检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2007年第1期37卷 80-84页

作者：王磊尹文婧许俊任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一种新型的CMOS自举采样电路。该电路适用于12位100 MHz采样频率的A/D转换器。采用P型栅压自举开关补偿技术,可以有效地克服采样管导通电阻变化引入的非线性失真,提高采样精度。仿真结果表明,采样时钟频率为100 MHz时,输入10 MHz... 详细信息

介绍了一种新型的CMOS自举采样电路。该电路适用于12位100 MHz采样频率的A/D转换器。采用P型栅压自举开关补偿技术,可以有效地克服采样管导通电阻变化引入的非线性失真,提高采样精度。仿真结果表明,采样时钟频率为100 MHz时,输入10 MHz信号,可得信噪失真比(SNDR)为102 dB,无杂散动态范围(SFDR)为103 dB。信号频率达到采样频率时,仍有超过85 dB的SNDR和87 dB的SFDR,满足高速高精度流水线A/D转换器对采样开关线性度和输入带宽的要求。电路采用SMIC 0.18μm CMOS数模混合工艺库实现,电源电压为1.8 V。

关键词：模数转换器 CMOS开关自举采样信噪失真比无杂散动态范围非线性失真

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全差分超级自适应偏置跨导运算放大器

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微电子学 2007年第1期37卷 67-71页

作者：蒋波韡赵怡闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一种低电压、高效率的全差分自适应偏置跨导运算放大器。采用甲乙类的差分结构作为输入级,包含一个本地共模反馈结构(LCMFB),用以提供额外的电流自举,同时也提高其增益带宽积(GBW)和达到近乎理想的电流效率。采用TSMC 0.25μm标... 详细信息

介绍了一种低电压、高效率的全差分自适应偏置跨导运算放大器。采用甲乙类的差分结构作为输入级,包含一个本地共模反馈结构(LCMFB),用以提供额外的电流自举,同时也提高其增益带宽积(GBW)和达到近乎理想的电流效率。采用TSMC 0.25μm标准工艺,实现全差分超级自适应运算放大器。为了比较,同时实现了传统的跨导运放和单端输出超级自适应运放。在10μA偏置电流和2 V工作电压下,与传统结构相比,超级自适应运放的转换速率提升了200倍,增益带宽积提高了4倍;而其全差分结构相对单端结构在几乎所有性能提升一倍的同时,还获得很好的共模抑制比和电源抑制比。

关键词：自适应偏置跨导运算放大器本地共模反馈

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多媒体SOC芯片的低功耗设计

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半导体技术 2007年第9期32卷 796-799页

作者：马庆容程君侠沈磊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

从集成电路功耗原理出发,分析了CMOS电路功耗的来源,从集成电路设计的系统级、算法级、架构级、电路/门级以及工艺/器件级五个抽象层次出发,整理、总结了当前主要的低功耗设计方法,并在实际的移动多媒体处理应用SOC芯片设计中,平衡产品... 详细信息

从集成电路功耗原理出发,分析了CMOS电路功耗的来源,从集成电路设计的系统级、算法级、架构级、电路/门级以及工艺/器件级五个抽象层次出发,整理、总结了当前主要的低功耗设计方法,并在实际的移动多媒体处理应用SOC芯片设计中,平衡产品成本、设计复杂度、设计环境等多种因素,确定并应用了适合设计对象的低功耗设计方法的组合。通过对于样片功耗的测试分析,低功耗设计方法(组合)取得了预期的效果,实现了较低的动态功耗与很低的静态功耗。

关键词：低功耗芯片上系统设计方法

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∑Δ调制器输出码流FFT谱分析的探讨

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微电子学与计算机 2007年第5期24卷 116-119页

作者：陈建球许俊任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

∑Δ调制器输出码流的频谱中含有大量高频噪声,在对其进行FFT谱分析时,需要加窗函数抑制这些高频噪声对基带噪底的泄漏。由于∑Δ调制器输出码流的噪声主要是高频噪声,因此需要滚降衰减较大的窗函数,窗函数选择不当会使其有效位数有2～... 详细信息

∑Δ调制器输出码流的频谱中含有大量高频噪声,在对其进行FFT谱分析时,需要加窗函数抑制这些高频噪声对基带噪底的泄漏。由于∑Δ调制器输出码流的噪声主要是高频噪声,因此需要滚降衰减较大的窗函数,窗函数选择不当会使其有效位数有2～6位的下降。实例表明,对于超过20bit精度的∑Δ调制器,选用Balckmanharris窗比Hanning窗更合适。

关键词： Sigma—Delta 调制器 FFT 窗函数

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窄带射频接收系统中带通Σ-Δ调制器的设计

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微电子学 2007年第4期37卷 561-565页

作者：曹楹洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种适用于无线窄带射频接收系统的带通Σ-Δ调制器,并将其成功集成于一个无线射频收发芯片之中。该调制器采用0.35μm CMOS工艺实现,采用斩波-稳零,动态元件匹配,以及正交采样等技术,提高系统的信噪比,并解决通道间失配的问题。... 详细信息

设计了一种适用于无线窄带射频接收系统的带通Σ-Δ调制器,并将其成功集成于一个无线射频收发芯片之中。该调制器采用0.35μm CMOS工艺实现,采用斩波-稳零,动态元件匹配,以及正交采样等技术,提高系统的信噪比,并解决通道间失配的问题。模拟结果表明,该电路在30 kHz带宽内,信噪比为83.4 dB,而两个通道消耗的总电流仅为1 mA。

关键词：带通∑-△调制器射频接收系统斩波-稳零动态元件匹配正交采样

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一种有效降低测试时间的SOC扫描测试设计方法

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微电子学 2007年第5期37卷 756-760页

作者：石亦欣李蔚俞军程君侠复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

随着集成电路规模的迅速增大,巨大的测试向量带来的测试成本压力已成为芯片产品成本考虑中一个不可忽略、甚至非常关键的要素。针对目前大规模SOC芯片测试成本高的问题,提出了一种通过测试扫描链复用来减少测试时间的方法。试验数据表明... 详细信息

随着集成电路规模的迅速增大,巨大的测试向量带来的测试成本压力已成为芯片产品成本考虑中一个不可忽略、甚至非常关键的要素。针对目前大规模SOC芯片测试成本高的问题,提出了一种通过测试扫描链复用来减少测试时间的方法。试验数据表明,该方法在降低测试时间的同时,保持了较高的测试覆盖率,是一种较有价值的降低SOC芯片测试成本的方法。

关键词： SOC 可测试性设计扫描测试扫描测试向量压缩技术自动测试向量产生

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一种适用于DVB-T系统的信道估计算法

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微电子学与计算机 2007年第8期24卷 56-58,62页

作者：吴王华刘志周晓方复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出了一种基于导频的信道估计算法,该算法在最小平方误差(LS)算法的基础上采用两维插值的方法估计出无线信道的频域响应,即在时域上进行线性插值,然后利用最大似然(ML)算法进行频域插值。在地面数字视频广播(DVB-T)系统中的仿真结果表... 详细信息

提出了一种基于导频的信道估计算法,该算法在最小平方误差(LS)算法的基础上采用两维插值的方法估计出无线信道的频域响应,即在时域上进行线性插值,然后利用最大似然(ML)算法进行频域插值。在地面数字视频广播(DVB-T)系统中的仿真结果表明,该复合算法具有较高的性能。

关键词：信道估计正交频分复用地面数字视频广播

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适用于Flash Memory的负高压泵的实现

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微电子学与计算机 2007年第1期24卷 21-24页

作者：周钦钱松程君侠复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出一种适用于单电源,低电压供电的FlashMemory的负高压电荷泵的实现方法。在分析传统电荷泵工作原理的基础上,结合Flash工作电压和参数要求,提出三阱工艺,无阈值损失的负高压电荷泵电路结构。最后在0.22!mFlash工艺下给出测试结果。

关键词：半导体技术快闪存储器电荷泵负高压三阱工艺

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专用DSP中的特殊运算单元的设计及实现

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微电子学与计算机 2007年第11期24卷 189-192页

作者：赵海燕周晓方闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一种称为GDSP的针对多协议处理的16位定点专用DSP,它具有一条指令完成取双操作数、运算及结果写回memory的特点,针对算法特点设计的三角函数运算单元CDC、二进制对数/指数运算的算法改进及VLSI实现的对数运算单元LOG和指数运算单... 详细信息

介绍了一种称为GDSP的针对多协议处理的16位定点专用DSP,它具有一条指令完成取双操作数、运算及结果写回memory的特点,针对算法特点设计的三角函数运算单元CDC、二进制对数/指数运算的算法改进及VLSI实现的对数运算单元LOG和指数运算单元ANTILOG,能快速精确的完成三角函数和对数/指数的求解。该DSP系统在保证精度的同时,具有强大的运算能力。

关键词： DSP 运算单元线性近似三角函数运算二进制对数/指数运算

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改进型抗单粒子效应D触发器

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半导体技术 2007年第1期32卷 26-28,32页

作者：赵金薇沈鸣杰程君侠复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度... 详细信息

在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。

关键词：抗辐射加固单粒子效应单粒子翻转单粒子瞬变 D触发器

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