检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2005年第8期33卷 1467-1472页

作者：唐长文何捷菅洪彦张海青闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐... 详细信息

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性.

关键词： MOS管可变电容电感电容回路压控振荡器累积型MOS管振荡调谐曲线

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于MOSFET PDE模型的射频电路仿真算法研究

引用

固体电子学研究与进展 2005年第1期25卷 119-123,137页

作者：谭俊来金梅赵晖任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算... 详细信息

研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算法来求解该耦合系统。将上述的模型和算法用于一个压控振荡器(VCO)的瞬态特性仿真 ,模拟结果与理论分析相符。

关键词：金属氧化物半导体晶体管偏微分方程偏微分方程求解算法常微分方程代数方程耦合系统

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

总线互连线电路分析的方程建立方法

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2005年第3期17卷 407-413页

作者：刘榜曾璇童家榕复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

针对总线互连电路 ,提出了一种基于电路并行结构的电路方程建立方法该方法所建立的方程的系数矩阵均具有对称带状特性 ,且矩阵带宽大小等于互连线数目的两倍加一与传统的改进节点电压方法相比 ,该方法显著地提高了总线互连电路分析的... 详细信息

针对总线互连电路 ,提出了一种基于电路并行结构的电路方程建立方法该方法所建立的方程的系数矩阵均具有对称带状特性 ,且矩阵带宽大小等于互连线数目的两倍加一与传统的改进节点电压方法相比 ,该方法显著地提高了总线互连电路分析的效率 ,可以被方便地运用到现有的电路模拟工具中。

关键词：互连电路总线改进节点电压法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

增强型MOS变容管LCVCO增益建模

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2005年第8期17卷 1813-1817页

作者：王飞来金梅张海清孙承绶章倩苓复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LCVCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered0.35μmCMOS2P4MRF工艺实现的2.4GHzLCVCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.

关键词： LC VCO 增强型变容管大信号分析 VCO增益

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

溶胶-凝胶法制备BiFeO_3铁电薄膜的结构和特性

引用

功能材料 2005年第3期36卷 340-342,345页

作者：杨彩霞林殷茵汤庭鳌复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433

采用 sol gel 方法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备出纯相铁酸铋薄膜。采用热分析方法研究了凝胶的化学变化和析晶过程。分析讨论了退火温度对薄膜的结构和形貌的影响。并用 XRD、SEM 等手段对样品在不同温度条件退火处理后的薄膜相和形貌... 详细信息

采用 sol gel 方法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备出纯相铁酸铋薄膜。采用热分析方法研究了凝胶的化学变化和析晶过程。分析讨论了退火温度对薄膜的结构和形貌的影响。并用 XRD、SEM 等手段对样品在不同温度条件退火处理后的薄膜相和形貌进行了分析。在800℃时采用层层退火方式,有效抑制 Fe价态转化,从而降低了电子波动引发的氧空位数目,制备出纯铁相高电阻率的BiFeO3 铁电薄膜,并观测到饱和电滞回线,其 Ps 和 Pr 分别为 6.9μC/cm2 和 2.8μC/cm2。

关键词：铁酸铋溶胶-凝胶铁电薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种14位、1.4MS/s、多位量化的级联型Σ△调制器

引用

固体电子学研究与进展 2005年第1期25卷 65-71页

作者：方杰易婷迮德东郑宇驰洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

在 0 .6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合 DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的 1 .4MS/s Nyquist转换速率、1 4位分辨率模数转换器的ΣΔ调制器。该调制器采用了多位量化的级联型 (2 -1 -1 4b)结构 ,通过 Cadence Spectr... 详细信息

在 0 .6μm CMOS工艺条件下设计了一种适合 DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的 1 .4MS/s Nyquist转换速率、1 4位分辨率模数转换器的ΣΔ调制器。该调制器采用了多位量化的级联型 (2 -1 -1 4b)结构 ,通过 Cadence Spectre S仿真验证 ,在采样时钟为 2 5 MHz和过采样率为 1 6的条件下 ,该调制器可以达到 86.7d B的动态范围 ,在 3 .3 V电源电压下其总功耗为 76m W。

关键词： ∑△调制器开关电容电路模数转换器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2005年第9期17卷 2046-2052页

作者：易婷洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出... 详细信息

介绍了一个基于公式的深亚微米CMOS模拟单元电路综合系统.通过较准确地计算电路的直流工作点和MOS管的小信号参数,以及由电路拓扑结构自动生成电路性能公式对已有的基于公式的方法进行了改进;同时考虑了电路的可制造性问题,使得综合出的电路在工艺波动和工作条件变化时仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:与基于模拟器的方法相比,采用该系统可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS模拟单元电路.

关键词：模拟电路综合优化集成电路CAD

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用

引用

固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 280-284页

作者：钟宇王晓光林殷茵黄维宁汤庭鳌复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底... 详细信息

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。

关键词：镧锶钴氧钛酸铋化学溶液淀积铁电薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于蓝牙接收机基带处理的高精度ΣΔ调制器

引用

系统工程与电子技术 2005年第11期27卷 1966-1970页

作者：邹睿洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

设计了一种适用于蓝牙接收机基带频道选择的高精度ΣΔ调制器。根据功耗、稳定性以及电路实现等方面综合考虑,调制器采用了两级四阶2-2结构,采样时钟为32 MHz,过采样比为32。分析了实际电路的各项非理想因素对ΣΔ调制器性能的影响,采... 详细信息

设计了一种适用于蓝牙接收机基带频道选择的高精度ΣΔ调制器。根据功耗、稳定性以及电路实现等方面综合考虑,调制器采用了两级四阶2-2结构,采样时钟为32 MHz,过采样比为32。分析了实际电路的各项非理想因素对ΣΔ调制器性能的影响,采用栅压自举的采样开关、CMOS两级OTA组成的全差分开关电容电路实现。调制器电路基于0.35μm CMOS工艺实现,电源电压3.3 V、D/A参考电平±0.8 V。在1 MHz的Nyquist转换速率下SNR为86 dB,SNDR达到81 dB。

关键词：蓝牙接收机基带处理 ∑△调制器高精度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种CMOS全差分两级OTA建立时间的优化设计

引用

计算机辅助设计与图形学学报 2005年第9期17卷 2068-2071页

作者：邹睿迮德东洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

介绍了一种CMOS全差分两级OTA,第一级为折叠级联放大器,第二级为共源输出增益级,OTA技术采用了级联密勒电容补偿技术和开关电容共模反馈技术.在分析了OTA的零极点分布以及建立特性后,设计出一个MATLAB优化程序,找到最佳的阻尼因子和自... 详细信息

介绍了一种CMOS全差分两级OTA,第一级为折叠级联放大器,第二级为共源输出增益级,OTA技术采用了级联密勒电容补偿技术和开关电容共模反馈技术.在分析了OTA的零极点分布以及建立特性后,设计出一个MATLAB优化程序,找到最佳的阻尼因子和自然频率使OTA建立时间最小,并通过CadenceSpectre仿真表明,该OTA完全满足性能指标要求.

关键词：两级OTA 级联密勒电容补偿零极点建立时间优化程序

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：