检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 299-303页

作者：叶波罗敏王紫石贝尔实验室上海201203 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了... 详细信息

提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了该结构的正确性。该结构同样可用于其它不同PVT条件下需要固定延迟的电路。

关键词：双数据率延迟锁相环同步动态随机存取存储器工艺电压温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

引用

化学学报 2006年第11期64卷 1133-1139页

作者：任杰陈玮卢红亮徐敏张卫复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应... 详细信息

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.

关键词：原子层淀积密度泛函理论高介电常数栅介质氧化锆

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究

引用

无机材料学报 2013年第4期28卷 420-424页

作者：王韬屈新萍复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金字塔结构,得到了最低为6%左右的反射率。然后采用水热法在该衬底生长氧化锌纳米棒,得到了最低小于3%的反射率,比单采用腐蚀或者ZnO纳米棒生长的硅表面的反射率更低。这种减反方法工艺简单、高效,有望得到应用。

关键词：减反层四甲基氢氧化铵湿法腐蚀各向异性 ZnO纳米棒

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器

引用

物理化学学报 2019年第10期35卷 1058-1077页

作者：李家意丁一张卫周鹏复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 详细信息

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维材料及其制备方法,阐述了光电探测器件的基本原理和评价参数,以及回顾了二维材料及其异质结构在光电探测器中的应用,最后总结了该领域仍然面临的挑战并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：光电探测二维材料异质结过渡金属二硫化物机械剥离

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于布尔可满足性的电路设计错误诊断算法

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2006年第9期18卷 1383-1390页

作者：吴洋唐璞山复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种组合电路设计错误诊断算法,该算法结合传统基于模拟的方法和可满足性问题求解技术,在不依赖于故障模型的条件下实现对电路逻辑错误的诊断定位.提出了基于布尔可满足性的增量式电路诊断方法,通过对可满足解依据电路结构信息筛... 详细信息

提出了一种组合电路设计错误诊断算法,该算法结合传统基于模拟的方法和可满足性问题求解技术,在不依赖于故障模型的条件下实现对电路逻辑错误的诊断定位.提出了基于布尔可满足性的增量式电路诊断方法,通过对可满足解依据电路结构信息筛选分级,提高了多错误诊断定位的分辨率和准确性;并提出多项启发式方法,避免了大量不必要的操作,使算法在时间和内存上保持有效性.实验结果表明,利用形式验证的技术来导向模拟的过程,抓住了高复杂度的多错误定位问题的特征,提高了电路错误诊断的效率.

关键词：设计错误诊断布尔可满足性电子设计自动化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

I^2L单元的建库技术

引用

固体电子学研究与进展 1994年第3期14卷 283-287页

作者：叶波李蔚郑增钰复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学电子工程系

叙述了Ｉ２Ｌ的基本结构及原理，提出了Ｉ２Ｌ单元的建库方法，包括逻辑符号库、版图库、功能参数库的建立三部分内容，提出了常规逻辑图到Ｉ２Ｌ逻辑图的转换法则，以Ｄ触发器为例说明了Ｉ２Ｌ单元的建库过程。

关键词： I^2L 建库技术逻辑电路集成电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

改进的门单元多输入跳变电流源模型

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2012年第11期24卷 1513-1520页

作者：钱晨曦陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息

电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获得更高的模型精度;同时将二输入门单元模型扩展到多输入门单元,并详述了建模方法.多种门单元上的数值实验结果表明,与已有模型相比,在可接受的时间开销内,文中模型能够显著地提高门单元时延和输出波形的仿真精度.

关键词：电流源模型密勒电容多输入跳变串扰噪声波形仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究

引用

物理学报 2010年第3期59卷 2057-2063页

作者：黄玥苟鸿雁廖忠伟孙清清张卫丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)c... 详细信息

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)cm~(-2)的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3-+8 V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2.01 V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9 V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.

关键词： Pt纳米晶快速热退火原子层淀积存储效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

深亚微米CMOS运算放大器的综合

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2004年第12期16卷 1631-1639页

作者：易婷洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 详细信息

利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。

关键词： CMOS运算放大器模拟电路综合直流工作点可制造性电路设计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于多边带调制产生全光正交频分复用信号的研究

引用

光学学报 2011年第7期31卷 67-74页

作者：邹书敏邵宇丰郑曦方武良李欣颖迟楠复旦大学通信科学与工程系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于双臂马赫-曾德尔调制器(MZM)产生全光正交频分复用信号的原理,讨论了正交光子载波的产生由MZM的射频驱动和直流偏置电压决定的特性;并对基于载波抖动对系统的损伤定义了一个新的参数——载波均衡,以准确地描述产生全光正交频... 详细信息

研究了基于双臂马赫-曾德尔调制器(MZM)产生全光正交频分复用信号的原理,讨论了正交光子载波的产生由MZM的射频驱动和直流偏置电压决定的特性;并对基于载波抖动对系统的损伤定义了一个新的参数——载波均衡,以准确地描述产生全光正交频分复用载波的传输性能。根据选择的载波均衡参数,得到了产生2,3,4和5条正交光载波的最佳工作点;在接收端采用改进的马赫-曾德尔延时干涉仪和光门实现全光离散傅里叶变换,并测得了光门的相位取值和接收端滤波器带宽对接收信号误码性能的影响;最后研究了基于5条正交光边带100 Gb/s全光正交频分复用的传输系统性能。

关键词：光纤通信全光正交频分复用双臂马赫-曾德尔调制器马赫-曾德尔延时干涉仪光门

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：