检索结果-内蒙古大学图书馆

通信学报 2008年第9期29卷 40-45页

作者：刘亮王雪静叶凡仁俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微纳创新平台上海201203

设计了一种应用于超宽带(UWB)无线通信系统中的FFT/IFFT处理器。采用8×8×2混合基算法进行FFT运算,实现了2路64点或者1路128点FFT功能,并为该算法提出了一种新型的8路并行反馈结构。该结构提高了处理器的数据吞吐率,降低了芯... 详细信息

设计了一种应用于超宽带(UWB)无线通信系统中的FFT/IFFT处理器。采用8×8×2混合基算法进行FFT运算,实现了2路64点或者1路128点FFT功能,并为该算法提出了一种新型的8路并行反馈结构。该结构提高了处理器的数据吞吐率,降低了芯片功耗。为了减少处理器中的乘法数目,提高时序性能,提出了改进型移位加算法。设计的FFT/IFFT处理器采用SMIC 0.13μm CMOS工艺制造,芯片的核心面积为1.44mm2。测试结果表明,该芯片最高数据吞吐率到达1Gsample/s,在典型的工作频率500Msample/s下,芯片功耗为39.6mW。与现有同类型FFT芯片相比,该芯片面积缩小了40%,功耗减少了45%。

关键词： FFT IFFT 超宽带 8路并行反馈结构

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一种1.5V 8.3×10^(-6)/°C数字控制型CMOS带隙基准电压源

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 431-435页

作者：邹亮唐长文复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种新颖的带有数字控制的带隙基准电压源,此带隙基准电压源通过控制PNP晶体管的导通来实现可调的输出参考电压和可调的温度系数。此电路通过数字信号控制获得了一组不同的温度曲线,从这组温度曲线中,可以得到精确的输出参考电压... 详细信息

提出了一种新颖的带有数字控制的带隙基准电压源,此带隙基准电压源通过控制PNP晶体管的导通来实现可调的输出参考电压和可调的温度系数。此电路通过数字信号控制获得了一组不同的温度曲线,从这组温度曲线中,可以得到精确的输出参考电压和非常好的温度特性曲线。数字控制型带隙基准电压源的输出电压误差可以控制在±4mV以内,最好的温度系数可以达到8.3×10-6/°C(温度从-40～80°C变化时),在电源电压从1.5～3.3V变化时输出参考电压仅变化1mV。所设计的带隙基准电压源,采用SMIC0.18μmCMOS工艺流片实现,面积为0.09mm2。

关键词：带隙基准数字控制可校正电压参考温度系数

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标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计

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湖南大学学报（自然科学版） 2015年第8期42卷 94-99页

作者：潘达杉黄金明冯勇闵昊专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学上海上海高性能集成电路设计中心上海201204

正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦... 详细信息

正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°.

关键词： QVCO phase noise CMOS工艺

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基于LSTM非线性均衡的64QAM波分模分复用通信相干传输系统

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中国激光 2024年第17期51卷 206-212页

作者：张尧桑博涵王晨龙健宇王凯辉周雯刘博余建军复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

为满足新兴应用对通信能力日益增长的要求,提出一种基于长短时记忆网络(LSTM)的非线性均衡器,并演示一个长距离大容量波分模分复用(MDM-WDM)通信系统。该实验在650 km的少模光纤(FMF)上,实现80通道波分复用双极化48 GBaud 64QAM信号在LP... 详细信息

为满足新兴应用对通信能力日益增长的要求,提出一种基于长短时记忆网络(LSTM)的非线性均衡器,并演示一个长距离大容量波分模分复用(MDM-WDM)通信系统。该实验在650 km的少模光纤(FMF)上,实现80通道波分复用双极化48 GBaud 64QAM信号在LP11a、LP11b、LP21a、LP21b四种模式上传输。为减小系统中非线性效应的影响,在接收端数字信号处理(DSP)中,采用基于LSTM的非线性均衡技术,显著提升系统性能。实验结果表明,经650 km的少模光纤传输,系统的比特误码率(BER)能满足25%软判决前项纠错阈值(SD-FEC),净速率达到147.4 Tbit/s,属于国内领先水平。

关键词：光纤通信模分复用波分复用少模光纤神经网络均衡

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用于温度日志标签的两级唤醒单元

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固体电子学研究与进展 2012年第3期32卷 304-308页

作者：常学贵陈伟孟德超车文毅闫娜谈熙闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计实现了一个独特的两级唤醒单元,该唤醒单元用于基于EPC C1G2空中接口协议的射频识别标签。该标签为半有源标签,在该单元支持下实现温度日志功能。设计经过SMIC0.18μm EE工艺流片验证。测试结果表明标签实现温度日志功能,在1.8V电... 详细信息

设计实现了一个独特的两级唤醒单元,该唤醒单元用于基于EPC C1G2空中接口协议的射频识别标签。该标签为半有源标签,在该单元支持下实现温度日志功能。设计经过SMIC0.18μm EE工艺流片验证。测试结果表明标签实现温度日志功能,在1.8V电源电压下消耗150nA的静态电流,在同类工作中处于优势地位。

关键词：两级唤醒半有源射频识别标签

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用于434/868MHz FSK/OOK CMOS发射机的锁相环设计

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 383-387页

作者：赵冯章华江洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

一种可输出434/868MHz信号的Σ-Δ分数分频锁相环在0.35μmCMOS工艺中集成。该发射机系统采用直接调制锁相环分频比的方式实现FSK调制,OOK的调制则通过功率预放大器的开-关实现。为了降低芯片的成本和功耗,发射机采用了电流数字可控的... 详细信息

一种可输出434/868MHz信号的Σ-Δ分数分频锁相环在0.35μmCMOS工艺中集成。该发射机系统采用直接调制锁相环分频比的方式实现FSK调制,OOK的调制则通过功率预放大器的开-关实现。为了降低芯片的成本和功耗,发射机采用了电流数字可控的压控振荡器(VCO),以及片上双端-单端转换电路,并对分频器的功耗设计进行研究。经测试表明,锁相环在868MHz载波频偏为10kHz、100kHz和3MHz处的相位噪声分别为-75dBc/Hz、-104dBc/Hz和-131dBc/Hz,其中的VCO在100kHz频偏处的相位噪声为-108dBc/Hz。在发送模式时,100kHz相邻信道上的功率与载波功率之比小于-50dB。在直流电压2.5V的工作条件下,锁相环的电流为12.5mA,包括功率预放大器和锁相环在内的发送机总面积为2mm2。

关键词：发送机锁相环功率预放大器短距离器件可编程输出

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一种带宽自适应的滤波器

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 450-454页

作者：王秉坤付文汇易婷洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种全新的带宽自适应滤波器。主要特点是:在输入信号频率不确定或时变的情况下,能够通过对输入信号频率的探测而自适应的调节滤波器带宽。该结构被成功地应用在了模拟处理器内,有效地实现了对频率不确定或时变的输入信号进行低... 详细信息

设计了一种全新的带宽自适应滤波器。主要特点是:在输入信号频率不确定或时变的情况下,能够通过对输入信号频率的探测而自适应的调节滤波器带宽。该结构被成功地应用在了模拟处理器内,有效地实现了对频率不确定或时变的输入信号进行低通或带通滤波处理。滤波器由四阶的全差分开关电容电路实现,带宽可在直流到40kHz内自适应调节。整个电路基于0.18μmCMOS工艺实现,电源电压3.3V,功耗为560μW。芯片测试结果表明,电路具有良好的自适应滤波性能。

关键词：自适应开关电容滤波器模拟处理器

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一种基于光子晶体结构的新型MEMS红外光源

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纳米技术与精密工程 2007年第4期5卷 266-268页

作者：王国勋纪新明周嘉包宗明鲍敏杭黄宜平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

结合光子晶体和表面等离子体共轭(surface plasmon resonance,SPR)技术,研究了一种新型的MEMS红外光源.相比传统的红外光源,该新型光源具有红外光谱窄、红外发射峰位置可调等优点.该光源衬底材料为硅,然后在硅表面形成SiO2-Cr-Au结构,并... 详细信息

结合光子晶体和表面等离子体共轭(surface plasmon resonance,SPR)技术,研究了一种新型的MEMS红外光源.相比传统的红外光源,该新型光源具有红外光谱窄、红外发射峰位置可调等优点.该光源衬底材料为硅,然后在硅表面形成SiO2-Cr-Au结构,并在Si-SiO2-Cr-Au结构表面形成刻蚀深度为2μm、孔间距分别为7μm和8μm(孔直径分别为3.5μm和4μm)等不同的周期性排列圆孔的光子晶体结构.采用有限元时域分析(finite-difference time-domain,FDTD)软件模拟和傅里叶红外光谱仪实际测量的结果表明,该新型MEMS红外光源具有窄的波峰,其反射光谱波谷波长和圆孔间距相近.通过理论推导和FDTD软件模拟,研究了光源光子晶体结构中圆孔深度和透射光谱波峰强度关系.结果表明,圆孔深度为2μm的结构比3μm结构的透射强度更强.透射强度与圆孔深度h在一定范围近似为倒数平方关系,即在一定范围内圆孔越深,透射越弱.

关键词：表面等离子体共振微机电系统红外光源波峰强度反射率

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一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 494-498页

作者：吴雨欣李萌林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦... 详细信息

针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。

关键词：阻变存储器写入与擦除写驱动电路比较与反馈

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氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能

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物理学报 2006年第8期55卷 4347-4352页

作者：赖云锋冯洁乔保卫凌云林殷茵汤庭鳌蔡炳初陈邦明上海交通大学微米纳米加工技术国家重点实验室复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室 Silicon Storage Technology Inc.Sunnyvale 94086USA

通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶... 详细信息

通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.

关键词：相变存储器多态存储 N掺杂 Ge2Sb2Te5

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