检索结果-内蒙古大学图书馆

电子技术应用 2018年第8期44卷 35-38,43页

作者：李桢汪鹏君程旭李刚宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过对热噪声模型和灵敏放大器匹配机理的研究,提出一种可自适应匹配的真随机数发生器(True Random Number Generator,TRNG)设计方案。该方案首先在灵敏放大器中嵌入可配置NMOS阵列,通过调整阵列的等效宽长比实现灵敏放大器工作电流的平... 详细信息

通过对热噪声模型和灵敏放大器匹配机理的研究,提出一种可自适应匹配的真随机数发生器(True Random Number Generator,TRNG)设计方案。该方案首先在灵敏放大器中嵌入可配置NMOS阵列,通过调整阵列的等效宽长比实现灵敏放大器工作电流的平衡;然后在输出端增设负载隔离单元实现互补输出负载的匹配,提高序列随机性;最后通过动态补偿算法实现TRNG自适应校准,提高其适用范围。电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺实现,实验结果表明TRNG在0.8 V^1.4 V电压和-40℃~120℃的环境下能正常工作,最大输出速率可达1 GHz,平均能效为0.165 pJ/bit。输出的随机序列通过了NIST-SP 800-22测试。

关键词：真随机数发生器灵敏放大器热噪声自适应匹配

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长期演进(LTE)接收器电路设计和分析

长期演进(LTE)接收器电路设计和分析

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：谢豪律闫娜闵昊曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子研究院上海 201203

随着3GPP 主导的长期演进Long Term Evolution (LTE) 4G 无线通信标准在2008 年1 月取得了重大进展[1]，LTE 技术在各个领域的已经取得了迅猛的发展。日本，美国，欧洲，2010-2012 年将会开始商业化部署频分复用的LTE 通信网络。我国专... 详细信息

随着3GPP 主导的长期演进Long Term Evolution (LTE) 4G 无线通信标准在2008 年1 月取得了重大进展[1]，LTE 技术在各个领域的已经取得了迅猛的发展。日本，美国，欧洲，2010-2012 年将会开始商业化部署频分复用的LTE 通信网络。我国专用的时分复用LTE 通信网络，估计将在2012 后开始商业化部署。与传统的GSM 和WCDMA 手机通信标准相比，LTE 技术配合系统架构演进(SAE)技术，实现了无线接入系统的重大进步。LTE 可提供给单用户最大20MHz 的带宽，下行最高300Mbps、上行最高75Mbps 的峰值数据率，并通过减小延迟达到更快的响应速度。同时 LTE 采用了更多先进的无线接入技术：包括OFDMA(正交频分多址接入)技术的采纳以及利用多天线技术(MIMO)和更高阶调制实现频谱效率的提高。

关键词：长期演进接收器电路设计手机通信标准峰值数据率正交频分多址接入频谱效率

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基于钌纳米晶和Al2O3介质的MOS存储效应

基于钌纳米晶和Al2O3介质的MOS存储效应

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：苟鸿雁丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海 200433

采用物理气相淀积(PVD)后退火的方法在原子层淀积的Al2O3薄膜表面生长钌(Ru)纳米晶，研究了淀积Ru薄膜的初始厚度、退火温度和退火时间对Ru纳米晶形成的影响，通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对样品表面形貌进行表征。... 详细信息

采用物理气相淀积(PVD)后退火的方法在原子层淀积的Al2O3薄膜表面生长钌(Ru)纳米晶，研究了淀积Ru薄膜的初始厚度、退火温度和退火时间对Ru纳米晶形成的影响，通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对样品表面形貌进行表征。结果表明，在Ru薄膜初始厚度为2 nm、退火温度为900℃、退火时间为30秒时，得到了直径为5-6 nm、密度约为1.6.1012/cm-2的高质量Ru纳米晶。并进一步对基于原子层淀积的Al2O3介质中嵌有Ru纳米晶的MOS电容进行了电学表征。结果表明，在+/-10V的扫描电压下，C-V滞回窗口可达10.2 V，在+/-8V、100 .s的编程/擦除操作时，其存储窗口为4.2V;在+/-10V下编程和擦除1ms所得存储窗口为9.8V，室温下10年后存储窗口仍然保持在7.1V。上述结果表明了嵌有Ru纳米晶的Al2O3介质MOS电容具有擦写电压低、速度快，电荷保持特性好等特点，因此在非挥发性快闪存储器中具有很好的应用前景。

关键词：物理气相淀积钌纳米晶存储效应金属氧化物半导体电学表征

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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的... 详细信息

本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明，Nb2O5薄膜的折射率随退火温度的升高而减小;薄膜禁带宽度随退火温度的增大而增大。没有退火的样品的禁带宽度为3.41 eV，当退火温度上升至800 °C时，其禁带宽度增大至3.81 eV。在800 °C退火后导致界面层的形成，其厚度达1.6 nm。这是由于在高温退火过程中，衬底的Si原子与Nb2O5介质发生反应，在界面处形成了Nb-Si-O组分。

关键词：原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜

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CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：黄新运沈忱黄大鸣李名复复旦大学微电子学系复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子... 详细信息

在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关现象，快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明，由于电子和空穴的俘获截面不对称，并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定，所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。

关键词：电荷泵浦界面态偏压温度不稳定性氧化层电荷几何效应空穴陷阱

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基于工业互联网的药品标识解析技术研究与实现

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信息与电脑 2021年第3期33卷 4-8页

作者：李露露王俊宇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 珠海复旦创新研究院广东珠海518057

药品安全直接关系人民群众的身体健康和生命安全。为推动药品信息化追溯体系建设,国家药品监督管理局相继发布了10项药品信息化追溯标准,采用“多码并存、多系统并存”方案,允许药品上市许可持有人和生产企业可以自主选择编码方式建设... 详细信息

药品安全直接关系人民群众的身体健康和生命安全。为推动药品信息化追溯体系建设,国家药品监督管理局相继发布了10项药品信息化追溯标准,采用“多码并存、多系统并存”方案,允许药品上市许可持有人和生产企业可以自主选择编码方式建设药品追溯系统,药品信息化追溯监管将面临新的局面.本文针对药品追溯存在的问题研究药品标识解析技术,并针对基于工业互联网的Handle解析技术,设计药品标识注册和解析流程,并开发了原型系统进行验证,实现了多编码、多系统情况下的药品标识解析以及药品追溯数据互通共享,能够为Handle标识解析技术在实际药品追溯场景中的应用提供参考示例。

关键词：工业互联网 Handle 药品追溯标识解析

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一种高增益的宽带低噪声放大器的设计

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微电子学 2023年第1期53卷 1-7页

作者：李海鸥余新洁陈永和傅涛谢仕锋张卫尹怡辉曾丽珍桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 中国电子科技集团公司第三十四研究所广西桂林541004 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真... 详细信息

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0~4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14)dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。

关键词：低噪声放大器自偏置 ADS 负反馈 GaAs

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原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究

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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学系上海200433

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电... 详细信息

本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测定了Al/HfAlO3.5/Si(100) MOS 结构电容的高频C-V 特性曲线，利用Terman方法获得了Si 禁带中央附近的界面态密度为5×1011 cm-2eV-1 到1×1012 cm-2eV-1之间，并用Hill-Coleman 测量方法进行了验证。研究了1 kHz到100 kHz HfAlO3.5 高k栅介质的频率耗散特性，发现由于寄生电阻的关系，随着频率的上升，其MOS 电容密度从0.73 μF/cm2 下降到 0.71 μF/cm2。研究表明，利用原子层淀积方法制备的HfxAlyOz复合介质材料在CMOS栅介质中有良好的应用前景。

关键词：铪铝氧介质薄膜高k栅介质原子层淀积等效电学厚度频率耗散特性寄生电阻金属氧化物半导体

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整体退火遗传算法在RM逻辑最佳极性搜索中的应用

整体退火遗传算法在RM逻辑最佳极性搜索中的应用

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中国第二十届电路与系统学术年会暨2007年港澳内地电子信息学术研讨会

作者：陆金刚汪鹏君曾晓洋宁波大学电路与系统研究所浙江宁波 315211 宁波大学电路与系统研究所浙江宁波 315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海 201203

针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应Reed-Muller(RM)电路功耗和面积不同的特点,本文对RM逻辑和整体退火遗传算法(WholeAnnealing Genetic Algorithm, WAGA)进行了深入的研究,提出了一种基于WAGA的RM电路最佳极性的搜索算法。通过对8... 详细信息

针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应Reed-Muller(RM)电路功耗和面积不同的特点,本文对RM逻辑和整体退火遗传算法(WholeAnnealing Genetic Algorithm, WAGA)进行了深入的研究,提出了一种基于WAGA的RM电路最佳极性的搜索算法。通过对8个较大规模的MCNC Benchmark电路测试表明,该算法搜索到的最佳极性所对应的电路,与极性0时相比,功耗和面积的平均节省分别达到了90.1％和61.4％。

关键词： Reed-Muller 整体退火遗传算法极性搜索

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量子遗传算法在多输出Reed-Muller逻辑电路最佳极性搜索中的应用

量子遗传算法在多输出Reed-Muller逻辑电路最佳极性搜索中的应用

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宁波市第六届学术大会

作者：汪鹏君李辉吴文晋王伶俐张小颖戴静宁波大学电路与系统研究所复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室浙江大学数字技术及仪器研究所宁波大学电路与系统研究所复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

量子遗传算法是一种融合量子计算和遗传算法优点的智能算法，常用于求解组合优化问题。本文给出多输出RM(Reed-Muller)逻辑电路最佳极性搜索方案，将量子遗传算法应用到多输出固定极性RM电路逻辑优化中。针对量子遗传算法易陷入局部极... 详细信息

量子遗传算法是一种融合量子计算和遗传算法优点的智能算法，常用于求解组合优化问题。本文给出多输出RM(Reed-Muller)逻辑电路最佳极性搜索方案，将量子遗传算法应用到多输出固定极性RM电路逻辑优化中。针对量子遗传算法易陷入局部极值的缺陷，结合群体灾变思想，提出一种基于量子遗传算法的多输出RM逻辑电路最佳极性搜索算法。最后对多个大规模PLA格式基准电路测试表明：该算法与基于遗传算法的最佳极性搜索相比，在优化能力、寻优性能和收敛速度等方面都有不同程度的提高。本研究对IT产业有实际指导意义。

关键词：量子遗传算法极性搜索多输出RM电路逻辑优化

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