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Poly-Si TFT理论模型的研究
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液晶与显示 1998年 第2期13卷 92-97页
作者： 张建军 吴春亚 孙钟林 南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了... 详细信息
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poly—Si TFT 制作工艺探索
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液晶与显示 1998年 第1期13卷 40-45页
作者： 张建军 吴春亚 李俊峰 周祯华 孟志国 赵颖 孙钟林 南开大学光电子所国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的... 详细信息
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7-HQ溶液的光谱特性
7-HQ溶液的光谱特性
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全国第10届分子光谱学术报告会
作者： 张桂兰 袁中香 赵春柳 汤国庆 陈文驹 南开大学现代光学研究所 国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
7羟基喹啉(7-HQ)分子中含有杂原子N和苯环7位上的羟基,由于N原子可作为质子受体,羟基为质子给体,可通过含羟基和羰基的溶剂使其发生质子转移。质子转移后生成酮式异构体,具有较稳定的基态(μs),可望成为实时光存储的优选材料。本文主要... 详细信息
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a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究
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光电子技术 1998年 第3期18卷 192-196页
作者： 吴春亚 张建军 李洪波 王庆章 王宗畔 赵颖 耿新华 孙钟林 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 天津300071 国家教委光学信息技术科学开放研究实验室
用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低... 详细信息
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