检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2005年第11期26卷 2230-2235页

作者：黄飞鹏王静光何济柔洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在1．8V，0．18μm CMOS工艺下，实现了10位，50MS／s流水线操作A／D转换器的设计和测试．通过优化采样电容和运算跨导放大器（OTA）电流，并采用动态比较器，从而降低功耗；采用复位结构的采样／保持和余量增益电路消除OTA失调电压的... 详细信息

在1．8V，0．18μm CMOS工艺下，实现了10位，50MS／s流水线操作A／D转换器的设计和测试．通过优化采样电容和运算跨导放大器（OTA）电流，并采用动态比较器，从而降低功耗；采用复位结构的采样／保持和余量增益电路消除OTA失调电压的影响；优化OTA的次极点，保证其工作稳定．测试结果表明：ADC在整个量化范围内无失码，功耗为57．6mW，失调电压为0．8mV，微分非线性为-0．6～0．7LSB．对5．1MHz的输入信号量化，可获得44．9dB的信号与噪声及谐波失真比．电路面积为0．52mm^2．

关键词：模数转换器流水线低功耗失调电压低电压

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一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C—V特性分析

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复旦学报（自然科学版） 2005年第1期44卷 105-110页

作者：陈园琦林殷茵汤庭鳌夏立复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C—V曲线,对C—V曲线物理... 详细信息

采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C—V曲线,对C—V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C—V特性有较大影响,而C—V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关.

关键词： C-V特性阈值电压电滞回线解析模型工作频率介电常数铁电材料存储特性数学分析曲线

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一个1.5V低相位噪声的高频率LC压控振荡器的设计

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复旦学报（自然科学版） 2005年第1期44卷 166-172页

作者：邬蓉衣晓峰唐长文苏彦锋洪志良复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

介绍了一种适用于DCS 1800系统的压控振荡器的设计,中心频率为3.6GHz.分析并比较了三种降低相位噪声的方法并进行了仿真验证,然后阐述了3.6GHz压控振荡器器件尺寸的优化分析.采用电感电容滤波技术降低相位噪声,在偏离中心频率600kHz处,... 详细信息

介绍了一种适用于DCS 1800系统的压控振荡器的设计,中心频率为3.6GHz.分析并比较了三种降低相位噪声的方法并进行了仿真验证,然后阐述了3.6GHz压控振荡器器件尺寸的优化分析.采用电感电容滤波技术降低相位噪声,在偏离中心频率600kHz处,仿真得到相位噪声为-117dBc/Hz,调谐范围达到26.7%.VCO电路在1.5V电压下工作,静态电流为6mA.

关键词：半导体技术压控振荡器相位噪声电感电容滤波技术频率

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单片音频解码芯片的设计

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计算机工程与应用 2005年第29期41卷 114-116页

作者：孙福佳沈泊章倩苓复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

论文设计了单片音频解码芯片,完成了定点解码MPEG1/2音频部分的实时处理,并对解码过程中运算量大的IMDCT和综合子带滤波器两部分进行了优化分析。通过优化算法,使得18-36点的IMDCT仅需58次乘法和80次加法,综合子带滤波器输出一个样点只... 详细信息

论文设计了单片音频解码芯片,完成了定点解码MPEG1/2音频部分的实时处理,并对解码过程中运算量大的IMDCT和综合子带滤波器两部分进行了优化分析。通过优化算法,使得18-36点的IMDCT仅需58次乘法和80次加法,综合子带滤波器输出一个样点只要15.75次乘法和14.75次加法,实时解码时芯片的工作频率仅为36.5MHz,芯片还使用分层总线架构,进一步降低了芯片的功耗。

关键词： MP3 定点解码反修正的离散余弦变换综合子带滤波器片上系统

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一种高速低功耗内容寻址存储器的设计

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复旦学报（自然科学版） 2005年第6期44卷 947-950页

作者：顾沧海韩益锋巫建明闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出了一种适用于TLB的低功耗内容寻址存储器电路,该电路用两级比较的方法实现TLB的查找功能.由功耗模型的分析得到低功耗CAM的最优设计参数,通过减小电压摆幅的办法进一步降低功耗.电路在0.18μm 1P6M标准CMOS工艺上实现,仿真结果表明6... 详细信息

提出了一种适用于TLB的低功耗内容寻址存储器电路,该电路用两级比较的方法实现TLB的查找功能.由功耗模型的分析得到低功耗CAM的最优设计参数,通过减小电压摆幅的办法进一步降低功耗.电路在0.18μm 1P6M标准CMOS工艺上实现,仿真结果表明64路TLB的最大比较延迟为0.983 ns,功耗为4.59μW/bit.

关键词：半导体技术内容寻址寄存器低功耗快表

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一种蓝牙可配置电路的设计

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应用科学学报 2005年第6期23卷 600-603页

作者：何济柔衣晓峰王方林洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

针对蓝牙射频系统,给出了一种模拟参数可重置的结构及电路实现,该电路结构巧妙,占用的引脚少,完全能够和射频模块集成.流片结果显示,芯片各模拟参数重置和电路测试正常,有效保证了蓝牙射频前端各模块的功能和性能.

关键词：蓝牙可配置串行控制接口

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一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器

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Journal of Semiconductors 2005年第5期26卷 1049-1053页

作者：衣晓峰苏彦锋朱臻洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了一种用于频率综合器的2 .4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现.从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性.当电源电压为3 3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为1. 04V,功耗为4. 95mW,未经电容阵列补偿时倍频器的锁... 详细信息

介绍了一种用于频率综合器的2 .4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现.从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性.当电源电压为3 3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为1. 04V,功耗为4. 95mW,未经电容阵列补偿时倍频器的锁频范围达到113 .7MHz.电路应用在单片集成的蓝牙发接器中,通过频率测试验证了电路功能的正确性.

关键词：注入锁频倍频器锁频范围相位噪声频率综合器

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一种基于Skewtolerant Domino的新型高速加法器

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复旦学报（自然科学版） 2005年第1期44卷 17-20页

作者：张亮陈祺欣鲁则瑜程君侠复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出了一种新型的基于Skew tolerantDomino电路的高速加法器结构,与传统的加法器电路比较,该电路可以有效地克服时钟倾斜影响,提高时钟利用效率,降低功耗,可以广泛运用在高性能处理器中.

关键词：加法器高性能处理器高速时钟低功耗电路倾斜降低

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一种适用于10/100MHz Base TX以太网的新型发射电路

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Journal of Semiconductors 2005年第2期26卷 385-389页

作者：韩益锋李强顾沧海郑增钰李联复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出了一种新结构发射电路 ,适用于 10 / 10 0MHzBaseTX以太网 ,兼容 10MHzBaseTX和 10 0MHzBaseTX两种工作模式 ,并能在这两种模式间自由切换 .电路采用了波形整形 ,斜率控制 ,复用线驱动器等技术 ,使所有参数符合IEEE80 2 3标准 .芯... 详细信息

提出了一种新结构发射电路 ,适用于 10 / 10 0MHzBaseTX以太网 ,兼容 10MHzBaseTX和 10 0MHzBaseTX两种工作模式 ,并能在这两种模式间自由切换 .电路采用了波形整形 ,斜率控制 ,复用线驱动器等技术 ,使所有参数符合IEEE80 2 3标准 .芯片在SMIC的 0 18μmCMOS工艺流片测试 ,电源电压为 3 3V .

关键词：以太网发射电路线驱动器

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2.4GHz 0.35μm CMOS Gilbert下变频器

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Journal of Semiconductors 2005年第5期26卷 1045-1048页

作者：崔福良黄林马德群洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

利用0 35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2 452GHz,2 45GHz和2MHz.测试表明:在3 3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的... 详细信息

利用0 35μm CMOS工艺实现了一种用于低中频接收机的Gilbert型下变频器.其中,混频器的输出级采用折叠级联输出,射频信号、本振信号和中频信号的频率分别为2 452GHz,2 45GHz和2MHz.测试表明:在3 3V电源电压条件下,整个混频器电路消耗的电流约为4mA,转换增益超过6dB,输入1dB压缩点约为-11dBm.

关键词： CMOS工艺射频电路下变频器

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