阐述了辉光放电光谱法(GDOES)在半导体材料及电子元器件领域、新能源材料领域、非导体材料领域的最新应用,介绍了GDOES在传统材料领域的新应用。GDOES可以直接固体进样、同时多元素、大动态范围的定性和定量分析,具有溅射速率快、多矩阵校准、适用于多种样品类型、运行成本低,具有高通量分析等优点,深度分析能力可以达到纳米级,可以对诸如H, O, C, N等轻元素进行分析,近年来在LED芯片、锂离子电池、太阳能光伏电池及微电子器件等半导体行业得到广泛应用。GDOE的剥蚀速率可达微米/分钟,反应快速,可以检测到电子轰击过程中的细微变化,提高材料成分测试精度,入射粒子能量较低,不会对材料的表面结构造成大的破坏,材料表面的均匀性可以得到准确的表征。此外GDOES的溅射坑可以用来进行X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)测试,为相关测试提供样品,可以为材料提供多重且互补的信息。结合GDOES分析存在横向解析元素分布的局限,介绍了有关GDOES的横向分析能力的研究进展,通过单色成像光谱仪、声光可调谐滤波器、推扫式高光谱成像仪等技术应用GDOES可以实现元素分布二维或三维绘图,对于化学异质性材料的研究具有推动作用,横向分析能力的提升将会是GDOES发展的重点方向。
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