检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学与计算机 2007年第5期24卷 41-44页

作者：杨丰林闵昊沈绪榜复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 西安微电子技术研究所陕西西安710054

提出一种基于CMOS电感电容压控振荡器的对称噪声滤波技术。仿真结果表明,对称噪声滤波技术能够在相同的功耗下改善相位噪声6dB。应用对称噪声滤波技术设计一个4.8GHz压控振荡器,在0.25μm CMOS工艺上制造,测试结果表明在偏离载波1MHz时... 详细信息

提出一种基于CMOS电感电容压控振荡器的对称噪声滤波技术。仿真结果表明,对称噪声滤波技术能够在相同的功耗下改善相位噪声6dB。应用对称噪声滤波技术设计一个4.8GHz压控振荡器,在0.25μm CMOS工艺上制造,测试结果表明在偏离载波1MHz时相位噪声为-123.66dBc/Hz,整个振荡器的功耗仅为12mW,与同类型的压控振荡器比较,取得很好的PFTN指标。

关键词：射频集成电路压控振荡器相位噪声噪声滤波

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一种新的SAT问题预处理算法

一种新的SAT问题预处理算法

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2007年全国开放式分布与并行计算机学术会议

作者：熊伟唐璞山复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

提出了一项新的正向推理技术:对称扩展的一元子句推导(Symmetric Extended Unit Propagation)。与传统的一元子句推导技术相比,文中的方法通过在一元子句推导过程中添加对称的蕴涵关系从而能够推导出更多的一元子句。基于这项新技术实... 详细信息

提出了一项新的正向推理技术:对称扩展的一元子句推导(Symmetric Extended Unit Propagation)。与传统的一元子句推导技术相比,文中的方法通过在一元子句推导过程中添加对称的蕴涵关系从而能够推导出更多的一元子句。基于这项新技术实现了一个可满足性问题(SAT)预处理器Snowball。实验结果验证了该项技术的有效性,表明该预处理器Snowball能够有效地化简SAT问题的规模并减少解决SAT问题的时间。

关键词：可满足性问题一元子句推导蕴涵图

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一种安全可靠性高的全新IP核保护方法

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微电子学 2007年第2期37卷 185-188页

作者：范明俊李宁赵乐军叶凡复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 华东理工大学信息科学与工程学院上海200237

提出了一种基于3DES加(解)密双方认证系统的IP核保护方法,主要用于保护基于SRAMD工艺FPGA设计的IP核电路。在配置好的FPGA中,通过IP核外附加的内部保护电路和外部验证设备之间的互相通信认证,确认使用者的合法性,可有效防止IP核信息配置... 详细信息

提出了一种基于3DES加(解)密双方认证系统的IP核保护方法,主要用于保护基于SRAMD工艺FPGA设计的IP核电路。在配置好的FPGA中,通过IP核外附加的内部保护电路和外部验证设备之间的互相通信认证,确认使用者的合法性,可有效防止IP核信息配置到FPGA过程中的非法盗取。详细介绍了这种新IP核保护方法的原理、结构和实现过程,并设计了一套基于此技术的简化双方认证系统。

关键词： IP核保护 3DES 双方认证系统 FPGA

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应用于信息安全SoC的真随机数发生器

应用于信息安全SoC的真随机数发生器

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中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会

作者：邓焕金荣华陈俊曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

设计了一种应用于信息安全SoC平台的基于振荡器的高性能真随机数发生器,利用抖动范围很大的慢振荡器对固定周期的快振荡器进行采样,使得前后两次采样相互独立,输出随机序列。真随机数发生器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,输出速率达4Mbps,... 详细信息

设计了一种应用于信息安全SoC平台的基于振荡器的高性能真随机数发生器,利用抖动范围很大的慢振荡器对固定周期的快振荡器进行采样,使得前后两次采样相互独立,输出随机序列。真随机数发生器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,输出速率达4Mbps,通过NISTFIPS 140-1和SP 800-22中的各项测试。芯片而积为0.09mm2,工作电压为2.5V,功耗为4.15mW。

关键词：真随机数发生器振荡器信息安全

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片上集成三电极体系微电极阵列的表征

片上集成三电极体系微电极阵列的表征

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第十届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：吕尊实周嘉陈华黄宜平鲍敏杭复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100～900μm,工作电极与对电极间距为50～200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具... 详细信息

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100～900μm,工作电极与对电极间距为50～200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响,为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。

关键词：微电极表征循环伏安法

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NFC芯片与SIM卡连接的方案研究

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中国集成电路 2007年第7期16卷 80-84,47页

作者：石亦欣李蔚复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海复旦微电子股份有限公司

(NFC)近场通信应用是目前移动通讯行业与RFID行业所关注的热点,NFC技术将移动终端与RFID应用紧密的捆绑在一起,引发了一系列新的应用模式。作为NFC应用推动的主流力量,移动运营商提出了基于SIM卡实现NFC应用的需求。本文详细分析讨论了... 详细信息

(NFC)近场通信应用是目前移动通讯行业与RFID行业所关注的热点,NFC技术将移动终端与RFID应用紧密的捆绑在一起,引发了一系列新的应用模式。作为NFC应用推动的主流力量,移动运营商提出了基于SIM卡实现NFC应用的需求。本文详细分析讨论了NFC芯片与SIM卡连接的方法,并提出合理的建议方案。

关键词： NFC SWP

来源：评论

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SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究

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微细加工技术 2007年第1期 56-59页

作者：程正喜郭育林周嘉复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而... 详细信息

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。

关键词：反应离子刻蚀 Al SF6/O2 催化作用

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一种低成本的DTMB应用的3780点FFT处理器

一种低成本的DTMB应用的3780点FFT处理器

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中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会

作者：唐珏曾晓洋林一帆闵旻复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海 201203

本文提出了一种低成本的数位串行流水线架构的3780点FFT处理器。通过新颖的WFTA架构regfile-ALU,优化的输出整序方案以及适合VLSI实现的RAM/ROM存储策略,平衡了而积和处理速度,在降低硬件复杂度的同时满足了DTMB解调的要求。

关键词：处理器串行流水线架构存储策略

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片上集成三电极体系微电极阵列的表征

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微纳电子技术 2007年第7期44卷 329-331页

作者：吕尊实周嘉陈华黄宜平鲍敏杭复旦大学专用集成电路及系统国家重点实验室微电子学系上海200433

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种，电极特征尺寸为100-900μm，工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法，在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下，对各三电极微系统进行了电极性能表征... 详细信息

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种，电极特征尺寸为100-900μm，工作电极与对电极间距为50-200μm。利用循环伏安法，在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下，对各三电极微系统进行了电极性能表征，具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响，为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。

关键词：微电极表征循环伏安法

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基于45nm技术的ULSI互连结构的温度模拟

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微电子学 2007年第4期37卷 474-477,481页

作者：王锡明周嘉阮刚 LEE H-D 合肥学院机械系合肥230022 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海201203 城南国立大学电子工程系

应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬... 详细信息

应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬底温度和介质导热系数的温升加大也小;结构I的散热能力良好,结构III最差。对三种互连结构的尺寸分析表明,层间介质的厚度对互连系统的温升影响大,必须在电学模拟和温度模拟完成后找到一个最佳厚度值,以保证既有好的散热条件,又有利于减小RC延迟。互连结构的温升随电介质导热系数的减小呈二阶指数升高,特别当介质导热系数小于0.1 W/℃.m时,互连结构设计将会成为器件温升和系统可靠性的关键所在,引入新技术或许势在必行。

关键词：超大规模集成电路铜互连温度分析低介电常数材料

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