检索结果-内蒙古大学图书馆

计测技术 2018年第1期38卷 9-16页

作者：翟珊顾昌林冯吉军卢红亮上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片,并详细研究了集成氮化硅微腔光学传感芯片在折射率测量方面的应用。

关键词：集成光子芯片微环谐振腔氮化硅光学传感器悬空结构

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面向密码逻辑阵列的可编程控制网络设计与实现

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电子技术应用 2017年第10期43卷 39-43页

作者：刘露徐金甫李伟杨宇航解放军信息工程大学河南郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为解决粗粒度密码逻辑阵列控制开销大、控制效率低的问题,在研究主流阵列处理架构下三层控制模型的基础上,提出了一种阵列的四层控制模型,并设计了对应的可编程控制网络。在规模为4×4的可编程控制网络上实现了对AES、A5-1等对称算... 详细信息

为解决粗粒度密码逻辑阵列控制开销大、控制效率低的问题,在研究主流阵列处理架构下三层控制模型的基础上,提出了一种阵列的四层控制模型,并设计了对应的可编程控制网络。在规模为4×4的可编程控制网络上实现了对AES、A5-1等对称算法的控制流映射。在65 nm CMOS工艺下,DC综合结果显示总面积为13 712μm^2,折合等效与非门数0.95万,占阵列面积0.37%。映射AES和A5-1控制流最高频率分别为1 389 MHz和1 190 MHz,达到面积小、速度快的应用需求。将四层控制模型与三层控制模型进行六个不同性能对比,前者整体性能远超后者,且能满足任意网络互连结构阵列的高效控制需求。

关键词：粗粒度密码逻辑阵列四层控制模型可编程控制网络高效控制

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正交频分复用系统中载波频偏的估计

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计算机工程与应用 2017年第4期53卷 118-122页

作者：周雪荣薛香艳叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路国家重点实验室上海201203 复旦大学微纳电子创新平台上海201203

针对正交频分复用系统中非理想前端因素同时存在的情况,提出一种在I/Q失配存在的条件下载波频偏的估计算法。该算法利用三个连续的前导符在频域推导出两种不同估计算法,根据噪声及I/Q失配程度将载波频偏划分为两区间分别选用不同算法进... 详细信息

针对正交频分复用系统中非理想前端因素同时存在的情况,提出一种在I/Q失配存在的条件下载波频偏的估计算法。该算法利用三个连续的前导符在频域推导出两种不同估计算法,根据噪声及I/Q失配程度将载波频偏划分为两区间分别选用不同算法进行估计。仿真结果表明,该算法在频率相关和频率无关I/Q失配条件下均能有效地准确估计载波频偏。

关键词：正交频分复用宽带系统载波频偏估计 I/Q失配

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77-GHz功率放大器的设计及优化

77-GHz功率放大器的设计及优化

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2017年全国微波毫米波会议

作者：金贵祥闫娜复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功... 详细信息

随着集成电路工艺的进步,基于CMOS工艺集成片上毫米波功率放大器逐渐成为研究热点。本文分析总结了毫米波功率放大器设计的一般过程,并基于SMIC 55nm CMOS工艺设计了一款工作频率为77GHz的功率放大器。在1.2V的工作电压下,其饱和输出功率为15d Bm,峰值功率附加效率为14.1%,1d B压缩点输出功率为11.7d Bm。

关键词：毫米波 77GHz 功率放大器

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动态随机存储器器件研究进展

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 36-45页

作者：吴俊姚尧卢细裙王鹏飞复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 详细信息

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量.

关键词：动态随机存储器短沟道效应掩埋字线阵列访问晶体管存储电容

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基于微泡母小波变化的超声造影成像方法

基于微泡母小波变化的超声造影成像方法

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2017中国生物医学工程大会

作者：黄玉蓉余锦华汪源源李书应复旦大学复旦大学上海专用集成电路与系统国家重点实验室

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基于P型功率管电流采样和自适应参考电压的Buck型充电器设计

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固体电子学研究与进展 2016年第4期36卷 324-331页

作者：郭旭张宏广洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

介绍了一种具有高效率、开关频率为2 MHz的Buck型锂电池充电器,它的工作过程分为启动、小恒定电流充电、大恒定电流充电、恒定电压控制和结束五个阶段。在恒流充电阶段,通过对P型功率管电流的采样和采用自适应参考电压,可以对充电电流... 详细信息

介绍了一种具有高效率、开关频率为2 MHz的Buck型锂电池充电器,它的工作过程分为启动、小恒定电流充电、大恒定电流充电、恒定电压控制和结束五个阶段。在恒流充电阶段,通过对P型功率管电流的采样和采用自适应参考电压,可以对充电电流的平均值进行控制,使得充电电流恒定,不受电池电压升高的影响。在恒压控制阶段,附加一条电压反馈回路,使得恒流阶段到恒压阶段的转换平滑。本设计用2P4M 350nm CMOS工艺实现,芯片面积2.8mm2。测试结果表明,芯片实现了充电的完整过程,其充电峰值效率为91%。

关键词： P型功率管电流采样自适应参考电压恒定电流恒定电压

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基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作

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传感器与微系统 2018年第7期37卷 63-65,69页

作者：刘嘉王续博徐卫疆周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 法国国家科研中心电子微电子与纳米技术研究所UMR CNRS 8520 瓦朗谢纳埃诺-坎布雷斯大学声光电子学部法国F-59313

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 详细信息

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%。

关键词：超声传感器高频锆钛酸铅厚膜压电材料

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基于Amdahl定律的多核密码处理器性能模型研究

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电子与信息学报 2016年第4期38卷 827-833页

作者：冯晓戴紫彬李伟蔡路亭解放军信息工程大学郑州450000 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

该文构建面向密码应用的多核处理器性能模型,对多核密码处理器设计提供理论支持和有效建议。通过引入密码并行处理特征、数据传输时间、同步时间等因素,建立基于Amdahl定律扩展的多核密码处理器性能模型,基于提出的性能模型,对多核密码... 详细信息

该文构建面向密码应用的多核处理器性能模型,对多核密码处理器设计提供理论支持和有效建议。通过引入密码并行处理特征、数据传输时间、同步时间等因素,建立基于Amdahl定律扩展的多核密码处理器性能模型,基于提出的性能模型,对多核密码处理器设计空间进行搜索。模拟分析表明,影响多核密码处理器性能的关键因素是密码应用的可开发并行度、并行部分所占比例以及运算过程的通信次数。

关键词：密码处理器多核处理器 Amdahl定律性能模型通信/计算比

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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化

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强激光与粒子束 2017年第7期29卷 73-77页

作者：李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 中国科学院上海应用物理研究所上海201800 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 详细信息

针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。

关键词： HSQ 深反应离子刻蚀硅纳米柱高宽比硬X射线

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