检索结果-内蒙古大学图书馆

仪表技术与传感器 2022年第7期 23-27,33页

作者：余远昱王久江张双刘鑫徐晶李尧内江师范学院人工智能学院四川内江641100 电子科技大学生命科学与技术学院四川成都611731 澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室中国澳门999078 澳门大学科技学院电机与电脑工程系中国澳门999078

电容式微机械超声换能器(CMUT)是一种新型超声换能器,具有高带宽、易与前端放大电路集成等优点,CMUT通过输出微弱的变化电流实现超声波回波检测。根据CMUT工作在发射与接收模式的特点,设计了一种具有发射开关保护功能和跨阻放大器的脉... 详细信息

电容式微机械超声换能器(CMUT)是一种新型超声换能器,具有高带宽、易与前端放大电路集成等优点,CMUT通过输出微弱的变化电流实现超声波回波检测。根据CMUT工作在发射与接收模式的特点,设计了一种具有发射开关保护功能和跨阻放大器的脉冲回波接收电路。波特图测量表明该电路的最大增益为39 dB,-3 dB带宽为24.2 MHz,涵盖了医学与工业超声检测常用的频率范围。分别对5.8 MHz和9.4 MHz的CMUT进行脉冲回波实验测试,测试结果表明:在CMUT发射模式下,该电路能够防止高压发射脉冲损坏后级的跨阻放大器电路;在CMUT接收模式下,该电路能够有效地将微弱电流信号转化为电压信号并进行放大。因此该电路能够用于CMUT的脉冲回波信号处理。

关键词：电容式微机械超声换能器微弱电流检测跨阻放大器脉冲回波超声回波接收高带宽

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采用采样开关线性增强技术的12位100MS/s SAR ADC

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微电子学 2020年第5期50卷 653-658页

作者：戴永红徐代果蒲杰徐世六张建平张俊安王健安中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻... 详细信息

提出了一种采用采样开关线性增强技术的12位100 Ms/s SAR模数转换器(ADC)。首先采用了一种基片浮动技术,随着输入信号的变化,采样开关的寄生电容变化减小,总寄生电容降低。其次采用了一种采样开关基片升压技术,降低了采样开关的导通阻抗。最后,采用40 nm CMOS工艺制作了一种12位100 MS/s SAR ADC。测试结果表明,在电源电压1 V下,该ADC的SNDR为64.9 dB,SFDR为83.2 dB,消耗功率为2 mW。该ADC的核心电路尺寸为0.14μm×0.14μm。FoM值为13.8 fJ/(conv·step)@Nyquist频率。

关键词：模数转换器线性增强采样开关逐次逼近寄存器

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一种全MOS高精度基准电压源电路

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微电子学 2021年第5期51卷 627-631页

作者：徐全坤李儒章王忠焰杨潇雨肖渝重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进... 详细信息

基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进行仿真。结果表明,当温度范围为-40℃~125℃时,基准电压为1.146V,温度系数为1.025×10^(-5)℃^(-1)。在27℃时,静态电流为6.57μA,PSRR分别为-96.64dB@100Hz、-93.94dB@10kHz。电源电压在2.9~5V范围变化时,基准电压的线性调整度为0.047%。该电路适用于低功耗、高精度的模拟集成电路。

关键词：高精度基准高电源抑制比低功耗预稳压电路

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一种硅基选择性外延生长的锗波导光探测器

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微电子学 2020年第6期50卷 835-838页

作者：刘嵘侃张静陈仙徐炀中电科技集团重庆声光电有限公司重庆400060 联合微电子中心有限公司重庆401332 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

制作了一种硅接触侧向PIN型Ge波导光探测器,叙述了Si基选择性Ge外延层的制作流程,介绍了Ge波导光控测器的整体结构及制作流程。对该Ge波导光探测器的响应度、暗电流、带宽等参数进行了测试。结果表明,该Ge波导光探测器在-1 V偏压下的暗... 详细信息

制作了一种硅接触侧向PIN型Ge波导光探测器,叙述了Si基选择性Ge外延层的制作流程,介绍了Ge波导光控测器的整体结构及制作流程。对该Ge波导光探测器的响应度、暗电流、带宽等参数进行了测试。结果表明,该Ge波导光探测器在-1 V偏压下的暗电流为8.3 nA,在1 550 nm处的响应度为0.85 A/W,3 dB带宽为29 GHz。

关键词：选择性外延 Ge波导探测器暗电流

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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展

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太赫兹科学与电子信息学报 2022年第6期20卷 523-534页

作者：李培贺朝会郭红霞张晋新魏佳男刘默寒西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049 西北核技术研究院陕西西安710024 西安电子科技大学空间科学与技术学院陕西西安710126 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011

异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 详细信息

异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。

关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应总剂量效应低剂量率辐射损伤增强效应电离总剂量/单粒子效应协同效应电离总剂量/位移损伤协同效应

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埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

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微电子学 2020年第5期50卷 755-760页

作者：蔡浩张霞王斌谭开洲重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两... 详细信息

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-3A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10^-4A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。

关键词：静电感应晶体管垂直双扩散MOSFET 单粒子烧毁效应 Medici

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瞬态电子技术发展现状

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微电子学 2020年第4期50卷 555-563页

作者：肖渝张正元廖希异重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

瞬态电子器件是一种在使用阶段稳定运行、在特定条件下触发实现自动销毁或降解的新型先进电子器件。瞬态电子技术作为构建绿色电子和生物医学设备的基础,近年来受到越来越多的关注。文章介绍了瞬态电子器件的材料、加工工艺、触发机制... 详细信息

瞬态电子器件是一种在使用阶段稳定运行、在特定条件下触发实现自动销毁或降解的新型先进电子器件。瞬态电子技术作为构建绿色电子和生物医学设备的基础,近年来受到越来越多的关注。文章介绍了瞬态电子器件的材料、加工工艺、触发机制和重要瞬态器件,对瞬态电子领域的未来发展趋势作出了展望。

关键词：瞬态电子技术可降解材料加工工艺触发机制

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基于JESD204B协议支持大/小端模式的加扰器

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微电子学 2019年第5期49卷 637-642页

作者：姚佳蒲杰何基吴燕青重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

设计了一种基于JESD204B协议、支持大/小端模式且具有旁路能力的四字节并行加扰器。在并行加扰/解扰原理的基础上,采用四字节并行处理技术,加快了扰码的产生效率。该加扰器支持大/小端模式,根据不同需求可自行选择不同模式。采用Verilog... 详细信息

设计了一种基于JESD204B协议、支持大/小端模式且具有旁路能力的四字节并行加扰器。在并行加扰/解扰原理的基础上,采用四字节并行处理技术,加快了扰码的产生效率。该加扰器支持大/小端模式,根据不同需求可自行选择不同模式。采用Verilog HDL语言对电路进行设计,利用Modelsim进行功能仿真,在Quartus II软件上进行实现。该加扰器可直接移植到基于JESD204B协议的收发器。

关键词： JESD204B协议大/小端模式加扰器

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一种12位2 GS/s BiCMOS采样保持电路

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微电子学 2019年第3期49卷 326-330页

作者：孙伟王永禄杨鑫何基重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

基于130 nm BiCMOS工艺,设计了一种12位高速采样保持电路,对电路的主要性能进行了分析。电路采用差分结构,采样开关是开环交换射极跟随开关。在输入信号范围内,缓冲器的线性度较高。采用Cadence Spectre软件进行仿真。结果表明,当采样率... 详细信息

基于130 nm BiCMOS工艺,设计了一种12位高速采样保持电路,对电路的主要性能进行了分析。电路采用差分结构,采样开关是开环交换射极跟随开关。在输入信号范围内,缓冲器的线性度较高。采用Cadence Spectre软件进行仿真。结果表明,当采样率为2 GS/s,模拟输入差分信号为992 MHz频率、0.5Vpp幅度的正弦波时,SFDR达75.11 dB,SNDR达73.82 dB,电路功耗仅为98 mW,满足了12位采样保持的要求。

关键词：采样保持电路 SiGe BiCMOS工艺射极跟随开关

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牺牲层释放工艺CMUT电容值精确计算方法

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山西电子技术 2022年第6期 21-23页

作者：王久江刘成业余远昱李尧刘鑫内江师范学院人工智能学院四川内江641100 内江市神经疾病信息干扰工程技术研究中心内江师范学院四川内江641100 澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室中国澳门999078 澳门大学科技学院电机与电脑工程系中国澳门999078

为了精确计算牺牲层释放工艺制造的容性微机械超声传感器(CMUT)的电容值,本文考虑了这类器件支撑壁会在外力作用下发生变形,将器件的薄膜形变控制方程对应的边界条件设置成弹性边界条件,才可以精确计算薄膜形变,进而可以精确计算CMUT电... 详细信息

为了精确计算牺牲层释放工艺制造的容性微机械超声传感器(CMUT)的电容值,本文考虑了这类器件支撑壁会在外力作用下发生变形,将器件的薄膜形变控制方程对应的边界条件设置成弹性边界条件,才可以精确计算薄膜形变,进而可以精确计算CMUT电容。制造过程中设计了对照器件可以用于去掉寄生电容影响。实验结果证明了弹性边界条件的结果更加准确。

关键词：电容性微机械超声传感器电容参考器件弹性边界条件解析解模型牺牲层释放工艺

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