检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 2005年第9期17卷 2046-2052页

作者：易婷洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 详细信息

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路.

关键词：模拟电路综合优化集成电路CAD

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基于模型修正技术的模拟集成电路几何规划优化方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2012年第6期24卷 721-727页

作者：李亨陶俊曾璇复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正... 详细信息

为了兼顾模拟集成电路设计优化的求解精度和计算效率,提出一种基于正项式模型修正技术的几何规划优化方法.首先将模拟集成电路的设计目标与约束简化为正项式模型,然后在采用几何规划方法迭代优化的过程中利用晶体管级SPICE仿真不断修正这一正项式模型.实例表明,与传统基于公式的优化方法和基于仿真的优化方法相比,该方法能够在尽量保证计算效率和全局最优解的前提下使优化精度满足晶体管级SPICE仿真的要求.

关键词：电路优化几何规划模型修正运算放大器

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JPEG2000算术解码器的VLSI实现

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电子科技大学学报 2006年第6期35卷 920-923页

作者：方晗黄全平周荣政洪志良复旦大学专用集成电路国家重点实验室上海杨浦区200433

介绍了JPEG2000编解码流程以及JPEG2000算术编码的原理。针对传统算术解码器过慢的情况,提出了一种动态的流水线算术解码器结构,给出了相应的硬件实现的框图,该结构通过FPGA验证。采用了TSMC0.25μm工艺,进行了ASIC的实现。

关键词： JPEG2000 算术编码器流水线 MQ编码

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一种基于开关电容的可配置多模滤波器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 95-101页

作者：郑震湘付文汇孟彬易婷洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种基于开关电容的可配置多模滤波器,由模拟信号处理模块、数字控制模块和参考电压电流源组成;通过数字控制模块配置滤波器工作在旁路、低通、带通、自适应工作状态,同时实现低通滤波器截止频率和带通滤波器中心频率可调;自适应... 详细信息

设计了一种基于开关电容的可配置多模滤波器,由模拟信号处理模块、数字控制模块和参考电压电流源组成;通过数字控制模块配置滤波器工作在旁路、低通、带通、自适应工作状态,同时实现低通滤波器截止频率和带通滤波器中心频率可调;自适应滤波器截止频率和中心频率能准确跟随输入信号主频率。整个电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,电源电压3.3 V,功耗仅为1.4 mW。芯片测试结果表明,芯片达到设计的功能和性能。

关键词：多模滤波器开关电容可配置模拟处理器

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用于DC-DC变换器中稳定性保护模块的设计

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 404-410页

作者：徐翊华蒋何李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对现代电子系统中预偏置电压保护与电压边际界限的情况,提出了一种应用于DC/DC数字控制芯片的预偏置电压保护与电压边际界限功能模块的设计。利用CPLD验证该模块的正确性,实现了预偏置电压保护与电压边际界限功能。

关键词：开关电源预偏置电压保护电压边际界限数字控制

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应用于多模接收机的低功耗可编程增益放大器

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 245-250页

作者：王玉吉张成闫娜闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对多模接收机的应用,提出了引入一条闭环伪通路技术结构的可编程增益放大器,在保持一定的线性度及噪声性能的基础上,以较低的功耗实现较大的带宽。该电路增益步长为2 dB,增益变化范围1～39 dB。电路中内嵌了直流失调消除模块防止直流漂... 详细信息

对多模接收机的应用,提出了引入一条闭环伪通路技术结构的可编程增益放大器,在保持一定的线性度及噪声性能的基础上,以较低的功耗实现较大的带宽。该电路增益步长为2 dB,增益变化范围1～39 dB。电路中内嵌了直流失调消除模块防止直流漂移引起的阻塞。芯片采用SMIC 0.13μm 1P8M RFCMOS工艺实现。测试结果表明,在1.2 V电源电压、电压增益为30 dB情况下,芯片输出三阶交调点为27.5 dBm,在最大增益处的噪声系数为25 dB,核心电路功耗仅为2.8 mW。

关键词：可编程增益放大器直流失调消除多模接收机

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混合型FPGA开关盒优化设计方法及应用

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 254-259页

作者：申秋实童家榕来金梅复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

FPGA开关盒的设计主要关注于一种跨度互联线相互连接的研究。在这些开关盒中,不同跨度的互联线相互分隔和独立,在一定程度降低了互联的性能和利用率。提出了一种可以将不同跨度互联线通过可编程开关进行连接的混合型开关盒设计思想,提高... 详细信息

FPGA开关盒的设计主要关注于一种跨度互联线相互连接的研究。在这些开关盒中,不同跨度的互联线相互分隔和独立,在一定程度降低了互联的性能和利用率。提出了一种可以将不同跨度互联线通过可编程开关进行连接的混合型开关盒设计思想,提高10%互连结构的性能,而不会增加芯片面积以及功耗。此设计方法在复旦大学FDPFPGA芯片互联结构中得以应用。

关键词：现场可编程门阵列互联结构开关盒

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CMOS宽带可编程增益低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 228-233,268页

作者：周春媛闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

给出了一种可应用于中国移动多媒体广播（CMMB）调谐器的宽带（470~860 MHz）可编程增益低噪声放大器。该电路在UMC 0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为0.37 mm2（不包括ESD pad）。芯片测试结果表明,在1.8 V的电源电压下功耗为30.2 ... 详细信息

给出了一种可应用于中国移动多媒体广播（CMMB）调谐器的宽带（470~860 MHz）可编程增益低噪声放大器。该电路在UMC 0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为0.37 mm2（不包括ESD pad）。芯片测试结果表明,在1.8 V的电源电压下功耗为30.2 mW,该电路可实现-6.8~32.4 dB的增益动态变化范围,0.5 dB步长,最高增益下单端信号噪声系数小于3.8 dB。

关键词：互补金属氧化物半导体中国移动多媒体广播低噪声放大器可编程增益放大器

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一种结合温差式和风速计式的新结构MEMS热式流量计

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传感技术学报 2009年第7期22卷 934-940页

作者：陈则曾祥宇张晟黄宜平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在器件结构上结合了温差式和风速计式两种检测原理,设计并制造了一种新型结构的MEMS热式流量计。在对温差式流量计的灵敏度、量程等特性进行了有限元仿真的基础上,优化设计了器件结构。同时,提出了一种利用Matlab/Simu-link时域仿真实... 详细信息

在器件结构上结合了温差式和风速计式两种检测原理,设计并制造了一种新型结构的MEMS热式流量计。在对温差式流量计的灵敏度、量程等特性进行了有限元仿真的基础上,优化设计了器件结构。同时,提出了一种利用Matlab/Simu-link时域仿真实现热源控制电路设计的方法。采用MEMS微加工技术研制了新型结构的热式流量计。测试结果表明该新设计比传统MEMS热式流量计灵敏度提高近4倍。

关键词：微机电系统热式流量计有限元分析 Matlab

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面向微电子应用的二维过渡金属硫族化合物制备进展

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科学通报 2017年第36期62卷 4237-4255页

作者：许浒廖付友郭仲勋郭晓娇周鹏包文中张卫复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上"的制备方法进行了总结,对比了机械剥离、液相剥离和化学气相沉积等常见制备技术,并归纳了各自的优缺点.同时基于未来晶圆级二维TMDs器件,重点介绍了化学气相沉积法及其面向应用需要解决的问题.最后总结了二维TMDs材料在微电子器件应用中的研究进展.

关键词：二维层状材料/二维原子晶体过渡金属硫族化合物二硫化钼化学气相沉积

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