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作者

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语言

  • 1,376 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室实验室"
1376 条 记 录,以下是111-120 订阅
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基于集成氮化硅微腔的光学传感芯片研究
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计测技术 2018年 第1期38卷 9-16页
作者: 翟珊 顾昌林 冯吉军 卢红亮 上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室 上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息
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面向密码逻辑阵列的可编程控制网络设计与实现
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电子技术应用 2017年 第10期43卷 39-43页
作者: 刘露 徐金甫 李伟 杨宇航 解放军信息工程大学 河南郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
为解决粗粒度密码逻辑阵列控制开销大、控制效率低的问题,在研究主流阵列处理架构下三层控制模型的基础上,提出了一种阵列的四层控制模型,并设计了对应的可编程控制网络。在规模为4×4的可编程控制网络上实现了对AES、A5-1等对称算... 详细信息
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正交频分复用系统中载波频偏的估计
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计算机工程与应用 2017年 第4期53卷 118-122页
作者: 周雪荣 薛香艳 叶凡 任俊彦 复旦大学专用集成电路国家重点实验室 上海201203 复旦大学微纳电子创新平台 上海201203
针对正交频分复用系统中非理想前端因素同时存在的情况,提出一种在I/Q失配存在的条件下载波频偏的估计算法。该算法利用三个连续的前导符在频域推导出两种不同估计算法,根据噪声及I/Q失配程度将载波频偏划分为两区间分别选用不同算法进... 详细信息
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77-GHz功率放大器的设计及优化
77-GHz功率放大器的设计及优化
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2017年全国微波毫米波会议
作者: 金贵祥 闫娜 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功... 详细信息
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动态随机存储器器件研究进展
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中国科学:物理学、力学、天文学 2016年 第10期46卷 36-45页
作者: 吴俊 姚尧 卢细裙 王鹏飞 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 详细信息
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基于微泡母小波变化的超声造影成像方法
基于微泡母小波变化的超声造影成像方法
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2017中国生物医学工程大会
作者: 黄玉蓉 余锦华 汪源源 李书应 复旦大学 复旦大学 上海专用集成电路与系统国家重点实验室
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基于P型功率管电流采样和自适应参考电压的Buck型充电器设计
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固体电子学研究与进展 2016年 第4期36卷 324-331页
作者: 郭旭 张宏广 洪志良 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
介绍了一种具有高效率、开关频率为2 MHz的Buck型锂电池充电器,它的工作过程分为启动、小恒定电流充电、大恒定电流充电、恒定电压控制和结束五个阶段。在恒流充电阶段,通过对P型功率管电流的采样和采用自适应参考电压,可以对充电电流... 详细信息
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基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作
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传感器与微系统 2018年 第7期37卷 63-65,69页
作者: 刘嘉 王续博 徐卫疆 周嘉 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 法国国家科研中心电子微电子与纳米技术研究所UMR CNRS 8520 瓦朗谢纳 埃诺-坎布雷斯大学声光电子学部 法国F-59313
利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 详细信息
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基于Amdahl定律的多核密码处理器性能模型研究
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电子与信息学报 2016年 第4期38卷 827-833页
作者: 冯晓 戴紫彬 李伟 蔡路亭 解放军信息工程大学 郑州450000 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
该文构建面向密码应用的多核处理器性能模型,对多核密码处理器设计提供理论支持和有效建议。通过引入密码并行处理特征、数据传输时间、同步时间等因素,建立基于Amdahl定律扩展的多核密码处理器性能模型,基于提出的性能模型,对多核密码... 详细信息
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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化
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强激光与粒子束 2017年 第7期29卷 73-77页
作者: 李欣 刘建朋 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海应用物理研究所 上海201800 中国科学院上海技术物理研究所 上海200083
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 详细信息
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