡蓉胡毅雄黄秋忆康苗苗李丹霞李济森李树珍李文朗李振林新霖刘骅莹刘佩颖娄筱叮吕超马东阁欧翰林欧阳娟彭谦钱骏秦安军屈佳敏石建兵帅志刚孙立和田锐田文晶佟斌汪辉亮王东王鹤王涛王晓王誉澄吴水珠夏帆谢育俊熊凯徐斌闫东鹏杨海波杨清正杨志涌袁丽珍袁望章臧双全曾钫曾嘉杰曾卓张国庆张晓燕张学鹏张艺张宇凡张志军赵娟赵征赵子豪赵祖金唐本忠华南理工大学材料科学与工程学院发光材料与器件国家重点实验室聚集诱导发光中心广东省分子聚集发光重点实验室广州510640 南京工业大学先进材料研究院南京211816 北京理工大学材料学院结构可控先进功能材料与绿色应用北京市重点实验室北京100081 中山大学化学学院生物无机与合成化学教育部重点实验室广州510006 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心合肥230026 暨南大学化学与材料学院广州510632 吉林大学化学学院超分子结构与材料国家重点实验室长春130012 南开大学生命科学学院药物化学与生物学国家重点实验室生物活性材料教育部重点实验室天津300071 北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室北京100029 哈尔滨工业大学(深圳)理学院深圳518055 中国地质大学(武汉)材料与化学学院生物地质与环境地质国家重点实验室武汉430074 华东师范大学化学与分子工程学院上海市绿色化学与化工过程绿色化重点实验室上海200062 深圳大学材料学院AIE研究中心深圳518055 北京师范大学化学学院能量转换与存储材料北京市重点实验室北京100875 天津大学分子聚集态科学研究院天津300192 武汉大学化学与分子科学学院武汉430072 中国科学院大学化学科学学院北京101804 浙江大学光电科学与工程学院现代光学仪器国家重点实验室先进光子学国际研究中心光及电磁波研究中心杭州310058 清华大学化学系北京100084 西北工业大学柔性电子研究院生物医学材料与工程研究所西安710072 香港中文大学(深圳)理工学院深圳分子聚集体科学与工程研究院深圳518172 北京师范大学化学学院放射性药物教育部重点实验室北京100875 上海交通大学化学化工学院变革性分子前沿科学中心上海市电气绝缘与热老化重点实验室上海200240 郑州大学化学学院绿色催化中心郑州450001 香港科技大学化学系中国香港

聚集诱导发光(AIE)是唐本忠院士于2001年提出的一个科学概念,是指一类在溶液中不发光或者发光微弱的分子聚集后发光显著增强的现象。高效固态发光的AIE材料有望从根本上解决有机发光材料面临的聚集导致发光猝灭难题,具有重大的实际应用... 详细信息

聚集诱导发光(AIE)是唐本忠院士于2001年提出的一个科学概念,是指一类在溶液中不发光或者发光微弱的分子聚集后发光显著增强的现象。高效固态发光的AIE材料有望从根本上解决有机发光材料面临的聚集导致发光猝灭难题,具有重大的实际应用价值。从分子内旋转受限到分子内运动受限,从聚集诱导发光到聚集体科学,AIE领域已经取得了许多原创性的成果。在本综述中,我们从AIE材料的分类、机理、概念衍生、性能、应用和挑战等方面讨论了AIE领域最近取得的显著进展。希望本综述能激发更多关于分子聚集体的研究,并推动材料、化学和生物医学等学科的进一步交叉融合和更大发展。

关键词：聚集诱导发光聚集体科学分子内运动受限

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铌合金表面包埋渗-微弧氧化高发射率NbSi2/Nb2O5-SiO2-MoSi2复合涂层制备与高温性能

铌合金表面包埋渗-微弧氧化高发射率NbSi2/Nb2O5-SiO2-MoSi2复合...

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第十四届中国包头·稀土产业论坛、中国稀土学会2022学术年会

作者：王钊王亚明王树棋邹永纯欧阳家虎贾德昌周玉哈尔滨工业大学材料科学与工程学院特种陶瓷研究所哈尔滨工业大学先进结构功能一体化材料与绿色制造技术工业和信息化部重点实验室

铌合金熔点高、密度适中,具有优异的高温力学性能,是高速飞行器金属热防护系统的重要候选材料,但铌合金发射率低、抗高温氧化性能差。通过单一硅化物涂层对提高抗氧化性能已达到瓶颈,而且单一硅化物涂层的发射率低,无法满足高温辐射热... 详细信息

铌合金熔点高、密度适中,具有优异的高温力学性能,是高速飞行器金属热防护系统的重要候选材料,但铌合金发射率低、抗高温氧化性能差。通过单一硅化物涂层对提高抗氧化性能已达到瓶颈,而且单一硅化物涂层的发射率低,无法满足高温辐射热防护的需求。本文提出采用包埋渗工艺在Nb521合金上制备NbSi抗氧化底层,然后通过微弧诱导MoSi粒子沉积烧结在NbSi底层生长NbO-SiO-MoSi外层,设计出兼具抗高温氧化-高发射率辐射热防护的多功能涂层。单一NbSi底层室温下发射率在0.4左右,复合陶瓷涂层通过多化学键合的匹配振动吸收显著提高发射率,NbSi/NbO-SiO涂层在3～8 μm和8～20 μm波段范围内的发射率分别提高到0.6和0.85,NbSi/NbO-SiO-MoSi涂层将3～20 μm波段的发射率提高到0.9左右（图1a）。高温(700 C)下复合涂层的发射率降低,但NbSi/NbO-SiO-MoSi复合涂层发射率仍高于0.8以上（图1b）。NbSi涂层氧化100 h后增重为13.408 mg/cm,氧化40 h后由于孔洞和NbO含量增多,氧化层厚度显著增加,防护能力下降;NbSi/NbO-SiO涂层100 h氧化增重为9.946 mg/cm,氧化后期由于NbO生长导致体积膨胀,内应力增加,表面发生大面积开裂,加剧涂层失效;NbSi/NbO-SiO-MoSi涂层含有大量的纳米MoSi颗粒以及非晶态SiO,提高了涂层抗氧化性,100 h氧化增重仅为5.71 mg/cm。在铌合金NbSi层表面通过微弧诱导MoSi粒子沉积烧结制备的NbSi/NbO-SiO/MoSi高发射率复合涂层,实现了高温抗氧化-高发射率辐射热防护双重功能。

关键词： Nb合金微弧氧化 MoSi2 发射率抗氧化性能

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