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  • 1,376 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室实验室"
1376 条 记 录,以下是91-100 订阅
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一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构
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固体电子学研究与进展 2008年 第2期28卷 299-303页
作者: 叶波 罗敏 王紫石 贝尔实验室 上海201203 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了... 详细信息
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ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究
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化学学报 2006年 第11期64卷 1133-1139页
作者: 任杰 陈玮 卢红亮 徐敏 张卫 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应... 详细信息
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湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究
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无机材料学报 2013年 第4期28卷 420-424页
作者: 王韬 屈新萍 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 微电子学系上海200433
在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息
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基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器
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物理化学学报 2019年 第10期35卷 1058-1077页
作者: 李家意 丁一 张卫 周鹏 复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室
近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 详细信息
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基于布尔可满足性的电路设计错误诊断算法
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计算机辅助设计与图形学学报 2006年 第9期18卷 1383-1390页
作者: 吴洋 唐璞山 复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
提出了一种组合电路设计错误诊断算法,该算法结合传统基于模拟的方法和可满足性问题求解技术,在不依赖于故障模型的条件下实现对电路逻辑错误的诊断定位.提出了基于布尔可满足性的增量式电路诊断方法,通过对可满足解依据电路结构信息筛... 详细信息
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I^2L单元的建库技术
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固体电子学研究与进展 1994年 第3期14卷 283-287页
作者: 叶波 李蔚 郑增钰 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学电子工程系
叙述了I2L的基本结构及原理,提出了I2L单元的建库方法,包括逻辑符号库、版图库、功能参数库的建立三部分内容,提出了常规逻辑图到I2L逻辑图的转换法则,以D触发器为例说明了I2L单元的建库过程。
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改进的门单元多输入跳变电流源模型
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计算机辅助设计与图形学学报 2012年 第11期24卷 1513-1520页
作者: 钱晨曦 陶俊 曾璇 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
电压信号的非线性问题和多输入跳变现象给时序分析带来了严重挑战.为更好地解决此问题,文中设计电路对门单元输入端和内部节点间的密勒电容进行了验证,从器件结构上分析了其来源,并通过引入该电容改进了已有多输入跳变电流源模型,以获... 详细信息
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基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
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物理学报 2010年 第3期59卷 2057-2063页
作者: 黄玥 苟鸿雁 廖忠伟 孙清清 张卫 丁士进 专用集成电路与系统国家重点实验室 复旦大学微电子研究院上海200433
采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)c... 详细信息
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深亚微米CMOS运算放大器的综合
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计算机辅助设计与图形学学报 2004年 第12期16卷 1631-1639页
作者: 易婷 洪志良 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能... 详细信息
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基于多边带调制产生全光正交频分复用信号的研究
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光学学报 2011年 第7期31卷 67-74页
作者: 邹书敏 邵宇丰 郑曦 方武良 李欣颖 迟楠 复旦大学通信科学与工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
研究了基于双臂马赫-曾德尔调制器(MZM)产生全光正交频分复用信号的原理,讨论了正交光子载波的产生由MZM的射频驱动和直流偏置电压决定的特性;并对基于载波抖动对系统的损伤定义了一个新的参数——载波均衡,以准确地描述产生全光正交频... 详细信息
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