利用Kronecker矩阵积运算推导出了固定极性Reed-Muller(RM)和双重形式RM(dual form of Reed-Muller,DFRM)的展开式,并根据在相同极性下两者之间的转换关系,提出一种简洁高效的转换算法——分解法.该算法将转换矩阵进行分解,从根本上避...
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利用Kronecker矩阵积运算推导出了固定极性Reed-Muller(RM)和双重形式RM(dual form of Reed-Muller,DFRM)的展开式,并根据在相同极性下两者之间的转换关系,提出一种简洁高效的转换算法——分解法.该算法将转换矩阵进行分解,从根本上避免了矩阵的重复计算,缩短了计算时间.实验结果显示,在得到更为简洁的RM或DFRM表达式的同时,对小变量函数的标准电路测试过程所需时间几乎为0,而对大变量函数的标准电路也表现得十分优异.
本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋入P-body区之下的栅电极可以改善器件导通时电子的流通路径并在反向耐压时改善...
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本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋入P-body区之下的栅电极可以改善器件导通时电子的流通路径并在反向耐压时改善表面场分布，同时在漂移区采用阶梯变掺杂，因此可以有效提高器件的击穿电压并降低器件的比导通电阻。通过二维数值仿真软件脏DICI对器件的埋栅电极、漏电极、漂移区掺杂浓度比例等进行优化设计，结果表明，相对于常规SOILDMOS，该结构击穿电压上升了35.2％，同时比导通电阻下降了35.1％。
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