检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2023年第3期53卷 372-378页

作者：臧剑栋杨卫东李静张世莉刘军模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一款基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的12位4.5 GSPS D/A转换器。首先给出了低延迟高速率DAC设计对制造工艺器件参数的约束评估,设计采用了低延迟架构和CML逻辑。一种创新的输出模式架构突破了大多数DAC输出频谱sin(x)/x包络的极... 详细信息

介绍了一款基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的12位4.5 GSPS D/A转换器。首先给出了低延迟高速率DAC设计对制造工艺器件参数的约束评估,设计采用了低延迟架构和CML逻辑。一种创新的输出模式架构突破了大多数DAC输出频谱sin(x)/x包络的极限,有效扩展了DAC的线性度。同时,该架构减小了关节节点的寄生电容和电感,扩展DAC可用模拟输出带宽至5.9 GHz,该DAC芯片流片测试结果显示其转换速率达到了4.5 GHz,延迟时间少于3.5个时钟周期,转换器在时钟频率4.5 GHz,输出模拟信号频率4.455 GHz时,SFDR达到57 dBc。

关键词： D/A转换器 CML逻辑 SiGe工艺低延迟

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镀Ni管壳侧壁硅橡胶粘接开裂机理研究

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微电子学 2023年第5期53卷 938-944页

作者：陈容肖玲陆科罗驰廖希异胡彦斌张颖崔伟模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况,包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂,以及经历随机振动等可靠性试验后开裂,这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题,... 详细信息

A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况,包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂,以及经历随机振动等可靠性试验后开裂,这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题,进行了引线粘接极限破坏力理论计算、不同胶点直径和粘胶间距的仿真,以及等离子清洗提升表面能等研究。研究结果表明,优化引线粘接结构并对镀Ni管壳进行等离子体清洗可以明显提升A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁粘接的可靠性。相关研究结果可以用于A型号硅橡胶实际生产。

关键词：硅橡胶镀Ni管壳表面能开裂

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超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究

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微电子学 2023年第1期53卷 139-145页

作者：杨洪张正元陈仙易孝辉陈文锁重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 重庆大学电气工程学院输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室重庆400044

基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸... 详细信息

基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV。漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.13295,NMOS拉伸时系数为0.00601。PMOS拉伸时系数为-0.10447,PMOS压缩时系数为-0.1107。电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为1×10^(19),2×10^(19),3×10^(19),4×10^(19),5×10^(19)时,系数分别为247,498,766,1016,1301。电容最大变化值和初始值不超过0.5%,结论归纳为无失配影响。这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础。

关键词：超薄柔性硅基弯曲器件模型

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低时延CORDIC算法计算平方根电路设计研究

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湖南大学学报（自然科学版） 2022年第2期49卷 111-116页

作者：侯强彭玉龙王育新付东兵中国地质大学机械与电子信息学院湖北武汉430074 中国电子科技集团公司第24研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

开平方运算广泛应用于数值分析、调制解调、图像处理等领域,而应用坐标旋转数字计算(Coordinate Rotation Digital Computer,CORDIC)进行平方根运算是一种新应用.基本CORDIC算法精度必须用迭代次数作保证,而较多的迭代次数会导致时延过... 详细信息

开平方运算广泛应用于数值分析、调制解调、图像处理等领域,而应用坐标旋转数字计算(Coordinate Rotation Digital Computer,CORDIC)进行平方根运算是一种新应用.基本CORDIC算法精度必须用迭代次数作保证,而较多的迭代次数会导致时延过大等问题,通过运用建立查找表、单向旋转、合并迭代和免除补偿因子等手段,提出一种能够免去大部分迭代运算的改进CORDIC算法用于平方根计算.相较于基本算法计算平方根,该改进算法使用了一半的时钟周期便能得到输出结果,大大减少了输出时延,而且可以达到较高的计算精度,更加适合实时性要求高的应用场合.

关键词：坐标旋转数字计算平方根计算单向旋转合并迭代数字计算机

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压电复合薄膜的SAW器件杂波抑制及仿真方法

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压电与声光 2024年第4期46卷 447-452,457页

作者：王吉芳陈平静曹稚颖潘虹芝董加和肖强吴浩东陈正林马晋毅中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 南京大学物理学院声学研究所江苏南京210093

针对任意复杂膜系结构压电复合薄膜声表面波(SAW)器件横向杂波抑制及精确快速仿真方法,从数学上严格分析推导了有限长结构分层级联理论和色散2D-COM模型,可精确快速地计算压电复合薄膜SAW器件传播方向及孔径方向结构对杂波模式的影响,... 详细信息

针对任意复杂膜系结构压电复合薄膜声表面波(SAW)器件横向杂波抑制及精确快速仿真方法,从数学上严格分析推导了有限长结构分层级联理论和色散2D-COM模型,可精确快速地计算压电复合薄膜SAW器件传播方向及孔径方向结构对杂波模式的影响,并通过色散2D-COM模型对SAW器件杂波抑制进行综合分析。通过对41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW谐振器的优化设计与研制,结果表明,设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。

关键词：压电复合薄膜 SAW器件杂波抑制分层级联 2D-COM模型

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声表面波滤波器温度敏感性仿真研究

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压电与声光 2024年第3期46卷 310-314页

作者：王吉芳郑露陈平静潘虹芝杜雪松董加和陆川陈正林吴浩东马晋毅中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 重庆医药高等专科学校重庆401131 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 南京大学声学科学与工程系教育部近代声学重点实验室江苏南京210093

针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复... 详细信息

针对不同温度场情况下任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的声表面波(SAW)滤波器的温度敏感性精确计算问题,首先将温度场以热应力、热应变的方式耦合声/电本征方程并考虑封装模型的电磁因素,再结合分层级联算法和全波仿真技术,计算任意复杂膜系结构和电路拓扑结构的SAW滤波器的温度敏感性,实现不同温度作用下SAW滤波器频率响应曲线、频率温度系数(TCF)值、损耗、带宽及带外抑制等性能的综合分析。通过41°Y-X LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si_poly/Si(111)复合衬底SAW滤波器的优化设计与研制,其设计优化结果与实验结果吻合较好,验证了该方法的有效性和可行性。

关键词：温度敏感性声表面波(SAW)滤波器分层级联全波仿真

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混合模式电应力损伤对SiGe HBT器件1/f噪声特性的影响研究

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微电子学 2022年第5期52卷 905-909页

作者：马羽唐新悦罗婷易孝辉张培健中电科技集团重庆声光电有限公司重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO_(2)界面产生界面态缺陷P_(b),导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬... 详细信息

研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO_(2)界面产生界面态缺陷P_(b),导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬挂键的钝化作用引起中等注入区基极电流减小,导致电流增益增强。混合模式损伤缺陷位于硅禁带宽度内本征费米能级附近,虽然使基区SRH复合电流增加,却不会改变器件的低频噪声特性。

关键词： 1/f噪声 SiGe HBT 热载流子界面态混合模式损伤

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C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备

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压电与声光 2024年第3期46卷 285-289页

作者：吴高米马晋毅李尚志司美菊唐小龙蒋世义江洪敏张祖伟中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家级重点实验室重庆401332 中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332

针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体... 详细信息

针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR)的结构设计、参数优化和制备方法,并进行了工艺验证。通过剥离和刻蚀等步骤制备了谐振频率4.464 GHz、品质因数3039、品质因数与频率之积(f×Q)达到1.56×10^(13)GHz、面积小于0.12 mm^(2)的低杂波XBAR谐振器,并仿真分析了其用于射频滤波器的可行性。该研究为进一步研制多频率、高集成的小型化XBAR滤波器组件提供了有效的设计技术和工艺技术支撑。

关键词：压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率高集成

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一种环形栅LDMOS器件的宏模型

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微电子学 2023年第3期53卷 500-505页

作者：韩卫敏刘娇王磊洪敏朱坤峰张广胜中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 重庆中科渝芯电子有限公司重庆401332 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模... 详细信息

提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模型。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型提取与验证。结果表明,建立的宏模型具有较强的几何尺寸缩放功能,对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度,并且模型能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。

关键词：环形栅 LDMOS 宏模型 BCD工艺

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一种符合JESD204C协议的并行FEC译码器

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微电子学 2023年第1期53卷 50-54页

作者：赵文飞王永禄陈刚重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

基于JESD204C协议,设计了一种适用于64B/66B链路层的并行FEC译码器。该电路采用64位并行处理方案,降低了电路对时钟频率的要求。针对协议使用的缩短(2074,2048)二进制循环码,设计了快速旋转电路,降低了电路设计的复杂度。使用Modelsim... 详细信息

基于JESD204C协议,设计了一种适用于64B/66B链路层的并行FEC译码器。该电路采用64位并行处理方案,降低了电路对时钟频率的要求。针对协议使用的缩短(2074,2048)二进制循环码,设计了快速旋转电路,降低了电路设计的复杂度。使用Modelsim软件完成了功能验证,结果表明,译码器能够完成数据收发、纠错和报错等功能。采用了TSMC 65 nm标准数字工艺库,在Design Compiler平台上完成了逻辑综合,报告显示,译码器电路工作频率为500 MHz时,时间裕度为0.10 ns,单通道数据处理速度可达32 Gbit/s。

关键词： JESD204C 并行设计 FEC译码器缩短循环码 64B/66B链路层

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