检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2006年第2期36卷 205-208页

作者：张原衣晓峰洪志良复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进，在保证调谐范围的前提下，有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用了片上集成螺旋电感，采用中芯国际（SMIC）0．35μm 1P6M... 详细信息

介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进，在保证调谐范围的前提下，有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用了片上集成螺旋电感，采用中芯国际（SMIC）0．35μm 1P6M混合信号CMOS工艺。测试结果表明，该压控振荡器的可调频率为303．55GHz，在3．55GHz中心频率附近的相位噪声达到-128dBe／Hz（600kHz），整个压控振荡器的工作电压为3．3V，工作电流为13mA。

关键词：电感电容压控振荡器相位噪声频率合成器

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使用多路复用技术控制可变形反射镜

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复旦学报（自然科学版） 2006年第4期45卷 485-488,494页

作者：宋宏周嘉黄宜平复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

提出了将多路复用技术应用于可变形反射镜控制的思想,并以实验验证了其可行性.结果显示,仅用一个高压放大器,对于12个执行器的可变形反射镜,最大镜面刷新频率可达700 Hz;此数据外推可知,对于20个执行器的可变形反射镜最大刷新频率可达40... 详细信息

提出了将多路复用技术应用于可变形反射镜控制的思想,并以实验验证了其可行性.结果显示,仅用一个高压放大器,对于12个执行器的可变形反射镜,最大镜面刷新频率可达700 Hz;此数据外推可知,对于20个执行器的可变形反射镜最大刷新频率可达400 Hz.而对于400个执行器的情况,若使用20个高压放大器,最大刷新频率仍为400 Hz.与传统控制方法相比,该系统具有低功耗、低成本的优点,可用于大型、超大型自适应光学系统中变形反射镜的控制.

关键词：自适应光学可变形反射镜多路复用

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基于Lifting的小波变换通用硬件实现方法研究

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计算机工程与应用 2006年第8期42卷 87-91页

作者：王芳朱珂周晓方复旦大学微电子学系专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

文章提出了一套完整的基于Lifting算法小波通用硬件实现的流程。该方法系统分析了目前基于Lifting算法小波实现过程中的有限精度分析,基本一维、两维小波变换结构设计以及常用优化算法,提炼出了一套小波设计的通用方法。该文将以6/10小... 详细信息

文章提出了一套完整的基于Lifting算法小波通用硬件实现的流程。该方法系统分析了目前基于Lifting算法小波实现过程中的有限精度分析,基本一维、两维小波变换结构设计以及常用优化算法,提炼出了一套小波设计的通用方法。该文将以6/10小波变换为例介绍该方法的具体实现过程,为设计者提供了一整套设计一个高性能小波可遵循的流程,它可以应用于小波变换的硬件设计以及相关的基于小波变换的信号处理系统设计。

关键词：基于lifting算法的小波变换通用硬件实现小波变换结构设计

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相变存储器的高可靠性多值存储设计

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复旦学报（自然科学版） 2006年第1期45卷 49-53,72页

作者：洪洋林殷茵汤庭鳌 Bomy Chen 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 Silicon Storage Technology Inc.1171 Sonora Court

基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同... 详细信息

基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能.

关键词：相变存储器 2T2R 多值存储一维比值空间校验纠错码

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1000 BASE-T物理编码子层的硬件实现

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复旦学报（自然科学版） 2006年第1期45卷 16-20页

作者：许伟叶凡郑国祥任俊彦复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了1000 BASE-T物理编码子层(PCS)采用的4D-PAM5编码算法,分析编码算法中的一些关键性技术.提出解码流程,并给出了解码中字同步算法及其硬件结构.用Verilog HDL完成了PCS的硬件设计,进行了仿真验证,并给出了流片测试结果.

关键词：千兆以太网 1000 BASE—T 物理层物理编码子层 4D-PAM5编码

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10/100 Base-T以太网物理层的硬件验证

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微电子学 2006年第2期36卷 136-140,144页

作者：吴亮叶凡任俊彦郑国祥复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

以10/100 Base-T以太网物理层的设计为基础,分别介绍了系统级芯片数字部分的硬件加速仿真,及借助FPGA实现数模混合验证的方法,并得出了两种验证方法的对比。最后,给出了10/100 Base-T以太网物理层芯片的流片结果。测试表明,整个系统的... 详细信息

以10/100 Base-T以太网物理层的设计为基础,分别介绍了系统级芯片数字部分的硬件加速仿真,及借助FPGA实现数模混合验证的方法,并得出了两种验证方法的对比。最后,给出了10/100 Base-T以太网物理层芯片的流片结果。测试表明,整个系统的性能达到了设计要求。

关键词： 10/100 Base-T 以太网物理层验证硬件仿真现场可编程门阵列

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一个高线性功率预放大器的设计

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复旦学报（自然科学版） 2006年第4期45卷 546-549页

作者：缪卫明苏彦锋洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海士康射频技术有限公司上海200433

介绍了一个使用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器并采用0.35μm CMOS六层金属工艺实现.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器具有10 dB的功率增益,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载,并且在1.9 GHz频率处获... 详细信息

介绍了一个使用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器并采用0.35μm CMOS六层金属工艺实现.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器具有10 dB的功率增益,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载,并且在1.9 GHz频率处获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3为9.4 dBm和输出1dB压缩点OP1dB为-0.6 dBm.

关键词： CMOS 射频 AB类功率预放大器线性度

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沸石分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

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传感技术学报 2006年第5B期19卷 2111-2113,2118页

作者：杨涓涓任楠周嘉张亚红刘全黄宜平唐颐复旦大学微电子学系专用集成电路及系统国家重点实验室上海200433 复旦大学化学系上海200433

研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.4811Hz/lg(C/pp... 详细信息

研究了Cu2+-Beta型纳米分子筛对类神经毒剂DMMP有机气体的敏感特性,并结合高灵敏的石英谐振微天平(QCM)研制了DMMP气体的传感器.研究结果表明,选择Cu2+-Beta纳米分子筛作为敏感膜对DMMP气体的检测灵敏度大大提高,达到14.4811Hz/lg(C/ppm).在0.2ppmDMMP气体浓度下,传感器的响应时间和恢复时间分别为40s和100s,响应达到103Hz.同时经过高温和水汽吹扫脱附处理,该传感器表现了较好的重复性.

关键词： Cu^2+-Beta分子筛 QCM DMMP 气敏传感器

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国内RFid应用及产业研究

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中国集成电路 2006年第11期15卷 11-15,27页

作者：马庆容俞军张纲复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

介绍了RFid技术在国内的应用状况,并对其产业链的各个主要环节在国内的发展状况做了研究分析。RFid技术,尤其是在13.56MHz,已在国内得到了广泛的应用,主要集中于身份识别、公共交通管理、物流管理等领域。而UHFRFid无论从应用还是产业... 详细信息

介绍了RFid技术在国内的应用状况,并对其产业链的各个主要环节在国内的发展状况做了研究分析。RFid技术,尤其是在13.56MHz,已在国内得到了广泛的应用,主要集中于身份识别、公共交通管理、物流管理等领域。而UHFRFid无论从应用还是产业技术来看,相比13.56MHzRFid都还处于起步阶段,还没有形成完整的产业链。国内RFid发展的当务之急是建立中国自己的标准,相关工作已在进行中。

关键词： RFid 产业链

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一种1.9GHz高性能功率预放大器的设计

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微电子学 2006年第4期36卷 488-491页

作者：缪卫明苏彦锋洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 上海士康射频技术有限公司上海200433

介绍了一个基于0.35μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器。电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA。测得功率预放大器的功率增益为10 dB,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载。采用片上线性化技术,功率预... 详细信息

介绍了一个基于0.35μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器。电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA。测得功率预放大器的功率增益为10 dB,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载。采用片上线性化技术,功率预放大器在1.9 GHz频率获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3=9.4 dBm,输出1 dB压缩点OP1 dB=-0.6dBm。

关键词： CMOS 射频 AB类功率预放大器线性度

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