检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 2006年第1期18卷 46-52页

作者：陈建赵长虹周电周晓方复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室ICCAD研究室上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室ICCAD研究室

在SoC的测试规划时,考虑为避免在测试过程中出现热点以及测试过程中使热量均匀分布,基于建立的问题模型得到一系列的并行测试集合,再通过Bin-Packing算法构造测试规划,并进行全局的优化.对ITC’02测试用例的实验结果表明,该方法在牺牲... 详细信息

在SoC的测试规划时,考虑为避免在测试过程中出现热点以及测试过程中使热量均匀分布,基于建立的问题模型得到一系列的并行测试集合,再通过Bin-Packing算法构造测试规划,并进行全局的优化.对ITC’02测试用例的实验结果表明,该方法在牺牲一定的测试时间的情况下,有效地控制了在测试时芯片温度的升高,从而避免出现由热量引起的一系列问题.

关键词：系统级芯片测试规划热点测试兼容图

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基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究

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物理学报 2010年第3期59卷 2057-2063页

作者：黄玥苟鸿雁廖忠伟孙清清张卫丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)c... 详细信息

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)cm~(-2)的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3-+8 V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2.01 V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9 V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.

关键词： Pt纳米晶快速热退火原子层淀积存储效应

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快速热退火对原子层淀积铂纳米颗粒的影响

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材料研究学报 2012年第3期26卷 255-260页

作者：陈红兵朱宝陈笋孙清清丁士进张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰... 详细信息

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰,形貌趋向球形,但颗粒密度稍有降低。随着在800℃退火时间从15 s增加到60 s,Pt纳米颗粒的尺寸逐渐增大,尺寸分布变得更加弥散,颗粒的密度逐渐降低;其中退火15 s后的Pt纳米颗粒密度高(9.29×10★cm-2)、分布均匀、分离清晰。900℃退火后在Pt纳米颗粒中出现部分氧化态的Pt原子,其原因可能是在高温下Pt纳米颗粒与A1_2O_3薄膜之间发生了界面化学反应。

关键词：金属材料 Pt纳米颗粒原子层淀积快速热退火

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Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

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物理学报 2009年第5期58卷 3433-3436页

作者：许军黄宇健丁士进张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μ... 详细信息

以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.

关键词：高介电常数 MIM电容 HfO2薄膜电极

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基于整体退火遗传算法的低功耗最佳极性搜索

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计算机辅助设计与图形学学报 2008年第1期20卷 73-78页

作者：汪鹏君陆金刚曾晓洋宁波大学电路与系统研究所宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应的XNOR/OR电路功耗和面积不同的特点,首先用信号概率传递算法和多输入XNOR/OR(同或/或)门的低功耗分解算法建立了XNOR/OR电路的功耗估计模型.在此基础上,将基于列表技术的极性转换算法和整体退火遗... 详细信息

针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应的XNOR/OR电路功耗和面积不同的特点,首先用信号概率传递算法和多输入XNOR/OR(同或/或)门的低功耗分解算法建立了XNOR/OR电路的功耗估计模型.在此基础上,将基于列表技术的极性转换算法和整体退火遗传算法相结合,提出了一种针对大规模XNOR/OR电路的低功耗最佳极性搜索算法.对8个较大规模MCNCBenchmark电路测试表明,该算法搜索到的最佳极性所对应的XNOR/OR电路与极性0时的XNOR/OR电路相比,平均节省功耗和面积分别达到了84.4%和65.2%.

关键词：整体退火遗传算法 XNOR/OR逻辑低功耗极性转换

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采用FDDs实现FPRM电路延时和面积优化

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西安电子科技大学学报 2013年第1期40卷 135-140页

作者：汪鹏君王振海宁波大学电路与系统研究所浙江宁波315211 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

Functional Decision Diagrams(FDDs)是Reed-Muller(RM)展开式的一种图形表达方式,其变量顺序和RM展开式极性共同决定对应电路的延时和面积.通过对FDDs和固定极性RM(FPRM)展开式的研究,提出采用FDDs的FPRM电路延时和面积优化算法.首先... 详细信息

Functional Decision Diagrams(FDDs)是Reed-Muller(RM)展开式的一种图形表达方式,其变量顺序和RM展开式极性共同决定对应电路的延时和面积.通过对FDDs和固定极性RM(FPRM)展开式的研究,提出采用FDDs的FPRM电路延时和面积优化算法.首先根据固定极性特点,利用FDDs建立FPRM电路延时估计模型;然后结合延时估计模型、列表技术和FDDs变量顺序搜索策略,按电路延时和面积对中小规模和大规模电路进行最佳极性和变量顺序搜索;最后对PLA格式的MCNC Benchmark电路进行测试,结果表明该算法对延时和面积的优化效果显著.

关键词：电路综合 FPRM FDDs 延时和面积优化

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锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性

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红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 169-171,184页

作者：胡古今商景林张婷谢婧孙璟兰褚君浩戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫... 详细信息

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫顽场为43kV/cm.大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果.室温低频限下,PZT多层膜的表观相对介电常数超过2000.极为有趣的是,在所研究的频率范围,PZT多层膜具有两种截然不同的介电驰豫.低频介电损耗峰源自空间电荷极化;而遵从Arrhen ius律的高频介电响应可能同与氧空位VO¨相关的极性缺陷复合体有关.

关键词： PZT多层膜铁电介电极性缺陷复合体

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面向深度神经网络加速芯片的高效硬件优化策略

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电子与信息学报 2021年第6期43卷 1510-1517页

作者：张萌张经纬李国庆吴瑞霞曾晓洋东南大学电子学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

轻量级神经网络部署在低功耗平台上的解决方案可有效用于无人机(UAV)检测、自动驾驶等人工智能(AI)、物联网(IOT)领域,但在资源有限情况下,同时兼顾高精度和低延时来构建深度神经网络(DNN)加速器是非常有挑战性的。该文针对此问题提出... 详细信息

轻量级神经网络部署在低功耗平台上的解决方案可有效用于无人机(UAV)检测、自动驾驶等人工智能(AI)、物联网(IOT)领域,但在资源有限情况下,同时兼顾高精度和低延时来构建深度神经网络(DNN)加速器是非常有挑战性的。该文针对此问题提出一系列高效的硬件优化策略,包括构建可堆叠共享计算引擎(PE)以平衡不同卷积中数据重用和内存访问模式的不一致;提出了可调的循环次数和通道增强方法,有效扩展加速器与外部存储器之间的访问带宽,提高DNN浅层网络计算效率;优化了预加载工作流,从整体上提高了异构系统的并行度。经Xilinx Ultra96 V2板卡验证,该文的硬件优化策略有效地改进了iSmart3-SkyNet和SkrSkr-SkyNet类的DNN加速芯片设计。结果显示,优化后的加速器每秒处理78.576帧图像,每幅图像的功耗为0.068 J。

关键词：深度神经网络目标检测神经网络加速器低功耗硬件优化

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基于转移指令特性的动态翻译算法

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上海交通大学学报 2015年第2期49卷 173-177,183页

作者：李战辉孟建熠陈志坚严晓浪浙江大学超大规模集成电路设计研究所杭州310027 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对传统方法统一转译转移指令导致翻译器效率较低的问题,基于转移目标地址在函数内外的不同特征,提出了直接映射和指令类型转译策略组合的动态翻译方法.对函数内转移指令,直接采用目标架构中对应的分支指令进行映射,通过转移前后指令... 详细信息

针对传统方法统一转译转移指令导致翻译器效率较低的问题,基于转移目标地址在函数内外的不同特征,提出了直接映射和指令类型转译策略组合的动态翻译方法.对函数内转移指令,直接采用目标架构中对应的分支指令进行映射,通过转移前后指令翻译码的无缝链接,高效转译了条件分支指令,且无需生成源寄存器到内存同步指令;对函数间转移指令,区别对待函数转移和其他转移指令,通过将源程序函数转移指令属性继承给翻译码以提高目标机转移预测器准确率.基于EEMBC(Embedded Microprocessor Benchmark Consortium)测试基准的实验表明,该方法使转移指令翻译码执行指令数平均减少58.9%,转移预测器命中率平均提高80.7%,翻译器整体性能提高12.3%.

关键词：动态翻译转移指令直接映射转移预测器

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基于高速缓存负荷均衡的动态二进制翻译研究

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计算机研究与发展 2015年第9期52卷 2105-2113页

作者：李战辉刘畅孟建熠严晓浪浙江大学超大规模集成电路设计研究所杭州310027 专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学) 上海201203

针对动态翻译时指令和数据高速缓存访问负荷大幅增加且增幅不均衡导致翻译器性能下降的问题,提出基于指令高速缓存与数据高速缓存访问负荷动态均衡的软硬件协同翻译方法.该方法为处理器设计高速缓存负荷平衡状态,该状态将数据高速缓存... 详细信息

针对动态翻译时指令和数据高速缓存访问负荷大幅增加且增幅不均衡导致翻译器性能下降的问题,提出基于指令高速缓存与数据高速缓存访问负荷动态均衡的软硬件协同翻译方法.该方法为处理器设计高速缓存负荷平衡状态,该状态将数据高速缓存分为普通区和负荷平衡区(load balancing area,LBA),普通区缓存正常的程序数据,负荷平衡区通过负荷转化通道(load transforming channel,LTC)吸收动态翻译器调度器地址空间转换操作在指令高速缓存上产生的部分负荷,以提高数据高速缓存利用率.EEMBC(embedded microprocessor benchmark consortium)测试基准实验结果表明,在同等处理器资源的情况下,该方法将指令高速缓存访问次数平均减少35%,数据高速缓存访问次数平均减少58%,动态翻译器综合性能提高171%.

关键词：动态二进制翻译间接转移翻译高速缓存负荷负荷平衡区负荷转换通道

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