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  • 1,318 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室Auto-ID实验室"
1318 条 记 录,以下是131-140 订阅
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Sigma-Delta调制及其在低噪声DC-DC变换器的应用
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固体电子学研究与进展 2010年 第4期30卷 574-579页
作者: 蔡曙江 王科军 周文君 严伟 李文宏 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
分析了传统PWM调制和Sigma-Delta调制在噪声性能方面的差异,以及它们对DC-DC变换器输出噪声的影响。在Chartered 0.35μm CMOS工艺条件下实现了一个基于二阶Sigma-Delta调制的低噪声DC-DC变换器,并对其中Sigma-Delta调制模块进行了流片... 详细信息
来源: 评论
2.82~4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2012年 第5期32卷 483-488页
作者: 彭仁国 吴琦 张成 谈熙 闵昊 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从1... 详细信息
来源: 评论
应用于GSM/EDGE零中频接收机的CMOS射频前端
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2011年 第3期31卷 251-256页
作者: 熊斯 黄煜梅 洪志良 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9... 详细信息
来源: 评论
一种GSM无线发射系统中的低功耗数模转换器
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2011年 第1期31卷 90-94,101页
作者: 惠志达 袁宇丹 郭亚炜 程旭 曾晓洋 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随... 详细信息
来源: 评论
集成低噪声CMOS宽带分数分频频率综合器
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固体电子学研究与进展 2010年 第2期30卷 222-227,261页
作者: 柴路 闵昊 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
设计了一款应用于CMMB数字电视广播接收的全集成低噪声宽带频率综合器。采用三阶ΣΔ调制器小数分频器完成高精度的频率输出,使用仅一个低相位噪声的宽带VCO输出频率范围覆盖900~1 600 MHz,产生的本振信号覆盖UHF的数字电视频段(470~79... 详细信息
来源: 评论
一种高速增益单元存储器的内建自测试方案
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2012年 第2期32卷 192-197页
作者: 严冰 解玉凤 袁瑞 林殷茵 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从... 详细信息
来源: 评论
适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器
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固体电子学研究与进展 2011年 第4期31卷 398-403页
作者: 毕中裕 简文翔 金钢 彭巍 闫娜 闵昊 林殷茵 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
设计并实现了一颗适用于射频识别(RFid)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(... 详细信息
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一种数字CMOS工艺制造的10位100MS/s流水线ADC
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固体电子学研究与进展 2009年 第3期29卷 417-422,454页
作者: 王睿 顾今龙 盛云 秦亚杰 洪志良 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海201203
介绍了采用0.18μm数字工艺制造、工作在3.3V下、10位100MS/s转换速率的流水线模数转换器。提出了一种适用于1.5位MDAC的新的金属电容结构,并且使用了高带宽低功耗运算放大器、对称自举开关和体切换的PMOS开关来提高电路性能。芯片已经... 详细信息
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一种全差分的高速CMOS运算跨导放大器(OTA)的优化设计
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计算机辅助设计与图形学学报 2004年 第12期16卷 1640-1644页
作者: 迮德东 易婷 方杰 洪志良 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠 级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术 在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨... 详细信息
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La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用
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固体电子学研究与进展 2005年 第2期25卷 280-284页
作者: 钟宇 王晓光 林殷茵 黄维宁 汤庭鳌 复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433
采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底... 详细信息
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