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    • 2 篇 哲学
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作者

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语言

  • 1,377 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室实验室"
1377 条 记 录,以下是1121-1130 订阅
排序:
基于电阻热噪声的真随机数发生器设计
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微电子学与计算机 2004年 第7期21卷 143-146页
作者: 辛茜 曾晓洋 张国权 郭亚炜 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 上海微科集成电路有限公司 上海200433
本文分析和设计了一种基于电阻热噪声的真随机数发生器,系统内部集成了失调控制系统,用以提高随机性能,系统时钟达到4MHz,并采用Chartered-0.35滋m-3.3V的工艺模型进行了HSPICE仿真。输出速率可以达到2Mb/s。
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适用于可编程IP核的布图方法
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微电子学 2004年 第6期34卷 658-662页
作者: 王波 马晓骏 童家榕 复旦大学微电子学系专用集成电路国家重点实验室 上海200433
 提出了一套适用于可编程IP核的布图系统PRPIC(PlacementandRoutingSystemforProgrammableIPCore)。该系统对可编程IP核的结构进行抽象建模,并根据该模型生成用于布图的实际电路的有向资源图,从而可以灵活地支持规模和结构不同的可编... 详细信息
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ISO/IEC 18000-6(CD)研究综述
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信息技术与标准化 2004年 第4期 23-28页
作者: 张纲 杨庆森 程君侠 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
介绍了射频识别技术(RFID)在UHF频段的ISO/IEC 18000-6(CD)的标准草案及其主要内容、特点和发展前景,对标准中两种类型的技术作了分析和对比,并结合未来的发展趋势指出了现有标准中有待改进的方面。
来源: 评论
发展中国自己的RFID产业
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信息技术与标准化 2004年 第5期 36-40页
作者: 马庆容 张纲 俞军 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
介绍了RFID技术及其产业的现状,对RFID产业未来的发展做了分析和预测。最后,结合中国实际对如何发展中国自己的RFID产业提出了一些建议。
来源: 评论
复旦大学专用集成电路系统国家重点实验室
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半导体技术 2002年 第2期27卷 28-28页
作者: 曾璇 复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室
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一种超高频电子标签电路及应用
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电子元器件应用 2004年 第5期6卷 36-37页
作者: 张纲 石亦欣 谷波 程君侠 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
提出一种UHF频段的电子标签电路,内容包括芯片的结构,指令集,防冲突协议、存储器等,还给出一个典型应用方案。
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160Gbit/s交叉连接芯片总体方案设计
收藏 引用
光通信研究 2004年 第3期 45-48页
作者: 蒋林 章倩苓 吕建东 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 西安邮电学院计算机系 陕西西安710061
首先在明确40Gbit/sSDH(STM 256)光纤通信设备要求的基础上,确定了芯片与外围电路电路、功能和时序接口,制订了满足设备需要并利于ASIC实现的芯片技术规范;其次,进行了芯片的总体方案设计,按照自顶向下的全正向设计方法进行了芯片的... 详细信息
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一种新的蓝牙系统解决方案及其基于USB接口的实现
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微电子学 2004年 第4期34卷 439-442,450页
作者: 赵勇 沈维多 徐芝兰 杨莲兴 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 上海市科技京城敏勤电子技术有限公司 上海200001
 基于对蓝牙通讯协议的分析,将链接管理器移到主机上实现,然后复用主机控制接口器件中的微处理器运行链接控制器,这样就在整个蓝牙通讯系统中省掉了一个传统上必需的32位高性能处理器;并采用USB接口成功地实现了新的系统结构。
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CMOS组合电路开路故障的内建自测试方法
CMOS组合电路开路故障的内建自测试方法
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中国电子学会电路系统学会第十八届年会
作者: 谢波 黄维康 唐璞山 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室(上海)
本文对CMOS组合电路开路故障的测试进行了讨论.针对开路故障的特征,首先提出了一种采用跳变次数进行响应分析的BIST方法,在该方法中,激励源产生特定的测试序列施加给被测电路,通过对电路输出值的跳变次数进行计数,再与无故障电路输出的... 详细信息
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全差分交叉耦合式压控环形振荡器设计
全差分交叉耦合式压控环形振荡器设计
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中国电子学会电路系统学会第十八届年会
作者: 林蔚然 张海清 章倩苓 周晓芳 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室(上海)
设计具有正交输出的2级全差分交叉耦合式环形振荡器.采用0.35μm,3.3v的CMOS工艺.由于采用了交叉耦合的正反馈机制、全差分的结构,噪声性能有了较大改善.同时改进的编置电路部分使f-v曲线有很好的线性度.最后也给出了该压控振荡器结构... 详细信息
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