检索结果-内蒙古大学图书馆

科学通报 2017年第36期62卷 4237-4255页

作者：许浒廖付友郭仲勋郭晓娇周鹏包文中张卫复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上&... 详细信息

二维原子晶体材料所独有的结构特性带来了诸多优异的性质.与石墨烯相比,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)拥有不同大小且可调控的带隙,在微电子和光电器件领域有着广阔的应用前景.本文对二维TMDs材料"自上而下"和"自下而上"的制备方法进行了总结,对比了机械剥离、液相剥离和化学气相沉积等常见制备技术,并归纳了各自的优缺点.同时基于未来晶圆级二维TMDs器件,重点介绍了化学气相沉积法及其面向应用需要解决的问题.最后总结了二维TMDs材料在微电子器件应用中的研究进展.

关键词：二维层状材料/二维原子晶体过渡金属硫族化合物二硫化钼化学气相沉积

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与工艺、电源电压和温度无关的低功耗振荡环设计

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 269-275页

作者：刘祥昕李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

分析了传统片外时钟和片内时钟各自的特点和应用背景,在Chartered 0.35μm CMOS工艺下实现了一个低功耗PVT（工艺、电源电压、温度无关）振荡环,对片内时钟的稳定性和功耗进行改进。该振荡环无需精准的电压源,采用了误差补偿技术,通过... 详细信息

分析了传统片外时钟和片内时钟各自的特点和应用背景,在Chartered 0.35μm CMOS工艺下实现了一个低功耗PVT（工艺、电源电压、温度无关）振荡环,对片内时钟的稳定性和功耗进行改进。该振荡环无需精准的电压源,采用了误差补偿技术,通过偏置电压和延时单元的相互补偿,使得振荡频率对于工艺、温度和电源电压均有较大的容差能力。并且由于针对延时单元补偿的方式,令周期大小易于调整。蒙特卡罗仿真显示,工艺误差引起的偏差要比补偿前的偏差减小了60%。流片测试结果表明,在工作温度变化范围0~100°C时,振荡环输出的频率偏差为±3.22%;在电源电压变化范围为2.8~3.8 V时,振荡环输出的频率偏差为±3.36%;在电源电压3.3 V的情况下,整个芯片消耗的电流为950μA。

关键词：误差补偿振荡环工艺、电源电压、温度低功耗蒙特卡罗

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一款应用于多模式无线发射机的65nm可配置低功耗滤波器

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 398-404页

作者：李立马俊郭亚炜程旭曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对多模式(GSM/TD-SCDMA/WCDMA)无线发射机设计了一款可配置的4阶有源RC低通滤波器。滤波器的截止频率通过数字配置运放外围的无源器件进行改变,从而满足不同模式的带宽要求;同时,滤波器中运放的增益带宽积(GBW)也进行相应的配置,实现... 详细信息

针对多模式(GSM/TD-SCDMA/WCDMA)无线发射机设计了一款可配置的4阶有源RC低通滤波器。滤波器的截止频率通过数字配置运放外围的无源器件进行改变,从而满足不同模式的带宽要求;同时,滤波器中运放的增益带宽积(GBW)也进行相应的配置,实现滤波器的低功耗设计。针对后者,对滤波器中运放的增益带宽积对滤波器的传递函数的影响进行了定量的分析,提出了功耗优化理论。整个电路结构是在65nmGP工艺下实现的,电源电压为1V,芯片核的面积仅为0.08mm2。滤波器在三个模式下测试得到的IIP3均大于25dBm。整个电路的功耗在GSM和TD-SCDMA下为0.8mW,在WCDMA模式下为1.6mW。同时,滤波器在三个模式下传递曲线的测试结果证实了文中的功耗优化理论。

关键词：多模式无线发射系统低电压低功耗可配置低通滤波器

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一种快速捕获、带宽可调的锁相环电路

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 556-560,565页

作者：方盛秦希蒋俊易婷洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计实现了一个快速捕获,带宽可调的电荷泵型锁相环电路。采用了一种利用状态机拓展鉴频鉴相器检测范围的方法,加快了环路的锁定;通过SPI总线实现电荷泵电流配置和调整VCO延时单元的延迟时间,优化了电路性能。芯片采用中芯国际0.18μmC... 详细信息

设计实现了一个快速捕获,带宽可调的电荷泵型锁相环电路。采用了一种利用状态机拓展鉴频鉴相器检测范围的方法,加快了环路的锁定;通过SPI总线实现电荷泵电流配置和调整VCO延时单元的延迟时间,优化了电路性能。芯片采用中芯国际0.18μmCMOS工艺,测试结果表明,锁相环锁定在100MHz时的抖动均方值为24ps,偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-98.62dBc/Hz。

关键词：鉴频鉴相器检测范围电荷泵压控振荡器

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一种带有插值滤波器的8位650MHz采样速率数字模拟转换器

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 606-612页

作者：哈钱钱叶凡陈迟晓朱晓石李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对OFDM-UWB标准超宽带收发系统中数模转换器(DAC)的要求,设计了一款8位650MHz采样速率电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。为了提高静态性能,本设计通过蒙特卡洛分析确定电流源最佳尺寸并采用双中心版图技术;为了提高动态性... 详细信息

针对OFDM-UWB标准超宽带收发系统中数模转换器(DAC)的要求,设计了一款8位650MHz采样速率电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。为了提高静态性能,本设计通过蒙特卡洛分析确定电流源最佳尺寸并采用双中心版图技术;为了提高动态性能,文中采用共源共栅电流源结构,对开关电压降摆幅处理并在数字输入端前加入插值滤波器。测试结果表明,DAC的积分非线性(INL)和差分非线性(DNL)分别为0.3LSB和0.41LSB,650MHz转换速率下带内奈奎斯特无杂散动态范围(SFDR)为41dB。整体面积为1.8cm×1.3cm,其中DAC面积为0.8cm×0.8cm。

关键词：超宽带技术电流驱动型高速数模转换器插值滤波器

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一个6GHz宽带低相位噪声CMOS LC VCO

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 478-483页

作者：潘姚华黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器（VCO）。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO。测试结果显示,在中... 详细信息

用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器（VCO）。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO。测试结果显示,在中心频率频偏1 MHz处的相位噪声为-119 dBc/Hz,频率调谐范围为6.1~6.7GHz,对应的FOM值达到-188 dB。

关键词：压控振荡器相位噪声开关电容阵列源极反馈电阻噪声滤波

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一种新的应用于开关电容DC/DC转换器的补偿电路

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 280-285页

作者：王科军严伟李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,设计实现了输入电压范围2.7～5.5 V,负载电流高达200 mA的降压式开关电容型DC/DC转换器。为了在整个输入电压和负载电流范围内稳定输出电压,并且提高输出电压精确度,在对开关电容转换器环路建模分析后,... 详细信息

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,设计实现了输入电压范围2.7～5.5 V,负载电流高达200 mA的降压式开关电容型DC/DC转换器。为了在整个输入电压和负载电流范围内稳定输出电压,并且提高输出电压精确度,在对开关电容转换器环路建模分析后,提出了一个新的应用于开关电容DC/DC转换器的频率补偿电路。该补偿电路通过在环路中插入零极点并且将原先的主极点推至高频的方法,确保了系统良好的稳定性以及较高的输出电压精确度。流片测试结果表明:系统在整个负载电流范围内,能够保持稳定。负载调整率为0.002 7%,线性调整率为0.376%。

关键词：开关电容频率补偿直流-直流转换器

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1.25Gbps串并并串转换接收器的低抖动设计

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 99-105页

作者：刘玮肖磊杨莲兴复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对1.25Gbps应用于千兆以太网的低抖动串并并串转换接收器进行了设计,应用了带有频率辅助的双环时钟数据恢复电路,FLL扩大了时钟数据恢复电路的捕捉范围。基于三态结构的鉴频鉴相从1.25Gbps非归零数据流中提取时钟信息,驱动一个三级的电... 详细信息

对1.25Gbps应用于千兆以太网的低抖动串并并串转换接收器进行了设计,应用了带有频率辅助的双环时钟数据恢复电路,FLL扩大了时钟数据恢复电路的捕捉范围。基于三态结构的鉴频鉴相从1.25Gbps非归零数据流中提取时钟信息,驱动一个三级的电流注入环形振荡器产生1.25GHz的低抖动时钟。从低抖动考虑引入了均衡器。该串并并串转换接收器采用TSMC0.35μm2P3M3.3V/5V混合信号CMOS技术工艺。测试结果表明了输出并行数据有较好的低抖动性能:1σ随机抖动(RJ)为7.3ps,全部抖动(TJ)为58mUI。

关键词：低抖动时钟数据恢复电路压控振荡器双环鉴相器串并并串转换

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动态随机存储器器件研究进展

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中国科学：物理学、力学、天文学 2016年第10期46卷 36-45页

作者：吴俊姚尧卢细裙王鹏飞复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 详细信息

动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量.

关键词：动态随机存储器短沟道效应掩埋字线阵列访问晶体管存储电容

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65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 613-618页

作者：陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、... 详细信息

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。

关键词：工艺波动传统静态指标静态随机存取存储器测试结构四端结构

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