检索结果-内蒙古大学图书馆

2017年全国微波毫米波会议

作者：金贵祥闫娜复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功... 详细信息

随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功率为15d Bm,峰值功率附加效率为14.1%,1d B压缩点输出功率为11.7d Bm。

关键词：毫米波 77GHz 功率放大器

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基于微泡母小波变化的超声造影成像方法

基于微泡母小波变化的超声造影成像方法

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2017中国生物医学工程大会

作者：黄玉蓉余锦华汪源源李书应复旦大学复旦大学上海专用集成电路与系统国家重点实验室

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动态随机存储器器件研究进展

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 36-45页

作者：吴俊姚尧卢细裙王鹏飞复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 详细信息

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量.

关键词：动态随机存储器短沟道效应掩埋字线阵列访问晶体管存储电容

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基于P型功率管电流采样和自适应参考电压的Buck型充电器设计

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固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 324-331页

作者：郭旭张宏广洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

介绍了一种具有高效率、开关频率为2 MHz的Buck型锂电池充电器,它的工作过程分为启动、小恒定电流充电、大恒定电流充电、恒定电压控制和结束五个阶段。在恒流充电阶段,通过对P型功率管电流的采样和采用自适应参考电压,可以对充电电流... 详细信息

介绍了一种具有高效率、开关频率为2 MHz的Buck型锂电池充电器,它的工作过程分为启动、小恒定电流充电、大恒定电流充电、恒定电压控制和结束五个阶段。在恒流充电阶段,通过对P型功率管电流的采样和采用自适应参考电压,可以对充电电流的平均值进行控制,使得充电电流恒定,不受电池电压升高的影响。在恒压控制阶段,附加一条电压反馈回路,使得恒流阶段到恒压阶段的转换平滑。本设计用2P4M 350nm CMOS工艺实现,芯片面积2.8mm2。测试结果表明,芯片实现了充电的完整过程,其充电峰值效率为91%。

关键词： P型功率管电流采样自适应参考电压恒定电流恒定电压

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基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作

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传感器与微系统 2018年第7期37卷 63-65,69页

作者：刘嘉王续博徐卫疆周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 法国国家科研中心电子微电子与纳米技术研究所UMR CNRS 8520 瓦朗谢纳埃诺-坎布雷斯大学声光电子学部法国F-59313

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 详细信息

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%。

关键词：超声传感器高频锆钛酸铅厚膜压电材料

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基于Amdahl定律的多核密码处理器性能模型研究

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电子与信息学报 2016年第4期38卷 827-833页

作者：冯晓戴紫彬李伟蔡路亭解放军信息工程大学郑州450000 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

该文构建面向密码应用的多核处理器性能模型,对多核密码处理器设计提供理论支持和有效建议。通过引入密码并行处理特征、数据传输时间、同步时间等因素,建立基于Amdahl定律扩展的多核密码处理器性能模型,基于提出的性能模型,对多核密码... 详细信息

该文构建面向密码应用的多核处理器性能模型,对多核密码处理器设计提供理论支持和有效建议。通过引入密码并行处理特征、数据传输时间、同步时间等因素,建立基于Amdahl定律扩展的多核密码处理器性能模型,基于提出的性能模型,对多核密码处理器设计空间进行搜索。模拟分析表明,影响多核密码处理器性能的关键因素是密码应用的可开发并行度、并行部分所占比例以及运算过程的通信次数。

关键词：密码处理器多核处理器 Amdahl定律性能模型通信/计算比

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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化

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强激光与粒子束 2017年第7期29卷 73-77页

作者：李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 中国科学院上海应用物理研究所上海201800 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 详细信息

针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。

关键词： HSQ 深反应离子刻蚀硅纳米柱高宽比硬X射线

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一种基于叠层电感的25Gb/s 30dB限幅放大器

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复旦学报（自然科学版） 2016年第5期55卷 660-667,676页

作者：郭辉祁楠王忠凯白睿洪志良姜培 CHIANG Patrick Yin 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出一种采用叠层电感(Stacked Inductor)的25Gb/s 30dB的限幅放大器(Limiting Amplifier,LA),相对于传统限幅放大器,该放大器面积更小.改进的Cherry-Hooper放大器能够解决增益和电压余度(Voltage Headroom)之间的折中问题,因此具有3级... 详细信息

提出一种采用叠层电感(Stacked Inductor)的25Gb/s 30dB的限幅放大器(Limiting Amplifier,LA),相对于传统限幅放大器,该放大器面积更小.改进的Cherry-Hooper放大器能够解决增益和电压余度(Voltage Headroom)之间的折中问题,因此具有3级级联的该放大器组成了本电路的核心增益级.直流失调消除电路由低通滤波器和放大器组成,同时利用密勒效应实现电容倍增从而节约电容面积.为了在印刷电路板上单独测试LA,将连续时间均衡器以及具有前馈均衡的输出驱动器都集成在本芯片上.该设计采用TSMC 65nm工艺进行流片验证,测试结果表明3dB带宽达到17.5GHz,增益为29.0dB;在电源电压为1.1V的情况下,核心增益级功耗为25.3mW,占用0.072mm2面积.

关键词：叠层电感限幅放大器带宽拓展技术直流失调消除

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一种基于Edwards椭圆曲线的RFID标签芯片加密处理器设计

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复旦学报（自然科学版） 2016年第6期55卷 790-798页

作者：吴诚王俊宇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文提出了一款基于二进制Edwards椭圆曲线的高能效椭圆曲线加密处理器.该处理器采用163位密钥,被设计用于无源射频识别(RFID)标签.为了保证椭圆曲线加密(ECC)处理器运算的安全性,处理器使用了二进制Edwards曲线作为加密曲线.ECC处理器... 详细信息

本文提出了一款基于二进制Edwards椭圆曲线的高能效椭圆曲线加密处理器.该处理器采用163位密钥,被设计用于无源射频识别(RFID)标签.为了保证椭圆曲线加密(ECC)处理器运算的安全性,处理器使用了二进制Edwards曲线作为加密曲线.ECC处理器中的逻辑运算模块所使用的有限域乘法器基于K-O分治算法进行了优化和设计.验证结果显示,该ECC处理器需要14 200个等效门面积,加密过程中完成一次标量乘法需要23 023个时钟周期和0.93μJ的能量.该ECC处理器可以满足RFID标签所需要的能耗、时间和面积要求.

关键词：射频识别椭圆曲线二进制Edwards曲线 Karatsuba-Ofman分治算法

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基追踪去噪的高效向量匹配算法

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复旦学报（自然科学版） 2016年第4期55卷 425-430,441页

作者：宇哲伦杨帆曾璇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种针对有噪声频率响应的基追踪去噪的高效向量匹配(BPDN-VF)算法,该算法在向量匹配(VF)算法的基础上,利用压缩感知领域的基追踪去噪(Basis Pursuit Denoising,BPDN)方法,可以有效地从有噪声的频率响应中精确恢复传递函数.与基... 详细信息

提出了一种针对有噪声频率响应的基追踪去噪的高效向量匹配(BPDN-VF)算法,该算法在向量匹配(VF)算法的基础上,利用压缩感知领域的基追踪去噪(Basis Pursuit Denoising,BPDN)方法,可以有效地从有噪声的频率响应中精确恢复传递函数.与基于方差加权的向量匹配算法相比,提出的方法不仅可以减小至少87.5%的采样次数,还可以将从有噪声的频率响应中得到的拟合结果的误差平均减少20.5%.

关键词：基追踪去噪有理逼近宏建模向量匹配

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