检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2010年第9期35卷 909-912页

作者：张佶金钢吴雨欣林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加。阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点。提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念。在0.13μm工艺下... 详细信息

随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加。阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点。提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1TXR阻变存储器概念。在0.13μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1T64R结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高500%。提出了相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗。

关键词：与非三维可堆叠多层阻变存储器高密度应用

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嵌套式稀疏网格随机配置法及其在随机门延时建模中的应用

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计算机辅助设计与图形学学报 2010年第1期22卷 165-172页

作者：罗旭杨帆朱恒亮陶俊蔡伟周电曾璇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室物质计算科学教育部重点实验室上海201203 Department of Mathematics University of North Carolina at CharlotteNC 28223 USA Department of Electrical Engineering University of Texas at DallasTX 75083 USA

为了提高随机工艺偏差下门延时建模的计算精度和效率,提出一种基于扩展Gauss积分理论及嵌套式稀疏网格技术的随机配置门延时建模方法.首先采用参数空间中具有指数收敛特性的随机正交多项式对随机门延时进行逼近;然后针对现有的基于传统G... 详细信息

为了提高随机工艺偏差下门延时建模的计算精度和效率,提出一种基于扩展Gauss积分理论及嵌套式稀疏网格技术的随机配置门延时建模方法.首先采用参数空间中具有指数收敛特性的随机正交多项式对随机门延时进行逼近;然后针对现有的基于传统Gauss积分理论的稀疏网格随机配置法所用的配置点不具有嵌套特性的问题,利用单变量扩展Gauss积分理论及稀疏网格技术构造了一组嵌套式多变量Gauss积分点,将其作为随机门延时建模的配置点.这组配置点既具有Gauss积分点的高精度,又满足嵌套性质,且在低阶积分配置点上已经得到的门延时可以在高阶积分时重复使用.与现有的基于非嵌套式配置点的随机配置法相比,该方法的计算精度和效率可以得到很大的提升,数值实验结果也验证了该方法在计算精度和效率上的优势.

关键词：门延时工艺偏差扩展Gauss积分嵌套式稀疏网格随机配置法

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连续时间型ΣΔ调制器的系统级设计和建模方法

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 102-107,158页

作者：张翼叶天凤洪志良刘洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 美国模拟器件公司上海设计中心上海200021

采用冲激不变法把z域环路滤波器变换到s域,并对连续时间型ΣΔ调制器设计中的非理想因素进行系统级建模和仿真。基于低功耗设计考虑,调制器采用有源-无源混合型环路滤波器,并通过离散时间微分技术移除信号求和模块。设计实例实现了一个... 详细信息

采用冲激不变法把z域环路滤波器变换到s域,并对连续时间型ΣΔ调制器设计中的非理想因素进行系统级建模和仿真。基于低功耗设计考虑,调制器采用有源-无源混合型环路滤波器,并通过离散时间微分技术移除信号求和模块。设计实例实现了一个五阶3-bit连续时间型ΣΔ调制器,采用SMIC0.18μm1P6M标准CMOS工艺验证。芯片工作在1.8V电源电压和128MHz时钟频率,在1MHz的信号带宽内,调制器的动态范围为84dB,峰值SNR和SNDR分别为80dB和78dB,功耗为9mW。测试结果验证了设计技术和建模方法。

关键词：冲激不变法连续时间 ∑△调制器低功耗设计

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一种新的应用于降压式DC-DC变换器电流采样电路的设计

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 281-286页

作者：皮常明徐翊华周文君王晓南李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室中国人民解放军63883部队

在分析了传统的应用于大负载电流降压式DC-DC变换器电流采样电路主要缺点的基础上,提出一种新的应用于降压式DC-DC变换器的电流采样电路。该方法通过一个电阻电容网络来消除电感寄生电阻的影响,并利用开关电容积分器来实现降压式DC-DC... 详细信息

在分析了传统的应用于大负载电流降压式DC-DC变换器电流采样电路主要缺点的基础上,提出一种新的应用于降压式DC-DC变换器的电流采样电路。该方法通过一个电阻电容网络来消除电感寄生电阻的影响,并利用开关电容积分器来实现降压式DC-DC变换器的电流采样,在Chartered 0.35μm CMOS工艺下实现该电路并流片验证。最终的测试结果显示,提出的电流采样电路实现了对降压式DC-DC变换器精确的电流采样。

关键词：降压式DC-DC变换器电流采样开关电容积分器

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基于0.13μm工艺的切断反馈回路单粒子效应加固电路的研究

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复旦学报（自然科学版） 2010年第2期49卷 158-164页

作者：孙鹏沈鸣杰程君侠郑国祥曾韡复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

对0.13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进,进而提出一种新的单粒子效应加固的D触发器,在0.13μm工艺下进行了SPICE模拟验证,可以在100 MHz的工... 详细信息

对0.13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进,进而提出一种新的单粒子效应加固的D触发器,在0.13μm工艺下进行了SPICE模拟验证,可以在100 MHz的工作频率下对LET为25 MeV·cm^2/mg的单粒子轰击达到加固,相比于同类结构拥有更小的面积和功耗.

关键词： 0.13μm 漏电流单粒子效应加固 D触发器

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DMMP在纳米分子筛敏感薄膜中的解吸附特性

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传感器与微系统 2010年第1期29卷 21-23,29页

作者：姚伟纪新明周嘉包宗明鲍敏杭黄宜平复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433

分子筛膜的脱附困难是制约纳米分子筛敏感膜传感器发展的主要技术瓶颈之一,传统的高温脱附和纯氮气吹洗的方法无法有效地使纳米分子筛膜得到再生。针对Silicalite—1,ZSM—5和Cu-ZSM—5 3种纳米分子筛,利用石英晶体微天平(QCM)技术,研... 详细信息

分子筛膜的脱附困难是制约纳米分子筛敏感膜传感器发展的主要技术瓶颈之一,传统的高温脱附和纯氮气吹洗的方法无法有效地使纳米分子筛膜得到再生。针对Silicalite—1,ZSM—5和Cu-ZSM—5 3种纳米分子筛,利用石英晶体微天平(QCM)技术,研究了氮气吹洗法、高温脱附法和高频交变电场脱附法对甲基磷酸二甲酯(DMMP)气体的脱附特性。结果显示:超声频交变电场脱附法可以使脱附时间从传统方法的20 min缩短到60 s以内,并达到85%以上的脱附率,使传感器的重复性很快得到再现。

关键词：纳米分子筛类神经毒气甲基磷酸二甲酯吸附与脱附

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一种高效单相电源Ⅰ类线性音频功放的设计

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 446-452页

作者：杨姗姗冯勇洪志良刘洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 亚德诺半导体技术(上海)有限公司上海200021

采用SMIC0.18μm3.3V CMOS工艺,实现了单相电源Ⅰ类线性音频功放的设计。为了提高AB类功放的效率,设计了一种新型结构的Ⅰ类线性音频功放,并理论推导了它的效率。Ⅰ类音频放大器中的电源转换器能根据输入音频信号连续调节AB类功放的功... 详细信息

采用SMIC0.18μm3.3V CMOS工艺,实现了单相电源Ⅰ类线性音频功放的设计。为了提高AB类功放的效率,设计了一种新型结构的Ⅰ类线性音频功放,并理论推导了它的效率。Ⅰ类音频放大器中的电源转换器能根据输入音频信号连续调节AB类功放的功率电源电压以减小功率管上的压降。为了使单相电源下PMOS和NMOS功率管功耗同时得到优化,设计了增益变化的信号处理电路。输出级采用桥式结构,并由三级运放构成以提高线性度。测试结果表明,该功放向8Ω阻性负载提供功率在小于270mW范围内时,总谐波失真与噪声之和小于0.45%,最大效率达到70%;功率在100mW范围内时,效率比AB类提高了一倍,且测试效率曲线与理论推导吻合。

关键词： Ⅰ类线性音频功放电源转换器桥式结构放大器总谐波失真

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一种单平面电极阵列结构的介质上电润湿数字微流控器件

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复旦学报（自然科学版） 2010年第2期49卷 185-189页

作者：赵平安周嘉刘冉复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433

一种高介电常数(K=7.6～11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电... 详细信息

一种高介电常数(K=7.6～11.6)的有机铁电聚合物材料——偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物首次作为介质层用于介质上电润湿效应的数字微流控器件.在30 V的外加电压下,液滴与器件间的固-液接触角可以从118°下降到75°,并且呈现明显的电压极性相关性.基于此现象,设计并制作了新型的单平面电极阵列结构的数字微流控器件,简化了器件结构和工艺流程,整个工艺步骤可以与集成电路工艺兼容.新型器件成功实现了3μL的液滴的往返运输,工作电压只需20 V.

关键词：介质上电润湿数字微流控偏氟乙烯与i氟乙烯共聚物单平面电极阵列

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可进化可重构图像滤波器的设计

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复旦学报（自然科学版） 2010年第6期49卷 709-715页

作者：刘少腾来金梅陈利光童家榕鲍丽春复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 北京航天飞控中心北京100094

设计了一种新型的可重构、可进化图像滤波器.可重构电路采用了一种全新的可配置电路网络结构.该结构将功能运算单元以Benes拓扑结构互联,取代现有的MUX加功能运算单元的结构,使其具有更多条输出路径,更多运算单元参与到了进化中以提高... 详细信息

设计了一种新型的可重构、可进化图像滤波器.可重构电路采用了一种全新的可配置电路网络结构.该结构将功能运算单元以Benes拓扑结构互联,取代现有的MUX加功能运算单元的结构,使其具有更多条输出路径,更多运算单元参与到了进化中以提高进化效率.在运算单元设计方面,利用FPGA中特有的丰富LUT逻辑资源优势,设计了一种仅通过LUT配置码来控制其功能的P运算单元,节约资源且扩充了运算单元可执行的功能选项.借助于模拟退火遗传算法,通过对可重构电路配置码(基因)的不断改进和优化,该滤波器可以很好地滤除图像中的高斯噪声和椒盐噪声.实验结果表明:经过100万代进化,对于高斯噪声,噪声图像的平均每像素误差Mdpp=32.11,滤波后Mdpp=16.74,滤波质量优于一般高斯滤波器和现有的MUX加功能运算单元的可进化滤波器;对于椒盐噪声,噪声图像Mdpp=6.22,滤波后Mdpp=3.44,有效滤除了噪声.

关键词：可进化硬件图像滤波器可重构电路 Benes拓扑结构

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量子遗传算法在多输出Reed-Muller逻辑电路最佳极性搜索中的应用

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电子学报 2010年第5期38卷 1058-1063页

作者：汪鹏君李辉吴文晋王伶俐张小颖戴静宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 浙江大学数字技术及仪器研究所浙江杭州310027

量子遗传算法是一种融合量子计算和遗传算法优点的智能算法,常用于求解组合优化问题.本文给出多输出RM(Reed-Muller)逻辑电路最佳极性搜索方案,将量子遗传算法应用到多输出固定极性RM电路逻辑优化中.针对量子遗传算法易陷入局部极值的缺... 详细信息

量子遗传算法是一种融合量子计算和遗传算法优点的智能算法,常用于求解组合优化问题.本文给出多输出RM(Reed-Muller)逻辑电路最佳极性搜索方案,将量子遗传算法应用到多输出固定极性RM电路逻辑优化中.针对量子遗传算法易陷入局部极值的缺陷,结合群体灾变思想,提出一种基于量子遗传算法的多输出RM逻辑电路最佳极性搜索算法.最后对多个大规模PLA格式基准电路测试表明:该算法与基于遗传算法的最佳极性搜索相比,在优化能力、寻优性能和收敛速度等方面都有不同程度的提高.

关键词：量子遗传算法极性搜索多输出RM电路逻辑优化

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