检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机工程 2017年第2期34卷 105-110,119页

作者：尹颖颖虞志益复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 中山大学中山大学-卡内基梅隆大学联合工程学院广州510006 广东顺德中山大学-卡内基梅隆大学国际联合研究院广东顺德528300

对于数据密集型应用,大量能量和延时消耗在计算和存储单元之间的数据传输上,造成冯·诺依曼瓶颈。在采用2.5D封装集成的系统中,这一问题依然存在。为此,提出一种新型的硬件加速方案。引入存储型计算到2.5D系统中,使片外存储具备运... 详细信息

对于数据密集型应用,大量能量和延时消耗在计算和存储单元之间的数据传输上,造成冯·诺依曼瓶颈。在采用2.5D封装集成的系统中,这一问题依然存在。为此,提出一种新型的硬件加速方案。引入存储型计算到2.5D系统中,使片外存储具备运算的能力。将存储器划分为若干个bank,支持bank间并行访问,并在存储阵列中设计可配置的加速单元,充分利用存储阵列的带宽进行并行计算,降低数据传输的延时和能耗。以H.264解码中的反量化反变换为例对该结构进行实现,仿真结果显示,相较于传统软件实现方法,该方案可获得7.1倍的性能提升,节省80.5%的能量,并且只增加2%的面积开销。

关键词：存储型计算冯·诺依曼瓶颈 2.5D封装系统 H.264解码数据密集型应用

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原子晶体非易失存储

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 100-118页

作者：刘春森周鹏张卫复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

多功能低功耗芯片中存储、计算与通讯功能各模块的占用面积、数据交换速率等因素已经成为集成电路发展的瓶颈问题.可满足大数据核内传输速率的未来系统架构中高密度高性能存储技术需具备超低功耗、超小器件尺寸以及快速写入及非易失特性... 详细信息

多功能低功耗芯片中存储、计算与通讯功能各模块的占用面积、数据交换速率等因素已经成为集成电路发展的瓶颈问题.可满足大数据核内传输速率的未来系统架构中高密度高性能存储技术需具备超低功耗、超小器件尺寸以及快速写入及非易失特性.未来存储技术包括采用新原理器件例如操控电子跃迁或离子移动代替电子输运、使用新材料以降低热量产生以及新型三维堆叠工艺提高密度.本综述聚焦于新材料特别是二维原子晶体在非易失存储技术中的应用.具有高电子迁移率、极限超薄沟道、超低界面态的二维原子晶体新材料因为其本征厚度约0.6–1.2 nm并具有丰富的能带结构为未来存储技术提供了优秀的解决方案,对器件进一步微缩提高集成度、提高稳定性和扩大应用场景以及开发新型存储器有着巨大潜力,是解决当今存储器功耗和集成度的崭新途径.

关键词：原子晶体二维原子晶体非易失存储器闪存阻变存储器

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不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响

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半导体技术 2016年第10期41卷 769-773,788页

作者：王博杨建国林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成... 详细信息

通过测试不同工艺条件下的导电丝形成算法与低阻阻值分布、烘烤失效率等的关系,研究了阻变存储器(RRAM)单元导电细丝形成过程对可靠性的影响,进一步对导电细丝形成过程的模型进行了优化。实验表明,随着脉宽的增大,操作电压幅值降低、成功率提高、烘烤失效率降低,进一步增加脉宽,烘烤失效率大大增加。通过比较不同工艺,发现在烘烤失效率降低时的脉宽条件(1 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率高;而在烘烤失效率增加时的脉宽条件(10 ms)下,氧化时间短、氧化功率大并且无退火条件的失效率低。研究结果为设计RRAM单元操作算法提供了优化方向,同时通过对不同条件下RRAM单元可靠性的比较,优化了工艺配方。

关键词：氧化铝/氧化钨阻变存储器(RRAM) 形成算法可靠性阻变机制工艺优化

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1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术

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半导体技术 2016年第8期41卷 625-630页

作者：熊丝纬孙清清复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-MoT... 详细信息

二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-MoTe_2薄膜。利用喇曼光谱、X射线光电子能谱分析以及椭圆偏振光谱化对制备的MoTe_2薄膜进行表征分析,研究了不同退火温度对MoTe_2薄膜质量的影响。实验表明,在450℃退火条件下,薄膜喇曼峰强高,半峰宽较窄,结晶质量良好。但是,由于高温下单质和化合态Te的再蒸发效应,当退火温度从450℃上升到600℃时,薄膜喇曼峰强明显减小且半峰宽变宽,结晶质量显著变差。

关键词：二元过渡金属硫族化合物(TMD) 1T’-碲化钼(1T’-Mo Te2) 原位生长薄膜合成再蒸发效应

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用于离子敏场效应晶体管的生化参比电极研究进展

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半导体技术 2016年第6期41卷 401-410页

作者：张敬维许明赵丹曾瑞雪吴东平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了IS... 详细信息

近20年来,基于半导体离子敏场效应晶体管(ISFET)的生化传感器研究越来越引起人们的关注,目前利用ISFET能够实现对p H、金属离子、血糖、基因和蛋白质等的检测。为了使检测结果准确,在检测过程中需要参比电极保持试液电势稳定。综述了ISFET和传统参比电极的工作原理,分析了参比电极对ISFET检测系统的必要性和传统参比电极的可靠性。介绍了多种易于在芯片上集成的微型化参比电极和参比电极系统并探讨了他们的特点。对ISFET电路模型进行了分析并提出了一种基于微流控技术的金属参比电极系统,结合仿真结果认为微流型金属参比电极系统的尺寸可以控制在毫米量级,具有良好的应用前景。

关键词：离子敏场效应晶体管(ISFET) 生化传感器参比电极微型化微流控

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标度变换后Lorenz混沌系统的同步实现

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陕西理工大学学报（自然科学版） 2017年第6期33卷 82-88,92页

作者：熊丽黄小娜石玉军河西学院物理与机电工程学院甘肃张掖734000 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

首先对Lorenz混沌系统进行标度变换,这是因为在实际应用中,一些混沌系统的数值解是不能使用普通的电子元器件来实现的,往往需要利用标度变换的方式将这些变量的变化范围进行适当调整,使其符合电路设计的要求。然后,采用主动控制法、自... 详细信息

首先对Lorenz混沌系统进行标度变换,这是因为在实际应用中,一些混沌系统的数值解是不能使用普通的电子元器件来实现的,往往需要利用标度变换的方式将这些变量的变化范围进行适当调整,使其符合电路设计的要求。然后,采用主动控制法、自适应控制法和基于状态观测器的控制法分别实现标度变换的Lorenz混沌系统的同步,3种方法均可应用于具体的电路实验,具有较高的实用价值。理论分析和仿真结果均表明这些同步方法是有效和可行的。

关键词：混沌系统标度变换混沌同步主动控制自适应控制状态观测器

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IR压降实时多点检测的两种方法

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半导体技术 2016年第10期41卷 784-788页

作者：沈越明薛晓勇林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了游标时数转换器(TDC)和循环时数转换器这两种用于实时多点检测电源网络IR压降的方案。游标TDC方案采用精调粗调结合的思想,在继承传统时数转换器方案高精度、单周期响应优点的基础上,对面积进行了优化。循环TDC方案采用倍频的思想... 详细信息

介绍了游标时数转换器(TDC)和循环时数转换器这两种用于实时多点检测电源网络IR压降的方案。游标TDC方案采用精调粗调结合的思想,在继承传统时数转换器方案高精度、单周期响应优点的基础上,对面积进行了优化。循环TDC方案采用倍频的思想,在继承单周期响应的环振(RO)方案小面积优点的基础上,对精度进行了优化。电路分别基于SMIC 28 nm高介电常数金属栅(HKMG)工艺进行仿真。仿真结果表明,与TDC方案相比,游标TDC方案在维持13.5 m V/bit高精度和单周期响应优点的同时,面积仅为163.75μm^2,减小了29%;而与同为单周期响应的环振方案相比,循环TDC方案维持92.25μm^2小面积优点的同时,精度达到40.5 m V/bit,提高了54%。

关键词： IR压降环振(RO) 时数转换器游标时数转换器循环时数转换器

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基于双层片上网络的路由算法

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计算机工程 2016年第4期42卷 83-87页

作者：冯杰荆明娥虞志益复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对新型双层片上网络结构的路由问题,提出一种利用片上网络资源的快速路由算法。将核间通信依据通信频率和总量大小划分成4类,根据链路交换网络适用于大数据量核间通信的特点,优先将通信总量大且通信频率低的核间通信固化在链路交换网... 详细信息

针对新型双层片上网络结构的路由问题,提出一种利用片上网络资源的快速路由算法。将核间通信依据通信频率和总量大小划分成4类,根据链路交换网络适用于大数据量核间通信的特点,优先将通信总量大且通信频率低的核间通信固化在链路交换网络中,再利用快速布线算法在最少占用片上网络资源的情况下解决路径配置问题。实验结果表明,与模拟退火算法相比,该算法的运行时间减少74%,链路交换网络资源利用率提高21%,应用程序性能提升16%以上。

关键词：多核处理器双层片上网络链路交换网络包交换网络路由算法

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微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节

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半导体技术 2016年第6期41卷 456-460页

作者：周祥标许鹏付超超吴东平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(I... 详细信息

为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(IBS)和先淀积金属形成金属硅化物后进行离子注入并退火(IAS)两种方案进行研究。通过C-V和I-V测试对制备的样品进行了电学表征,并通过计算给出了其肖特基势垒高度,结果表明微波退火可实现空穴和电子肖特基势垒的有效调节,而且IBS方案的调节效果优于IAS方案的调节效果。除此之外,相对于传统热退火技术,微波退火可以在更低的温度下实现相同肖特基势垒的调节。

关键词：杂质分凝微波退火 NiSi 肖特基势垒调节低温

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一种超低功耗IR-UWB接收机射频前端

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微电子学 2016年第3期46卷 348-351,355页

作者：周杰李靖洪志良黄煜梅复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为满足无线体域网接收机超低功耗的要求,设计了一种3-5GHz超低功耗非相关脉冲超宽带接收机射频前端电路,包括低噪声放大器（LNA）、有源巴伦和平方器。为了降低功耗,采用电流复用技术设计LNA和有源巴伦;同时设计了一种工作在亚阈值区域... 详细信息

为满足无线体域网接收机超低功耗的要求,设计了一种3-5GHz超低功耗非相关脉冲超宽带接收机射频前端电路,包括低噪声放大器（LNA）、有源巴伦和平方器。为了降低功耗,采用电流复用技术设计LNA和有源巴伦;同时设计了一种工作在亚阈值区域的全差分平方器,将基于吉尔伯特乘法器的平方器的功耗从mW级降低到μW级。此外,采用电容交叉耦合技术,提高了平方器的转换增益。基于SMIC 0.13μm CMOS工艺的仿真结果显示,接收机射频前端在开关键控调制1 Mb/s脉冲速率下,其灵敏度达-81dBm,能量效率达0.42nJ/pulse。

关键词：脉冲超宽带接收机射频前端平方器

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