检索结果-内蒙古大学图书馆

从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在保持了电感的电学对称性的前提下,抑制了电感的电流拥挤效应,电感的最大品质因数提高了40%,同时降低了其自谐振频率.

关键词：片上电感品质因数趋肤效应临近效应多电流路径自谐振频率串联电阻寄生电容

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面向家庭网络的Java协处理器研究与开发

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小型微型计算机系统 2006年第10期27卷 1966-1969页

作者：王芳于宇周晓方闵昊周电复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

为解决纯软件的Java卡虚拟机(JCVM)在嵌入式系统中解释执行速度较慢、效率低的性能问题,软硬件协同方式设计面向家庭网络(Home Network)的Java协处理器,对部分JCVM指令使用硬件电路来加速执行.并且在硬件加速的过程中采用流水线结构、... 详细信息

为解决纯软件的Java卡虚拟机(JCVM)在嵌入式系统中解释执行速度较慢、效率低的性能问题,软硬件协同方式设计面向家庭网络(Home Network)的Java协处理器,对部分JCVM指令使用硬件电路来加速执行.并且在硬件加速的过程中采用流水线结构、环形指令缓存、指令折叠等方式来进一步提高电路速度.

关键词：专用集成电路设计 Java协处理器软硬件协同设计指令缓存指令折叠

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一种适合于高速、高精度ADC的采样/保持电路

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复旦学报（自然科学版） 2006年第1期45卷 58-62页

作者：黄飞鹏黄煜梅方杰洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用非复位结构，在SMIC0．18μm CMOS工艺下，设计并实现了一种采样／保持电路，其性能满足10位精度、100MS／s转换速率的ADC的要求．电路在0～125℃，三种工艺角下仿真，其性能均满足要求；T／H电路的核心—OTA，经流片并测试，结果... 详细信息

采用非复位结构，在SMIC0．18μm CMOS工艺下，设计并实现了一种采样／保持电路，其性能满足10位精度、100MS／s转换速率的ADC的要求．电路在0～125℃，三种工艺角下仿真，其性能均满足要求；T／H电路的核心—OTA，经流片并测试，结果表明其功能正确，功耗与仿真值一致。

关键词：采样/保持电路运算跨导放大器高速高精度模数转换器

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全数字锁相环系统的分析及优化

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复旦学报（自然科学版） 2006年第4期45卷 443-447页

作者：谈熙杨莲兴复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

以TI(Texas Institute)于2003年发布的全数字锁相环为原型,在系统分析的基础上,提出了锁相环系统结构的改进方案.系统仿真结果显示改进后的结构在保证系统对稳定性、输出精度、分辨率和锁定时间要求的前提下,简化了系统结构并降低了功耗.

关键词：频率综合器锁相环全数字系统分析

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一种失调电压补偿电容比例型带隙基准源设计

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复旦学报（自然科学版） 2006年第1期45卷 30-33页

作者：何菁岚李强韩益峰闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

设计了一种全新的电容比例型带隙基准源,用电容比例取代了通常的电阻比例,有效地减小了电路设计误差以及电路的功耗,理论失调电压可获补偿.电路采用Cadence Spectre软件仿真,Charter 0.35μm CMOS工艺库实现.仿真结果表明,该电路具有极... 详细信息

设计了一种全新的电容比例型带隙基准源,用电容比例取代了通常的电阻比例,有效地减小了电路设计误差以及电路的功耗,理论失调电压可获补偿.电路采用Cadence Spectre软件仿真,Charter 0.35μm CMOS工艺库实现.仿真结果表明,该电路具有极低的电路功耗(8μW),其直流电源抑制比PSRR达到50 dB,温度系数为3×10-5V/℃.

关键词：集成电路 CMOS 带隙基准源电容比例低功耗

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8位嵌入式CPU的AMBA^(TM) wrapper设计

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计算机工程与应用 2006年第34期42卷 73-75页

作者：顾叶华曾晓洋韩军复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

论文提出了一种针对8位嵌入式CPU的AMBATMwrapper设计方法。加上wrapper后的CPU仍采用原指令系统,可以直接替换基于AMBATM总线SoC平台上的32位CPU,而无需对其它硬件作相应的改动,从而大大缩短了设计时间,提高了IP复用的效率。在性能上,... 详细信息

论文提出了一种针对8位嵌入式CPU的AMBATMwrapper设计方法。加上wrapper后的CPU仍采用原指令系统,可以直接替换基于AMBATM总线SoC平台上的32位CPU,而无需对其它硬件作相应的改动,从而大大缩短了设计时间,提高了IP复用的效率。在性能上,相当于同类8位嵌入式CPU的处理速度,但面积和成本远小于32位的微处理器,因而具有较好的应用前景。

关键词： SoC AMBA^TM wrapper IP复用嵌入式CPU

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一种1.8V10/100 Mb/s以太网物理层发送电路

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复旦学报（自然科学版） 2006年第4期45卷 448-451,456页

作者：陶成杨励李宁任俊彦郑增钰复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

根据IEEE 802.3协议的指标要求,设计了一种采用0.18μm 1.8 V CMOS工艺的10/100 Mb/s以太网物理层发送电路.电路的实质是一个分辨率为5 bit,采样速率为125 MHz,上升下降时间为4 ns的电流驱动型数模转换器.芯片面积0.865 mm2,100 Mb/s时... 详细信息

根据IEEE 802.3协议的指标要求,设计了一种采用0.18μm 1.8 V CMOS工艺的10/100 Mb/s以太网物理层发送电路.电路的实质是一个分辨率为5 bit,采样速率为125 MHz,上升下降时间为4 ns的电流驱动型数模转换器.芯片面积0.865 mm2,100 Mb/s时功耗为83.37 mW,10 Mb/s时功耗为109.6 mW.

关键词：集成电路以太网发送电路数模转换电流驱动

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低电压基准电压源(英文)

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复旦学报（自然科学版） 2006年第1期45卷 87-91页

作者：毛静文陈廷乾陈诚任俊彦杨励复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源，采用SMIC0．18μmCMOS工艺。实现了一阶温度补偿，具有良好的电源抑制比。测试结果表明，在1．5V电源电压下，电源抑制比为47dB，在0～80℃的温度范围内，输出电压变化率为0．269％... 详细信息

设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源，采用SMIC0．18μmCMOS工艺。实现了一阶温度补偿，具有良好的电源抑制比。测试结果表明，在1．5V电源电压下，电源抑制比为47dB，在0～80℃的温度范围内，输出电压变化率为0．269％，功耗为0．22mW，芯片核面积为0．057mm^2。

关键词：模拟集成电路带隙基准源电源抑制比低电压

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超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案

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复旦学报（自然科学版） 2006年第1期45卷 26-29页

作者：曾宏曾璇闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

超深亚微米下SoC芯片的物理设计面临很多挑战性的难题,如果仅使用传统芯片设计流程,耗时长且难以达到设计收敛,必须探索新的设计方法学来加速设计进程.以一块0.18μm工艺下200万门的无线数据传输芯片为例,应对超深亚微米下新的设计挑战... 详细信息

超深亚微米下SoC芯片的物理设计面临很多挑战性的难题,如果仅使用传统芯片设计流程,耗时长且难以达到设计收敛,必须探索新的设计方法学来加速设计进程.以一块0.18μm工艺下200万门的无线数据传输芯片为例,应对超深亚微米下新的设计挑战,论述了在布局规划、电压降、信号完整性、可制造性设计等方面的解决方案,提出了设计方法学上的改进,提高了后端设计的效率和质量.

关键词：超深亚微米系统级芯片物理设计设计收敛

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