检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2022年第3期52卷 339-350页

作者：王颖赖凡中电科技集团重庆声光电有限公司重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

我们所处的物理世界是模拟的。在现代信息与通信技术(ICT)、计算系统中,模拟电子的作用包括物理世界感应与交互、计算、控制、数据转换、通信、供电和测量等环节。以模拟集成电路为主体的模拟微电子器件是当今几乎所有以数字为中心的系... 详细信息

我们所处的物理世界是模拟的。在现代信息与通信技术(ICT)、计算系统中,模拟电子的作用包括物理世界感应与交互、计算、控制、数据转换、通信、供电和测量等环节。以模拟集成电路为主体的模拟微电子器件是当今几乎所有以数字为中心的系统中的关键组件,对未来信息技术的发展至关重要。为了实现以5G、6G通信为代表的新一代ICT、工业4.0、物联网等信息社会的基础设施建设目标,其首要和必要条件是通过模拟硬件取得根本性突破,实现物理世界与机器交互的智能感知、认知和处理。为此要求模拟电子器件技术在无线信号链集成电路、计算范式与架构、高精度感知控制,以及模拟微电子技术的设计、工艺和封装测试技术、特定应用等方面开展研究,解决诸如计算范式与架构创新、压缩感知、新架构创新所需的工艺技术、毫米波和太赫兹等高频段集成电路开发所带来的各种挑战。文章从无线信号链集成电路、边缘机器学习中的模拟技术、高精度感知与控制、重要工艺创新等方面探讨了模拟微电子及应用技术前沿的最近研究进展,显示了未来模拟电子技术的关键发展趋势。

关键词：模拟微电子毫米波和太赫兹集成电路边缘计算神经形态智能传感器异构集成

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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的12位1.6 GS/s折叠插值A/D转换器

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微电子学 2022年第2期52卷 301-305页

作者：邹沛哲王永禄易周重庆邮电大学光电学院重庆400065 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

提出了一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的高速、高精度折叠插值A/D转换器。采用基于SEF开关的新型采样/保持电路,固定保持阶段电压,实现了高速、高精度、高线性度的信号采样。采用带有射极跟随器的折叠放大器,构成平均折叠和环形插值... 详细信息

提出了一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的高速、高精度折叠插值A/D转换器。采用基于SEF开关的新型采样/保持电路,固定保持阶段电压,实现了高速、高精度、高线性度的信号采样。采用带有射极跟随器的折叠放大器,构成平均折叠和环形插值的四级级联结构,减少了比较器数目,降低了建立时间和整体功耗。采用新型两级比较器,将模拟与数字信号进行隔离,优化了回踢噪声。使用小尺寸晶体管,减小了再生时间。在3.3/5 V电源和0.13μm SiGe BiCMOS工艺下,该折叠插值A/D转换器实现了1.6 GS/s的采样率,SFDR为71.3 dB,SNDR为63.6 dB,ENOB为10.27 bit。

关键词：采样/保持电路折叠放大器比较器折叠和插值ADC 高速

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一种新型的高速驱动电路

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微电子学 2022年第5期52卷 873-878页

作者：刘勇李林崔伟孙士重庆电子工程职业学院重庆401331 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆401332

采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种分段式马赫-曾德尔调制器(MZM)高速驱动电路。驱动电路输入级中,采用容性负反馈来提高带宽,采用共模反馈来稳定共模输出电平,并通过共模反馈实现了可变增益。输出级中,采用负密勒电容、T-coil和... 详细信息

采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种分段式马赫-曾德尔调制器(MZM)高速驱动电路。驱动电路输入级中,采用容性负反馈来提高带宽,采用共模反馈来稳定共模输出电平,并通过共模反馈实现了可变增益。输出级中,采用负密勒电容、T-coil和电感峰化技术来提高带宽。输出级之间的延迟时间由微带线产生,提出了一种微带线的设计方法。仿真结果表明,驱动电路的最高工作速率可达50 Gbit/s,输出VPP可达3 V,相邻输出级之间的延迟时间为4.9 ps。该驱动电路能较好地适用于分段式MZM。

关键词：分段式MZM 驱动电路微带线延迟时间模拟集成电路

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一种高线性度超宽带采样/保持电路

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微电子学 2022年第2期52卷 283-288页

作者：梁宏玉王妍李儒章重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

设计了一种桥式并-串联级联结构的高线性度、超宽带采样/保持电路。该采样/保持电路包括输入缓冲器、辅助开关和SEF开关三个单元。采用桥式并-串联级联结构改进的辅助开关模块单元,大幅提高了电路的线性度和带宽。该采样保持电路基于0.1... 详细信息

设计了一种桥式并-串联级联结构的高线性度、超宽带采样/保持电路。该采样/保持电路包括输入缓冲器、辅助开关和SEF开关三个单元。采用桥式并-串联级联结构改进的辅助开关模块单元,大幅提高了电路的线性度和带宽。该采样保持电路基于0.13μm SiGe双极型工艺进行设计,-4.75 V和2 V双电源电压供电。仿真结果表明,在100 fF采样电容、6.25 GHz采样频率、10.28 GHz输入频率的条件下,SFDR为69.60 dB,THD为-65.25 dB,-3 dB带宽达35.43 GHz。

关键词：采样/保持电路桥式并-串联级联结构辅助开关高线性度

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先进MOSFET中1/f噪声研究进展

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微电子学 2021年第3期51卷 390-398页

作者：马婷任芳夏世琴廖希异张培健中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOS... 详细信息

全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。

关键词： 1/f噪声 MOSFET 高k介质热载流子辐照损伤

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一种跟踪温度的电流源失配前台校准技术

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微电子学 2022年第6期52卷 921-926页

作者：杨卫东刘军刘彦彤马世碧温显超模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 合肥工业大学仪器科学与光电工程学院合肥230009

提出了一种应用于超高速D/A转换器电流源失配的前台校准技术。设计了两个校准子DAC,其分别提供的校准电流用以补偿电流源失配的两大组成部分,每一个校准DAC具有与其对应的失配部分同样的温度特性。因此,总校准电流可以自动跟踪温度的变... 详细信息

提出了一种应用于超高速D/A转换器电流源失配的前台校准技术。设计了两个校准子DAC,其分别提供的校准电流用以补偿电流源失配的两大组成部分,每一个校准DAC具有与其对应的失配部分同样的温度特性。因此,总校准电流可以自动跟踪温度的变化。两个校准子DAC采用两个不同的偏置电流替代不同的温度,再经设计的校准算法获得校准数码。该校准方案可有效减少校准时间,提升前台校准的温度稳定性。基于标准65 nm CMOS工艺设计的16位12 GS/s电流舵D/A转换器验证了这项前台校准技术。测试结果表明,模拟输出为1 GHz时,该DAC的SFDR达到65 dBc;通过校准后,在-55℃~125℃范围内,DNL的变化率小于8%,INL的变化率小于5%。相比其他同类校准技术,该校准技术能获得更好的温度稳定性。

关键词：电流舵DAC 前台校准跟踪温度

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模拟电子技术发展的新趋势

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微电子学 2021年第6期51卷 773-777页

作者：于晓权赖凡付晓君中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分。文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构... 详细信息

半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分。文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构、高能量效率、整体协同开发平台等方面的几大主要技术发展趋势。讨论了模拟电子技术在晶体管、电路、模拟学习架构、先进工艺技术等基础层面以及通信领域中的重要研究方向。该综述研究显示了未来十年模拟电子关键技术的发展轮廓。

关键词：模拟电子半导体信息和通信技术智能化感知和执行模拟生物启发学习模拟ML架构能量效率硅突触晶体管太赫兹CMOS晶体管 FPAA 神经形态ADC/DAC 异构集成整体协同开发

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DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究

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微电子学 2021年第6期51卷 929-932页

作者：邱盛夏世琴邓丽张培健中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构... 详细信息

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一。研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射极结构对器件直流和低频噪声性能的影响。实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素。

关键词： 1/f噪声双极器件界面氧化层

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强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究

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微电子学 2021年第1期51卷 112-115,120页

作者：刘玉奎殷万军谭开洲崔伟中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电... 详细信息

采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流I_(DT)是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值V_(GS)0,它会呈现I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对I_(DT)-V_(GS)微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。

关键词：微分负阻碰撞电离 MOS-Bipolar复合模式静电释放

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基于CQFP64封装的Ω型引线成形研究

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微电子学 2021年第5期51卷 751-755页

作者：易文双马敏舒付晓君中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

引线成形技术是高可靠性电子元器件适应热循环、振动等恶劣环境的有效手段。基于典型大尺寸CQFP64封装及有限元方法,文章开展了“Ω”型引线成形研究。在热循环条件下,分析成形参数对封装引线和焊料等效应力的影响规律,进而提出较优的... 详细信息

引线成形技术是高可靠性电子元器件适应热循环、振动等恶劣环境的有效手段。基于典型大尺寸CQFP64封装及有限元方法,文章开展了“Ω”型引线成形研究。在热循环条件下,分析成形参数对封装引线和焊料等效应力的影响规律,进而提出较优的成形参数组合并进行对应的焊点疲劳寿命预计。结果表明,“Ω”型引线成形对温度应力的释放能力较“Z”型引线成形更弱,但仍能满足使用要求。

关键词： CQFP64 引线成形有限元方法热循环疲劳寿命

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