检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：魏蕊束晨许俊任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微纳电子科技创新平台上海201203

针对流水线模数转换器中余量增益数模转换器的快速建立,提出了在放大阶段带开关电阻的余量增益数模转换器的电路级模型和系统级模型,通过数学分析和图形分析给出了开关电阻对于余量增益数模转换器建立的影响,并提出了开关电阻的优化方案... 详细信息

针对流水线模数转换器中余量增益数模转换器的快速建立,提出了在放大阶段带开关电阻的余量增益数模转换器的电路级模型和系统级模型,通过数学分析和图形分析给出了开关电阻对于余量增益数模转换器建立的影响,并提出了开关电阻的优化方案.分析和仿真结果表明,在开关电阻有变动的情况下,优化方案能够保证快速建立的有效性.

关键词：流水线模数转换器开关电阻参数优化

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松质骨中的超声背散射

松质骨中的超声背散射

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第三届全国暨国际超声分子影像及生物效应和治疗学术会议

作者：他得安复旦大学电子工程系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海市医学图像处理与计算机辅助手术重点实验室

定量超声方法检测与评价骨质及诊断骨质疏松症是近年来医学超声领域内的研究热点之一,并已取得了显著的进展。超声背散射信号比透射信号能够提供更多的关于松质骨微结构的信息。报告将介绍骨超声背散射检测与评价骨质的原理和方法,并介... 详细信息

定量超声方法检测与评价骨质及诊断骨质疏松症是近年来医学超声领域内的研究热点之一,并已取得了显著的进展。超声背散射信号比透射信号能够提供更多的关于松质骨微结构的信息。报告将介绍骨超声背散射检测与评价骨质的原理和方法,并介绍一种新型超声背散射骨质诊断仪及其在1226例成人和467例新生儿骨检测中的应用。在中心频率3.5 MHz和5.0 MHz下,测量并计算表观积分背散射(AIB)、频谱质心偏移(SCS)、骨小梁间距(TbSp)、表观背散射频率斜率(FSAB)等参数。采用线性回归法分析了超声背散射参量与人体相关参量间的相关性,发现其有重要的相关性。研究结果说明超声背散射法可多特征评价骨质状况。将来的研究是测量更多人群的骨质,以改进超声背散射参量与人体参量间的相关性,以精确诊断骨病。

关键词：背散射检测与评价松质骨

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单层二维Ta2O5中电子缺陷能级的研究

单层二维Ta2O5中电子缺陷能级的研究

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上海市激光学会2015年学术年会

作者：李大海宋雄飞胡林枫王子仪张荣君周鹏陈良尧张卫复旦大学信息学院光科学与工程系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学材料科学与工程系

二维原子层状材料是近期的研究热点,但是这些研究多数集中于场效应晶体管的沟道材料如单层MoS、单层WS等,单层栅极绝缘层材料如TiO、TaO等极少得到报道。我们利用TaO纳米片集聚形成单层FaO,其电学性能受到存在于TaO中的电子缺陷非常严... 详细信息

二维原子层状材料是近期的研究热点,但是这些研究多数集中于场效应晶体管的沟道材料如单层MoS、单层WS等,单层栅极绝缘层材料如TiO、TaO等极少得到报道。我们利用TaO纳米片集聚形成单层FaO,其电学性能受到存在于TaO中的电子缺陷非常严重的影响。因此,椭圆偏振光谱测量（椭偏法）被用于计算两个不同的氧空位的跃迁能量及对应的几率,X射线光电子能谱分析揭示了氧空位的存在。椭偏拟合同样计算出了单层TaO

关键词：单层电子缺陷椭偏

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原子层沉积一步法AION膜制备工艺研究及其在硅基太阳能电池上的应用

原子层沉积一步法AION膜制备工艺研究及其在硅基太阳能电池上的应...

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：陈宏彦卢红亮杨晓峰张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(～1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用... 详细信息

目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(～1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用.为了克服这一问题,提出了基于原子层沉积(ALD)技术的一步法制备AlON薄膜新工艺.该工艺通过等离子增强型ALD设备(PEALD),可将反应温度降低至185℃.有别于传统ALD生长时两种前驱体交替通入的生长模式,本工作通过将两种气体前驱体(NH3、O2)同时通入反应腔,以实现N与O的同时掺杂.由图1可见,通过控制薄膜制备过程中的NH3与O2比例,所制得AION薄膜的折射率可以在1.63至2.1(@550nm)范围内连续可调,这为减反射膜系设计带来了极大便利.由图2所示,相于A1N与A12O3,经过折射率与膜厚优化后的AION膜可使硅表面的反射率在550nm处进一步降低5-8％.

关键词：氮氧化铝薄膜原子层沉积减反射性能硅基太阳能电池

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基于叠层结构的非晶铟镓锌氧(a一IGZO)薄膜晶体管的性能优化研究

基于叠层结构的非晶铟镓锌氧(a一IGZO)薄膜晶体管的性能优化研究

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：王韬卢红亮杨建国刘文军张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜... 详细信息

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜力的有源层材料.本论文采用直流磁控溅射方法制备了叠层非晶IGZO薄膜(氮掺杂IGZO/非晶IGZO/氮掺杂IGZO),将其作为沟道层制备了IGZO薄膜晶体管(TFT),并对器件电学特性和稳定性进行了研究,取得了如下研究成果:1)N掺杂的顶部IGZO薄膜可以有效的阻挡水分子的吸附,并且N掺杂底部IGZO薄膜可以明显降低介质层与沟道层界面陷阱密度;2)直流磁控溅射方法原位掺杂N元素制备叠层IGZO薄膜有着良好的电学性能,通过对N掺杂薄膜厚度的合理搭配,得到的叠层沟道结构TFT具有很好的电学特性,即沟道载流子迁移率达到27.9cm2/Vs,亚阈值摆幅为0.21V/decade,是非掺杂IGZO薄膜TFT器件的1/3,电流开关比达到3.1xl07;3)研究了不同沟道结构IGZO TFT器件在正向栅压应力(PGS,Positive Gate bias Stress)下阈值电压偏移的物理过程.对于界面陷阱或绝缘层内陷阱较多的α-IGZO TFT器件,在PGS下阈值电压正向偏移主要是由于栅绝缘层内陷阱或界面陷阱对沟道电子的捕获,被捕获的电子积累在栅绝缘层内屏蔽了部分栅压,为了使得TFT器件到达正常的开启电流,需要更大的栅压来产生更多的沟道电子.在这种俘获机制中,测试的器件转移特性曲线随着应力时间的增大向正方向平移.随着应力时间的累积,其捕获电子的总数不断增加,阈值电压正向偏移的幅度也越来越大.

关键词：薄膜晶体管非晶铟镓锌氧半导体直流磁控溅射叠层结构电学特性稳定性评价

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原子层沉积ZnO/Cu/ZnO透明导电膜的电学、光学特性研究

原子层沉积ZnO/Cu/ZnO透明导电膜的电学、光学特性研究

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：马宏平王韬卢红亮张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构... 详细信息

获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构的TCO薄膜。利用光学光谱仪和四探针测量仪测试薄膜的光学和电学特性,并利用X射线衍射和透射电子显微镜观察和表征薄膜的细微结构。实验结果显示铜层的厚度对多层膜的光电特性有很大的影响,当铜层厚度增加时,薄膜的电阻率会不断降低,但是透过率也会随之降低。通过分析发现当铜层厚度为14 nm时,电阻率可以低至～3 x 10-4n_cm,同时在可见光区域的平均透过率也能够达到65％。对于ALD初步实现TCO薄膜的制备,就能够达到如此良好的光电特性,说明ALD技术具有制备优异透明导电膜的巨大应用潜力。通过进一步研究和ALD工艺参数的优化,相信利用ALD能够制备出更低电阻率和更高透过率的TCO薄膜。

关键词：透明导电膜原子层沉积电阻率透过率

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基于集成氮化硅微腔的光学传感芯片研究

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计测技术 2018年第1期38卷 9-16页

作者：翟珊顾昌林冯吉军卢红亮上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室上海200093 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片... 详细信息

近年来随着传感器在生物探测领域的应用,提高传感器芯片的灵敏度成为研究的热点。利用氮化硅微腔灵敏度高、成本低、易于集成的优点,设计制造了1550 nm波长下二维、三维结构品质因子分别为1.6×104和4×103的悬空耦合传感器芯片,并详细研究了集成氮化硅微腔光学传感芯片在折射率测量方面的应用。

关键词：集成光子芯片微环谐振腔氮化硅光学传感器悬空结构

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基于免疫遗传算法的AND/XOR电路功耗优化

基于免疫遗传算法的AND/XOR电路功耗优化

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中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会

作者：李辉汪鹏君宁波大学电路与系统研究所宁波 315211 宁波大学电路与系统研究所宁波 315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

针对n输入的AND／XOR电路，其功耗优化空间为3n。提出一种基于免疫遗传算法的AND／XOR电路功耗优化算法。通过对CMOS数字电路平均动态功耗模型的研究，建立AND／XOR电路功耗估计模型。根据信号概率传递特性和开关活动性最小化理论，提... 详细信息

针对n输入的AND／XOR电路，其功耗优化空间为3n。提出一种基于免疫遗传算法的AND／XOR电路功耗优化算法。通过对CMOS数字电路平均动态功耗模型的研究，建立AND／XOR电路功耗估计模型。根据信号概率传递特性和开关活动性最小化理论，提出静态AND／XOR电路低功耗映射算法。在此基础上，结合列表转换方法，经遗传操作和免疫算子有限迭代计算获得功耗近最优的AND／XOR电路。对多个较大规模MCNC和ISCAS基准电路测试表明：该算法的优化结果与标准遗传算法相比，功耗和面积平均节省20.05％和19.4％。

关键词： AND/XOR电路免疫遗传算法功耗优化低功耗映射

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基于种群协同进化算法的动态逻辑XNOR/OR电路功耗优化

基于种群协同进化算法的动态逻辑XNOR/OR电路功耗优化

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中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会

作者：张会红汪鹏君宁波大学电路与系统研究所宁波 315211 宁波大学电路与系统研究所宁波 315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

首先基于电路的动态逻辑实现形式，建立了固定极性XNOR／OR电路低功耗极性优化问题的数学模型;然后针对传统遗传算法(TGA)和量子算法(TQA)的优势和不足，借鉴合作型协同进化思想，提出了种群协同进化算法(PCEA)。算法包含主体种群和小... 详细信息

首先基于电路的动态逻辑实现形式，建立了固定极性XNOR／OR电路低功耗极性优化问题的数学模型;然后针对传统遗传算法(TGA)和量子算法(TQA)的优势和不足，借鉴合作型协同进化思想，提出了种群协同进化算法(PCEA)。算法包含主体种群和小规模的量子比特种群，采取两种群并行进化、统一评估和主体种群择优重组的进化策略。主体种群采用包括选择、交义和变异在内的常规进化方式。作为辅助性种群，量子比特种群采用均匀进化和多次测量的进化方式，以便得到尽可能均匀覆盖解空间的一组个体补充到主体种群，避免算法出现“早熟”现象。最后，8个MCNC Benchmark电路的测试结果表明了PCEA的优化效果及其稳定性。

关键词：固定极性XNOR/OR电路低功耗设计协同进化

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基于重掺杂的谐振式传感器频率温度系数补偿研究

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传感器与微系统 2016年第2期35卷 39-41,45页

作者：杨力建游卫龙张磊杨恒李昕欣复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100040

MEMS谐振式传感器具有精度高、准数字输出、抗干扰能力强等特点,高精度压力传感器、应力传感器等多采用谐振式工作原理。频率温度系数补偿是实现高精度谐振式传感器的关键技术。通过实验研究了利用重掺杂改善硅频率温度系数的技术。实... 详细信息

MEMS谐振式传感器具有精度高、准数字输出、抗干扰能力强等特点,高精度压力传感器、应力传感器等多采用谐振式工作原理。频率温度系数补偿是实现高精度谐振式传感器的关键技术。通过实验研究了利用重掺杂改善硅频率温度系数的技术。实验表明:P型掺杂浓度达到7×1019/cm3时,〈110〉晶向频率温度系数降低到-11.68×10-6/K;N型掺杂浓度达到6×1019/cm3时,〈100〉晶向谐振频率是温度的二次函数,在80℃左右频率温度系数有过零点。首次实验演示了利用低功耗加热控制结合N型重掺杂,当环境温度由30℃变化到40℃时,谐振频率温度漂移仅为1.13×10-7/℃。利用该技术可实现超高温度稳定性的谐振式传感器。

关键词：谐振式传感器振荡器频率温度系数温度补偿

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