检索结果-内蒙古大学图书馆

高频时钟网络布线拓扑结构的曼哈顿平面切割线生成算法

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计算机辅助设计与图形学学报 2005年第5期17卷 1068-1073页

作者：卢婷婷金剑松赵文庆复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在传统的Planar DME拓扑划分算法的基础上,提出一种将欧几里德平面上的拓扑连接线转换成曼哈顿平面上的切割线并建立虚拟通道的算法,来进行连线调整,完成时钟网络的零时滞平面化布线

关键词：时钟树综合曼哈顿平面布线切割线生成

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电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析

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电子学报 2005年第8期33卷 1467-1472页

作者：唐长文何捷菅洪彦张海青闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐... 详细信息

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性.

关键词： MOS管可变电容电感电容回路压控振荡器累积型MOS管振荡调谐曲线

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基于MOSFET PDE模型的射频电路仿真算法研究

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固体电子学研究与进展 2005年第1期25卷 119-123,137页

作者：谭俊来金梅赵晖任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算... 详细信息

研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算法来求解该耦合系统。将上述的模型和算法用于一个压控振荡器(VCO)的瞬态特性仿真 ,模拟结果与理论分析相符。

关键词：金属氧化物半导体晶体管偏微分方程偏微分方程求解算法常微分方程代数方程耦合系统

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总线互连线电路分析的方程建立方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2005年第3期17卷 407-413页

作者：刘榜曾璇童家榕复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

针对总线互连电路 ,提出了一种基于电路并行结构的电路方程建立方法该方法所建立的方程的系数矩阵均具有对称带状特性 ,且矩阵带宽大小等于互连线数目的两倍加一与传统的改进节点电压方法相比 ,该方法显著地提高了总线互连电路分析的... 详细信息

针对总线互连电路 ,提出了一种基于电路并行结构的电路方程建立方法该方法所建立的方程的系数矩阵均具有对称带状特性 ,且矩阵带宽大小等于互连线数目的两倍加一与传统的改进节点电压方法相比 ,该方法显著地提高了总线互连电路分析的效率 ,可以被方便地运用到现有的电路模拟工具中。

关键词：互连电路总线改进节点电压法

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增强型MOS变容管LCVCO增益建模

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计算机辅助设计与图形学学报 2005年第8期17卷 1813-1817页

作者：王飞来金梅张海清孙承绶章倩苓复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LCVCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered0.35μmCMOS2P4MRF工艺实现的2.4GHzLCVCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.

关键词： LC VCO 增强型变容管大信号分析 VCO增益

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不同氮氩比制备的W-Si-N薄膜的阻挡特性研究

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固体电子学研究与进展 2005年第4期25卷 554-558页

作者：屈新萍陆华茹国平李炳宗复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄(10nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-... 详细信息

研究了薄膜沉积条件之一——氮气和氩气流量比对超薄(10nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响。用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)等方法系统研究了氮氩比对W-Si-N、Cu/W-Si-N/Si以及Cu/W-Si-N/SiO2/Si结构的热稳定性、电学稳定性的影响。实验发现,W-Si-N薄膜中氮含量对材料的阻挡特性起重要作用,高的氮氩比使薄膜中氮含量增高,薄膜对Cu的扩散阻挡特性增强。

关键词：铜互连扩散阻挡层非晶扩散阻挡层三元阻挡层

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一种14位、1.4MS/s、多位量化的级联型Σ△调制器

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固体电子学研究与进展 2005年第1期25卷 65-71页

作者：方杰易婷迮德东郑宇驰洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在 0 .6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合 DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的 1 .4MS/s Nyquist转换速率、1 4位分辨率模数转换器的ΣΔ调制器。该调制器采用了多位量化的级联型 (2 -1 -1 4b)结构 ,通过 Cadence Spectr... 详细信息

在 0 .6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合 DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的 1 .4MS/s Nyquist转换速率、1 4位分辨率模数转换器的ΣΔ调制器。该调制器采用了多位量化的级联型 (2 -1 -1 4b)结构 ,通过 Cadence Spectre S仿真验证 ,在采样时钟为 2 5 MHz和过采样率为 1 6的条件下 ,该调制器可以达到 86.7d B的动态范围 ,在 3 .3 V电源电压下其总功耗为 76m W。

关键词： ∑△调制器开关电容电路模数转换器

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深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统

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计算机辅助设计与图形学学报 2005年第9期17卷 2046-2052页

作者：易婷洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 详细信息

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路.

关键词：模拟电路综合优化集成电路CAD

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自适应的数码相机自动白平衡算法

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计算机辅助设计与图形学学报 2005年第3期17卷 529-533页

作者：周荣政何捷洪志良复旦大学微电子学系上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出了一种色温估计方法 ,并在此基础上实现了一个自适应的数码相机自动白平衡算法该算法充分考虑了Y和Cb ,Cr之间的相关性 ,挑选更合适的白色像素进行平均色差计算 ,以提高色温估计的精度在一个数码相机处理器的设计中实现了该算法

关键词：自动白平衡色温估计数码相机

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La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用

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固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 280-284页

作者：钟宇王晓光林殷茵黄维宁汤庭鳌复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底... 详细信息

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。

关键词：镧锶钴氧钛酸铋化学溶液淀积铁电薄膜

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