本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋入P-body区之下的栅电极可以改善器件导通时电子的流通路径并在反向耐压时改善...
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本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋入P-body区之下的栅电极可以改善器件导通时电子的流通路径并在反向耐压时改善表面场分布，同时在漂移区采用阶梯变掺杂，因此可以有效提高器件的击穿电压并降低器件的比导通电阻。通过二维数值仿真软件脏DICI对器件的埋栅电极、漏电极、漂移区掺杂浓度比例等进行优化设计，结果表明，相对于常规SOILDMOS，该结构击穿电压上升了35.2％，同时比导通电阻下降了35.1％。
CAN(Controller Area Network)总线协议以其高可靠性和良好的错误检测能力被大量应用于环境温度恶劣、电磁辐射强、机械振动大的工业环境中,是工业界应用最广泛的现场总线之一,并在汽车电子设备中得到了广泛的采用。CAN总线控制器是未...
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CAN(Controller Area Network)总线协议以其高可靠性和良好的错误检测能力被大量应用于环境温度恶劣、电磁辐射强、机械振动大的工业环境中,是工业界应用最广泛的现场总线之一,并在汽车电子设备中得到了广泛的采用。CAN总线控制器是未来汽车分布式计算平台的关键接口技术,也是自主发展汽车分布式计算技术的基础内容之一。基于国产FDP250K-Ⅱ FPGA芯片,提出了一个完整的CAN总线控制器设计方案,给出了详细的软硬件以及整体系统的设计实现,并完成了开发系统在CAN总线网上的测试和验证。
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