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全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议

作者：邵宇丰贺志学迟楠专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学通信科学与工程系上海 200433 光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹) 武汉邮电科学研究院武汉 430074

本文在级联相位调制的100Gbit/s光信号传输系统中，提出了两种新码型-占空比为33％的光交错相移键控归零码(RZ—SDPSK)和占空比为67％的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ—SDPSK)的产生和检测方案。通过50km的普通单模光纤(SMD)和8km... 详细信息

本文在级联相位调制的100Gbit/s光信号传输系统中，提出了两种新码型-占空比为33％的光交错相移键控归零码(RZ—SDPSK)和占空比为67％的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ—SDPSK)的产生和检测方案。通过50km的普通单模光纤(SMD)和8km的色散补偿光纤(DCF)传输后，当入纤功率相同时，CSRZ—SDPSK码具有较高的色散容限:如果仅考虑一阶偏振模色散，RZ-SDPSK信号具有较好的抗偏振模色散特性。入纤功率在0～10dBm的范围内调节时，两种码型码有相似的传输特性。通过125GHz带宽的三阶高斯滤波器后，RZ—SDPSK码接收性能较优，并且三阶高斯滤波器的带宽值必须大于100GHz，才能有效地恢复信号时钟。

关键词：光纤通信数据传输相位调制色散补偿

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原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究

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淮北师范大学学报（自然科学版） 2022年第4期43卷 60-64页

作者：张远张永兴张金锋牟福生淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂... 详细信息

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

关键词： Si掺杂 ZnO薄膜原子层淀积透光率光致发光

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一种24 GHz低噪声放大器的设计

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电子科技 2017年第5期30卷 91-93页

作者：薛亚芬肖鹏程张荣福上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海200093 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200120

在汽车防撞雷达接收系统中,为提高整个接收机的性能,当确定了低噪声放大器的性能指标后,在ADS软件的基础上,采用赝配高电子迁移率的晶体管VMMK-1225设计了工作频率为24 GHz的低噪声放大器。仿真结果表明,在24 GHz频率处,放大器的噪声系... 详细信息

在汽车防撞雷达接收系统中,为提高整个接收机的性能,当确定了低噪声放大器的性能指标后,在ADS软件的基础上,采用赝配高电子迁移率的晶体管VMMK-1225设计了工作频率为24 GHz的低噪声放大器。仿真结果表明,在24 GHz频率处,放大器的噪声系数<2 d B,增益>9 d B,稳定系数>1,输入与输出电压驻波比都<2。最后利用Cadence软件进行版图设计并给出了实测结果。该放大器可应用于雷达接收系统、汽车导航系统和防撞系统等领域。

关键词：低噪声放大器 ADS 噪声系数增益稳定系数

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食品安全追溯中的编码标识研究与应用

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移动信息 2020年第5期 89-93页

作者：李露露王成杰杨旭王俊宇专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学) 上海201203 珠海复旦创新研究院广东珠海518057 中检集团溯源技术服务有限公司北京100028

针对食品安全追溯体系建设存在编码标识不统一、难以实现数据共享和交换等问题,研究主流的编码标识规则,包括GS1编码、Ecode编码、商务部编码、EPC编码等编码体系;研发了编码类型识别服务,以GS1标准体系的EPCIS信息服务为基础,兼容异构... 详细信息

针对食品安全追溯体系建设存在编码标识不统一、难以实现数据共享和交换等问题,研究主流的编码标识规则,包括GS1编码、Ecode编码、商务部编码、EPC编码等编码体系;研发了编码类型识别服务,以GS1标准体系的EPCIS信息服务为基础,兼容异构编码,面向食品安全追溯领域研发原型系统,为建立异构编码通识通查和数据互联互通的统一追溯平台提供系统验证。

关键词： GS1 Ecode 商务部编码 EPCIS 追溯体系

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ZrO2薄膜光学带隙及电子缺陷的厚度依赖特性的椭偏研究

ZrO2薄膜光学带隙及电子缺陷的厚度依赖特性的椭偏研究

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上海市激光学会2015年学术年会

作者：许骥平张荣君张远王子仪陈磊黄清华卢洪亮郑玉祥王松有陈良尧复旦大学光科学与工程系复旦大学专用集成电路国家重点实验室中国工程物理研究院电子工程研究所

随着电子器件持续向小型化发展,具有高介电常数的金属氧化物超薄膜因其可用于下一代MOS电容/场效应晶体管的绝缘栅极层以及闪存中的电荷俘获层而受到越来越多的关注。高k氧化物薄膜在实际应用时需具备合适的带隙和较少的电子缺陷。ZrO... 详细信息

随着电子器件持续向小型化发展,具有高介电常数的金属氧化物超薄膜因其可用于下一代MOS电容/场效应晶体管的绝缘栅极层以及闪存中的电荷俘获层而受到越来越多的关注。高k氧化物薄膜在实际应用时需具备合适的带隙和较少的电子缺陷。ZrO薄膜作为一种高k金属氧化物,介电系数约为25,带隙为5.0-6.2 eV。然而,对于纳米超薄尺度下,ZrO的带宽尺寸效应至今尚存争议;同时,尽管体材料的点缺陷在理论和实验上均有报道,但纳米ZrO薄膜的电子缺陷以及相关的厚度影响却鲜有研究。我们这一工作,是结合椭圆偏振（SE）光谱测量和点对点数据反推方法,来获取一系列ZrO超薄膜的光学常数,从而分析得到其光学带宽和电子缺陷的厚度依赖特性。使用原子层沉积方法在Si衬底上沉积了一系列不同厚度的ZrO超薄膜（<20 nm）。采用透射电子显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）分别测量了样品的截面和表面形貌。利用*** WVASE32椭偏仪在65°,70°,75°三个角度测量了样品在280-800 nm透明区内的SE光谱,步长为10 nm;*** M2000X-FB椭偏仪在65°测量了样品在200-800 nm的SE光谱,步长为1.55 nm。TEM和AFM的测量结果表明ZrO薄膜与衬底之间存在界面层,表面存在粗糙层。考虑到界面层的光学常数较难获取,故采用Si/等效ZrO/air的三相光学模型来分析样品的椭偏响应。其中等效ZrO层代表了来自界面层和ZrO薄膜共有的贡献。先将透明区内的SE光谱用柯西色散模型拟合,获取了各样品的厚度。此时三相模型下的光学响应（Ψ和⊿）仅是等效层光学常数（ε和ε）的函数,故用点对点方法从中解出每个波长下的ε和ε。典型的ε光谱如图1所示,在3-6eV的测量范围内,等效层的吸收来自于两部分:接近6 eV的ZrO带边吸收和低于5 eV的若干个吸收峰（3.26,4.13,4.28,4.43,and 4.77 eV）。这些吸收峰随着等效ZrO层的厚度变化如图2所示。对于较薄的样品,4.28 eV可被认为是来自Si衬底的critical point吸收,而其余吸收峰均来自于界面电子缺陷态。当厚度增大时4.15 eV和4.46 eV附近出现了展宽的吸收峰,根据文献报道来自于ZrO。这些电子缺陷态随着厚度的变化说明:在ZrO早期生长阶段（<10 nm）,界面层缺陷占主导作用;当生成稳定的无定形相ZrO（>10 nm）,时,主要缺陷来自其自身。这一结果表明,可通过改变ZrO超薄膜的尺寸来获取不同的带隙和电子缺陷态,从而使其在栅极绝缘和电荷俘获中的器件运用中达到最佳效果。

关键词：光学带隙光学常数电子缺陷 ZrO2

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单中继解码前传增量中继的空间复用增益

单中继解码前传增量中继的空间复用增益

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2010年通信理论与信号处理学术年会

作者：何凡冯辉胡波复旦大学国家专用集成电路与系统重点实验室上海 200433 复旦大学电子工程系上海 200433 复旦大学电子工程系上海 200433

在传统利用空间分集的增量中继(Incremental Relaying,IR)机制的基础上,提出了一种新的利用空间复用来提高系统吞吐量的IR传输机制.通过建立马尔可夫模型来比较利用空间分集和利用空间复用的IR系统的性能.理论分析和实验仿真均证明了由... 详细信息

在传统利用空间分集的增量中继(Incremental Relaying,IR)机制的基础上,提出了一种新的利用空间复用来提高系统吞吐量的IR传输机制.通过建立马尔可夫模型来比较利用空间分集和利用空间复用的IR系统的性能.理论分析和实验仿真均证明了由于空间复用增益,新的传输机制在较低误包率(小于0.7)时的优越性.为了使任何误包率下系统都可达到最优吞吐量,提出了一种简单的在空间分集和空间复用间自动切换的IR传输机制.

关键词：无线通信增量中继空间复用增益马尔可夫模型

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基于OMP的SRAM成品率分析的分组建模方法

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太赫兹科学与电子信息学报 2020年第1期18卷 155-159页

作者：梁堃张龙赵振国杨帆中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心四川成都610200 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 中国工程物理研究院高性能数值模拟软件中心北京100088 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM... 详细信息

静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组,之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型,该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比,基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间,提高建模准确度,还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。

关键词：分组建模正交匹配追踪重要性采样静态随机存取存储器成品率预测

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Where-What网络增量学习特性探究

Where-What网络增量学习特性探究

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第一届全国神经动力学学术会议

作者：王悦凯吴晓峰翁巨扬复旦大学电子工程系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室实验室复旦大学计算机科学技术学院美国密歇根州立大学计算机科学与工程系

我们人类能够通过与外界的交流自主学习概念,小孩子能够不断地学习新的任务。这与人类大脑自主发育的特点有着密切的联系。近几年,大量的人工智能方面的研究都着眼于自主发育这一概念。但到目前为止,如何构建自主发育网络仍旧是一个非... 详细信息

我们人类能够通过与外界的交流自主学习概念,小孩子能够不断地学习新的任务。这与人类大脑自主发育的特点有着密切的联系。近几年,大量的人工智能方面的研究都着眼于自主发育这一概念。但到目前为止,如何构建自主发育网络仍旧是一个非常具有挑战性的研究课题。Where-What网络模型(WWN)模拟了人类大脑视觉皮层的工作机制,能够像小孩子一样在复杂背景中寻找并且识别物体。潜在具有自主发育功能。本文主要基于WWN-1到6的工作,并且结合相关实验,探究脑壳封闭网络(WWN-6)的增量学习特性。

关键词：自主发育脑壳封闭增量学习仿大脑视觉皮层 WWN

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22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究

22nm技术节点异质栅MOSFETs的特性研究

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

作者： Yang Yinglin 杨颖琳 Hu Cheng 胡成 Zhu Lun 朱伦 Xu Peng 许鹏 Zhu Zhiwei 朱志炜 Zhang Wei 张卫 Wu Dongping 吴东平 State Key Laboratory of ASIC and System Dept.of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433Ch 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅... 详细信息

本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFETs有所降低,所以在提高沟道载流子的输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFETs相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。

关键词：金属氧化物半导体器件异质栅结构性能评价模拟分析

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集成电路光刻机精密运动台控制方法综述

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长春工业大学学报 2022年第4期43卷 419-427页

作者：姜龙滨刘维珂杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

关键词：光刻机迭代学习控制扰动观测器同步控制主动减振控制

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