低对称性二维材料是一类晶格对称操作少,纵向仅有原子级厚度的新型纳米材料。在二维过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)体系中,1T’-MoTe_(2)、1T’-WTe_(2)、1T’-ReS_(2)和1T’-ReSe_(2)是典型低对称性成员...
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低对称性二维材料是一类晶格对称操作少,纵向仅有原子级厚度的新型纳米材料。在二维过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)体系中,1T’-MoTe_(2)、1T’-WTe_(2)、1T’-ReS_(2)和1T’-ReSe_(2)是典型低对称性成员。独特的晶格对称性为它们带来了丰富的各向异性理化性质,因而在微纳光子学、触觉传感器、各向异性逻辑器件等领域具有特殊应用前景。低对称性二维TMDs材料的基础研究和应用开发依赖于对这类材料的高质量、大尺寸、稳定制备。本文以这4类材料为典型,首先按金属前驱体进行分类,综述了近年来有关低对称性二维TMDs材料的化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)制备方法;其次,针对制备过程中1T’-MoTe_(2)容易发生相转变,1T’-ReS_(2)、1T’-ReSe_(2)与基底间相互作用力弱等特点,介绍了1T’-MoTe_(2)制备过程中的相调控机制,以及1T’-ReS_(2)、1T’-ReSe_(2)制备过程中的基底工程研究;最后,本文对低对称性二维TMDs材料未来的挑战与机遇进行了展望。
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