检索结果-内蒙古大学图书馆

生物医学工程学进展 2011年第3期32卷 123-129页

作者：汪善义马煜汪源源复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学电子工程系上海200433

针对医学X线计算机断层(Computed Tomography,CT)图像,提出了一种基于尺度不变特征变换(Scale InvariantFeature Transform,SIFT)特征和近似最近邻算法的检索方法。首先通过SIFT算法得到图像的特征点和相应的特征向量,再采用近似最近邻... 详细信息

针对医学X线计算机断层(Computed Tomography,CT)图像,提出了一种基于尺度不变特征变换(Scale InvariantFeature Transform,SIFT)特征和近似最近邻算法的检索方法。首先通过SIFT算法得到图像的特征点和相应的特征向量,再采用近似最近邻算法进行SIFT特征向量的匹配搜索,得到数据库中与参考图像最相似的图像序列。实验结果表明,该法能检索到与目标图像细节相符的结果,大大提高了检索速度。与传统的基于纹理的检索方法相比,查准率和检索结果与目标图像的相似程度方面更佳,符合医学CT图像检索的要求。

关键词：图像检索 CT图像 SIFT特征近似最近邻算法

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毫米波AlGaN/GaN HEMT交流特性研究

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微波学报 2012年第6期28卷 12-15页

作者：程知群靳立伟冯志红杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051

毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS... 详细信息

毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS中添加器件的非本征参数,得到器件仿真的频率特性。在器件设计的基础上,进行了器件版图设计和流片,并测量了器件频率特性。测试和仿真结果的对比表明两者较为一致,表明器件仿真的有效性和指导意义。

关键词：势垒层 AlGaN GaN高电子迁移率晶体管频率特性

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NFC芯片与SIM卡连接的方案研究

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中国集成电路 2007年第7期16卷 80-84,47页

作者：石亦欣李蔚复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海复旦微电子股份有限公司

(NFC)近场通信应用是目前移动通讯行业与RFID行业所关注的热点,NFC技术将移动终端与RFID应用紧密的捆绑在一起,引发了一系列新的应用模式。作为NFC应用推动的主流力量,移动运营商提出了基于SIM卡实现NFC应用的需求。本文详细分析讨论了... 详细信息

(NFC)近场通信应用是目前移动通讯行业与RFID行业所关注的热点,NFC技术将移动终端与RFID应用紧密的捆绑在一起,引发了一系列新的应用模式。作为NFC应用推动的主流力量,移动运营商提出了基于SIM卡实现NFC应用的需求。本文详细分析讨论了NFC芯片与SIM卡连接的方法,并提出合理的建议方案。

关键词： NFC SWP

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DC-OFDM系统中的符号同步算法

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中国集成电路 2011年第11期20卷 27-31,63页

作者：李凯陈昊叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室/微纳创新平台上海201203

本文详细介绍了基于超宽带(UWB)技术的双载波正交频分复用(DC-OFDM)系统中的一种符号同步算法,该算法把整个符号同步过程分为四个步骤来实现:包检测、粗同步、时频编码(TFC)检测以及精细同步。在算法的实现上,本文采用了自相关和互相关... 详细信息

本文详细介绍了基于超宽带(UWB)技术的双载波正交频分复用(DC-OFDM)系统中的一种符号同步算法,该算法把整个符号同步过程分为四个步骤来实现:包检测、粗同步、时频编码(TFC)检测以及精细同步。在算法的实现上,本文采用了自相关和互相关的方法,以满足在不同的室内多径环境下UWB技术的要求,并且该算法具有很好的鲁棒性。

关键词：超宽带技术正交频分复用符号同步时频编码

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基于FPGA的实时高速二维DCT／IDCT处理器

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微电子学 1996年第1期26卷 15-19页

作者：卢? 陈旭昀闵昊章倩苓复旦大学电子工程系专用集成电路与系统设计国家重点实验室

在Ｗ．Ｌｉ提出的循环斜卷积分布算法［１］的基础上，利用ＦＰＧＡ设计可用于高速数据传输设备的二维８×８ＤＣＴ／ＩＤＣＴ实时处理器。它可用一根信号线控制计算ＤＣＴ／ＩＤＣＴ，其输入、输出为１４位、内部数据线及内部参数... 详细信息

在Ｗ．Ｌｉ提出的循环斜卷积分布算法［１］的基础上，利用ＦＰＧＡ设计可用于高速数据传输设备的二维８×８ＤＣＴ／ＩＤＣＴ实时处理器。它可用一根信号线控制计算ＤＣＴ／ＩＤＣＴ，其输入、输出为１４位、内部数据线及内部参数均为１６位。

关键词：专用集成电路可编程阵列二维 DCT/IDCT处理器

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模拟集成电路的仿真与优化方法概述

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微纳电子与智能制造 2021年第2期3卷 80-85页

作者：杨帆复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微电子学院上海201203

与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。... 详细信息

与数字集成电路不同,模拟集成电路的设计主要依靠电路仿真和人工经验来完成设计。模拟集成电路的仿真对于传统设计方法至关重要。随着机器学习和人工智能技术的发展,基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计也逐渐发展起来。本文介绍了模拟电路的仿真的发展历史及最新进展,以及基于机器学习和人工智能的智能优化和自动化版图设计的最新进展,最后展望模拟集成电路的仿真与优化的未来发展趋势。

关键词：分析建模优化模拟集成电路综述

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SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究

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微细加工技术 2007年第1期 56-59页

作者：程正喜郭育林周嘉复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而... 详细信息

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。

关键词：反应离子刻蚀 Al SF6/O2 催化作用

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一种低成本的DTMB应用的3780点FFT处理器

一种低成本的DTMB应用的3780点FFT处理器

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中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会

作者：唐珏曾晓洋林一帆闵旻复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海 201203

本文提出了一种低成本的数位串行流水线架构的3780点FFT处理器。通过新颖的WFTA架构regfile-ALU,优化的输出整序方案以及适合VLSI实现的RAM/ROM存储策略,平衡了而积和处理速度,在降低硬件复杂度的同时满足了DTMB解调的要求。

关键词：处理器串行流水线架构存储策略

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一种高效的低压电力线通信组网算法设计

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现代电子技术 2016年第17期39卷 39-44页

作者：张林山黄睿周晓方云南电力科学研究院云南昆明650217 苏州万硅电子有限公司江苏苏州215027 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了满足低压电力线网络的自适应性、时效性需求,在分析了电力线网络信道特点及拓扑结构后,指出了侦听一个时间片循环以优选最短路径的思路,提出了一套基于时分复用信道接入机制的自适应组网算法,给出了算法网络层协议及对应状态机,并使... 详细信息

为了满足低压电力线网络的自适应性、时效性需求,在分析了电力线网络信道特点及拓扑结构后,指出了侦听一个时间片循环以优选最短路径的思路,提出了一套基于时分复用信道接入机制的自适应组网算法,给出了算法网络层协议及对应状态机,并使用Matlab建立了一系列仿真模拟机制及节点模型,以仿真电力线网络上实时数据流信息和组网结果。仿真结果表明,相比近年来的分簇算法,该算法在组网时间、平均通信长度和平均通信跳数方面都有明显优化,能在组网时效性和网络性能方面取得平衡。

关键词：低压电力线组网路由电力线网络模型非交叠分簇算法时分复用信道

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相变存储器多态存储方法

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复旦学报（自然科学版） 2008年第1期47卷 95-100页

作者：刘欣周鹏林殷茵汤庭鳌赖云峰乔保卫冯洁蔡炳初 BOMY CHEN 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 Silicon Storage Technology Inc. 1171 Sonora CourtSunnyvaleCA 94086USA

提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方... 详细信息

提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.

关键词：微电子技术相变存储器多值存储多值存储单元

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