检索结果-内蒙古大学图书馆

中国物理学会2012年秋季学术会议

作者：朱江波蔡鑫伦余思远复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室通信科学与工程系上海200433 The Photonic Group University of Bristol Bristol UK 中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理科学与工程技术学院广州 510275

自1992 年[1]以来,对于带有光子轨道角动量的涡旋光束的研究进展[2-4]给建立已久的传统光学体系提出了全新的挑战,并正为涡旋光束将来在经典或量子领域的广泛应用打下坚实的基础,例如光学操控[5]、光量子通信[6]等.但是目前已有的用来... 详细信息

自1992 年[1]以来,对于带有光子轨道角动量的涡旋光束的研究进展[2-4]给建立已久的传统光学体系提出了全新的挑战,并正为涡旋光束将来在经典或量子领域的广泛应用打下坚实的基础,例如光学操控[5]、光量子通信[6]等.但是目前已有的用来产生涡旋光束的方法都采用了大尺寸的光学器件[7-9],这些方法都有效率低、成本高和控制灵活性差等缺点,无法在光子集成技术中得到应用.

关键词：光子轨道角动量涡旋光束拉盖尔-高斯光束

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2.4 GHz CMOS高线性功率放大器

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 240-244页

作者：付健黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

采用A类与B类并联的结构,设计了一种2.4GHz高线性功率放大器。输入信号较小时,A类放大器起主要作用;随着输入信号的增大,B类放大器起的作用越来越明显,来补偿A类的压缩,由此显著提高了放大器的线性度。电路主体为共栅管采用自偏置方法... 详细信息

采用A类与B类并联的结构,设计了一种2.4GHz高线性功率放大器。输入信号较小时,A类放大器起主要作用;随着输入信号的增大,B类放大器起的作用越来越明显,来补偿A类的压缩,由此显著提高了放大器的线性度。电路主体为共栅管采用自偏置方法的共源共栅结构,提升了功放大信号工作时的可靠性。电路采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片验证。除输入输出匹配网络和平衡非平衡转换器Balun外,其余元器件均片内集成。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,功率增益为9.6 dB,1 dB压缩点处输出功率大于10.6 dBm,双音测试中单音输出功率为0.3 dBm时,三阶交调分量为-40 dBc。芯片尺寸为1.5 mm×1 mm。

关键词：功率放大器 A/B类自偏置线性度

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一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 494-498页

作者：吴雨欣李萌林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦... 详细信息

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。

关键词：阻变存储器写入与擦除写驱动电路比较与反馈

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超高频射频识别湿度传感器的分析与测试

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传感技术学报 2011年第1期24卷 24-29页

作者：关硕奚经天王俊宇复旦大学Auto-ID实验室专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

读写器和标签组成的射频识别系统(RFID)可以用于湿度测量。本文通过理论分析,数值仿真以及实验测试给出了可用于湿度传感器的EPC Gen2电子标签的特性。分析结果表明,当湿度变化时,标签天线和标签之间的阻抗匹配系数单调变化的标签才可... 详细信息

读写器和标签组成的射频识别系统(RFID)可以用于湿度测量。本文通过理论分析,数值仿真以及实验测试给出了可用于湿度传感器的EPC Gen2电子标签的特性。分析结果表明,当湿度变化时,标签天线和标签之间的阻抗匹配系数单调变化的标签才可用做湿度传感器。在空气中,标签天线和标签芯片完全匹配的标签可以用于湿度测量。本文还在实验中考虑了纸张在湿度增加或减少时对基于电子标签的湿度传感器测量结果的影响,并且给出了分析结果。

关键词：传感器应用湿度传感器射频识别无线通信

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基于超高频RFID的实时定位系统的建模与仿真(英文)

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系统仿真学报 2011年第1期23卷 212-216页

作者：熊廷文谈熙闫娜闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室Auto-ID实验室上海201203

基于超高频RFID的实时定位系统将大大拓展RFID的应用。在研究超高频RFID数据传输原理的基础上,提出了基于超高频RFID的实时定位系统的基本架构,并在Matlab/Simulink中进行了整个系统的行为级建模。此外,还对RFID收发机和信道的非理想因... 详细信息

基于超高频RFID的实时定位系统将大大拓展RFID的应用。在研究超高频RFID数据传输原理的基础上,提出了基于超高频RFID的实时定位系统的基本架构,并在Matlab/Simulink中进行了整个系统的行为级建模。此外,还对RFID收发机和信道的非理想因素进行了详细的建模来模拟实际的工作环境。仿真结果验证了模型的可靠性,并为后面的实现提供了指导。

关键词：实时定位系统射频识别系统建模相关

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一种10bit 50MS/s低功耗流水线模数转换器

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 450-456页

作者：周文君张科李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一个10 bit精度,50 MS/s采样频率的流水线型模数转换器,通过运算放大器共享和省略采样保持实现低功耗.第1级为单比特输出,它能够在将信号摆幅减半的同时保持信噪比不衰减,减半的摆幅使得运放直流增益和带宽要求以及电容匹配要求降... 详细信息

设计了一个10 bit精度,50 MS/s采样频率的流水线型模数转换器,通过运算放大器共享和省略采样保持实现低功耗.第1级为单比特输出,它能够在将信号摆幅减半的同时保持信噪比不衰减,减半的摆幅使得运放直流增益和带宽要求以及电容匹配要求降低.由于采用运放共享技术,该设计只使用了4个运放,功耗相比传统结构降低1/3.采用0.35μm 2P4M CMOS工艺设计,在3.3 V电源电压下约消耗33 mW功耗,核心部分面积为2.2 mm2,采样频率50 MS/s,输入频率5 MHz时,SFDR为80.27 dB,THD为-77.45 dB,SNDR为61.17 dB.

关键词：模数转换器流水线低功耗运放共享无采样保持

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一种新型高电源抑制比的低压差线性稳压器

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 457-461,469页

作者：黄圣专周锋赵喆复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围... 详细信息

提出了一种新的基于前向通路结构的高电源抑制比(PSRR)的低压差线性稳压器(LDO)结构,具有全负载范围内PSRR高、通路对系统稳定性影响小、电流效率高等特点.采用chart 0.35μm 5 V CMOS工艺进行电路设计仿真.后仿真结果表明,全负载范围内最差线性调整率为633μV/V.1 kHz处PSRR为76 dB@IL=10 mA.与以往高PSRR LDO相比,所提出的LDO可以在更大的负载电流范围内保持高PSRR.

关键词：低压差线性稳压器前向通路电源抑制比

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一种阻变存储单元Hspice模型设计

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 417-422页

作者：陈怡王明张佶金钢林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出一种满足新型双通道阻变存储器读写操作要求的Hspice模型.这种模型基于新的机理,即通过改变一块1 Mb阻变存储阵列的一个单元中2种可重配置的稳定电阻存储模式实现"RESET态"和"SET态"之间的转换,它可以通过一个... 详细信息

提出一种满足新型双通道阻变存储器读写操作要求的Hspice模型.这种模型基于新的机理,即通过改变一块1 Mb阻变存储阵列的一个单元中2种可重配置的稳定电阻存储模式实现"RESET态"和"SET态"之间的转换,它可以通过一个模拟电流-电压特性的分立器件模型来验证.与传统阻变存储器模型相比,利用这种模型,可以用较少的器件准确模拟出阻变存储单元的直流和瞬态扫描变化,加快了Hspice仿真速度,为外围电路的设计提供准确参考,在实际应用中有良好的前景.

关键词：微电子技术阻变存储器 Hspice分立器件模型双通道模型

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抗软错误SRAM单元设计

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 443-449页

作者：缪斯王伶俐曹伟童家榕复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单元配置而改变芯片功能.在此类型FPGA芯片内,SRAM单元存放着FPG... 详细信息

随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的软错误可能通过改变基于SRAM的FPGA的存储单元配置而改变芯片功能.在此类型FPGA芯片内,SRAM单元存放着FPGA的配置数据,因此增强SRAM的抗软错误性能是提升FPGA芯片可靠性的最有效方式之一.提出了一种具有良好抗软错误性能的SRAM单元结构8T-SRAM,并采用工业级65 nm CMOS工艺库对6T-SRAM,ASRAM0以及8T-SRAM单元的读/写速度、漏电功耗以及抗软错误性能进行了Spice仿真验证.仿真结果表明8T-SRAM结构抗软错误性能比传统的6T-SRAM以及ASRAM0更好,其软错误率比6T-SRAM结构减少了44.20%.

关键词：静态随机存取存储器软错误临界电荷软错误率

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一种三维多层1TxR阻变存储器设计

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复旦学报（自然科学版） 2011年第4期50卷 423-429页

作者：张佶金钢吴雨欣陈怡林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出一种适用于未来高密度应用的三维多层可堆叠1TxR阻变存储器设计.采用新型的多个存储电阻共享一个选通管的存储单元,选通管制作在硅片表面与标准逻辑工艺兼容,存储电阻堆叠在不同的互连金属层之间,构成三维存储结构.在0.13μm工艺下... 详细信息

提出一种适用于未来高密度应用的三维多层可堆叠1TxR阻变存储器设计.采用新型的多个存储电阻共享一个选通管的存储单元,选通管制作在硅片表面与标准逻辑工艺兼容,存储电阻堆叠在不同的互连金属层之间,构成三维存储结构.在0.13μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1TxR(x=64)结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高280%.同时提出相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗.

关键词：三维可堆叠多层阻变存储器高密度应用

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