检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 2006年第1期18卷 46-52页

作者：陈建赵长虹周电周晓方复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室ICCAD研究室上海200433 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室ICCAD研究室

在SoC的测试规划时,考虑为避免在测试过程中出现热点以及测试过程中使热量均匀分布,基于建立的问题模型得到一系列的并行测试集合,再通过Bin-Packing算法构造测试规划,并进行全局的优化.对ITC’02测试用例的实验结果表明,该方法在牺牲... 详细信息

在SoC的测试规划时,考虑为避免在测试过程中出现热点以及测试过程中使热量均匀分布,基于建立的问题模型得到一系列的并行测试集合,再通过Bin-Packing算法构造测试规划,并进行全局的优化.对ITC’02测试用例的实验结果表明,该方法在牺牲一定的测试时间的情况下,有效地控制了在测试时芯片温度的升高,从而避免出现由热量引起的一系列问题.

关键词：系统级芯片测试规划热点测试兼容图

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基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究

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物理学报 2010年第3期59卷 2057-2063页

作者：黄玥苟鸿雁廖忠伟孙清清张卫丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)c... 详细信息

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为3.0×10~(11)cm~(-2)的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3-+8 V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2.01 V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9 V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.

关键词： Pt纳米晶快速热退火原子层淀积存储效应

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快速热退火对原子层淀积铂纳米颗粒的影响

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材料研究学报 2012年第3期26卷 255-260页

作者：陈红兵朱宝陈笋孙清清丁士进张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰... 详细信息

以(MeCp)Pt(CH3)3和O_2为反应源,采用原子层淀积(ALD)技术在A1_2O_3衬底上制备Pt纳米颗粒,研究了在氮气中快速热退火对Pt纳米颗粒的特性的影响。结果表明,随着退火温度从700℃升高到900℃,Pt纳米颗粒尺寸逐渐增大,颗粒之间分离愈加清晰,形貌趋向球形,但颗粒密度稍有降低。随着在800℃退火时间从15 s增加到60 s,Pt纳米颗粒的尺寸逐渐增大,尺寸分布变得更加弥散,颗粒的密度逐渐降低;其中退火15 s后的Pt纳米颗粒密度高(9.29×10★cm-2)、分布均匀、分离清晰。900℃退火后在Pt纳米颗粒中出现部分氧化态的Pt原子,其原因可能是在高温下Pt纳米颗粒与A1_2O_3薄膜之间发生了界面化学反应。

关键词：金属材料 Pt纳米颗粒原子层淀积快速热退火

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Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

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物理学报 2009年第5期58卷 3433-3436页

作者：许军黄宇健丁士进张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μ... 详细信息

以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.

关键词：高介电常数 MIM电容 HfO2薄膜电极

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面向深度神经网络加速芯片的高效硬件优化策略

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电子与信息学报 2021年第6期43卷 1510-1517页

作者：张萌张经纬李国庆吴瑞霞曾晓洋东南大学电子学院国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

轻量级神经网络部署在低功耗平台上的解决方案可有效用于无人机(UAV)检测、自动驾驶等人工智能(AI)、物联网(IOT)领域,但在资源有限情况下,同时兼顾高精度和低延时来构建深度神经网络(DNN)加速器是非常有挑战性的。该文针对此问题提出... 详细信息

轻量级神经网络部署在低功耗平台上的解决方案可有效用于无人机(UAV)检测、自动驾驶等人工智能(AI)、物联网(IOT)领域,但在资源有限情况下,同时兼顾高精度和低延时来构建深度神经网络(DNN)加速器是非常有挑战性的。该文针对此问题提出一系列高效的硬件优化策略,包括构建可堆叠共享计算引擎(PE)以平衡不同卷积中数据重用和内存访问模式的不一致;提出了可调的循环次数和通道增强方法,有效扩展加速器与外部存储器之间的访问带宽,提高DNN浅层网络计算效率;优化了预加载工作流,从整体上提高了异构系统的并行度。经Xilinx Ultra96 V2板卡验证,该文的硬件优化策略有效地改进了iSmart3-SkyNet和SkrSkr-SkyNet类的DNN加速芯片设计。结果显示,优化后的加速器每秒处理78.576帧图像,每幅图像的功耗为0.068 J。

关键词：深度神经网络目标检测神经网络加速器低功耗硬件优化

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对称加密算法AES和DES的差分错误分析

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复旦学报（自然科学版） 2013年第3期52卷 297-302页

作者：孙维东俞军沈磊复旦大学微电子研究院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

分析对称加密算法AES和DES对差分错误分析的安全性.描述了一种针对AES加密算法的差分错误分析方法,通过软件模拟成功恢复根密钥.实验结果表明,只需20次左右的错误注入就能实现AES差分错误分析.提出一种新的DES差分错误分析方法,该方法与... 详细信息

分析对称加密算法AES和DES对差分错误分析的安全性.描述了一种针对AES加密算法的差分错误分析方法,通过软件模拟成功恢复根密钥.实验结果表明,只需20次左右的错误注入就能实现AES差分错误分析.提出一种新的DES差分错误分析方法,该方法与AES差分错误分析在原理上类似,软件模拟结果表明破解DES需要的错误注入次数更多.因此无任何防护手段的AES和DES加密算法很容易受到差分错误分析的攻击.最后提出引入错误侦测机制能有效抵御此类攻击.

关键词：高级加密标准数据加密标准差分错误分析智能卡

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两种级联交错相位调制归零码的100Gbit/s传输

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光电子．激光 2010年第9期21卷 1315-1319页

作者：邵宇丰贺志学迟楠方武良张俊文黄博复旦大学通信科学与工程系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 武汉邮电科学研究院光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹)武汉430074

在级联相位调制的100 Gbit/s光信号传输系统中,提出了占空比为33%的光交错相移键控归零码(RZ-SDPSK)和占空比为67%的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ-SDPSK)的产生和检测方案。通过50 km的普通单模光纤(SMF)和8 km的色散补偿光纤(DCF... 详细信息

在级联相位调制的100 Gbit/s光信号传输系统中,提出了占空比为33%的光交错相移键控归零码(RZ-SDPSK)和占空比为67%的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ-SDPSK)的产生和检测方案。通过50 km的普通单模光纤(SMF)和8 km的色散补偿光纤(DCF)传输后,当入纤功率相同时,CSRZ-SDPSK码具有较高的色散容限;如果仅考虑一阶偏振模色散(PMD),RZ-SDPSK信号具有较好的抗PMD特性。入纤功率在0～10dBm范围内调节时,两种码型码有相似的传输特性。通过125 GHz带宽的三阶高斯滤波器后,RZ-SDPSK码接收性能较优,并且三阶高斯带通滤波器(DBPF)的带宽值必须大于100 GHz,才能有效地恢复信号时钟。

关键词：光纤通信交错相位调制非归零(NRZ) 归零(RZ) 100Gbit/s

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电学双稳态聚合物基非挥发存储器及其导电机理研究进展

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功能材料与器件学报 2011年第3期17卷 267-273页

作者：黄玥专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子研究院上海200433

本文较系统地介绍了电学双稳态聚合物基存储器的基本特性和结构,并对聚合物存储器中高低阻态之间相互转换的物理和化学机制进行了比较全面的综述,从而为进一步研究电学双稳态聚合物基非挥发存储器提出了有益的指导。

关键词：聚合物非挥发存储器导电机制

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基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究

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物理学报 2007年第7期56卷 4224-4228页

作者：张祖发张胤冯洁蔡燕飞林殷茵蔡炳初汤庭鳌 Bomy Chen 上海交通大学"薄膜与微细技术"教育部重点实验室"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室微纳科学技术研究院上海200030 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433 Silicon Storage Technology Inc. Sunnyvale

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及... 详细信息

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.

关键词：相变存储器硫系化合物 Si掺杂Sb2Te3 薄膜 SET/RESET转变

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可扩展的航天器电子系统架构模型

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系统工程与电子技术 2013年第2期35卷 263-269页

作者：游红俊陈伟男周学功卫新国成飞蔡曦复旦大学计算机科学技术学院上海200433 上海航天电子技术研究所上海201109 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 上海卫星工程研究所上海201111

航天器电子系统架构是航天器能够进行在轨模块外部更换的关键技术之一。传统的航天器电子系统架构不具备可扩展性,难以满足航天器在轨服务期间功能模块改变、有效载荷等下位机数量和类型的功能变换和功能扩展的需求。针对这些问题,提出... 详细信息

航天器电子系统架构是航天器能够进行在轨模块外部更换的关键技术之一。传统的航天器电子系统架构不具备可扩展性,难以满足航天器在轨服务期间功能模块改变、有效载荷等下位机数量和类型的功能变换和功能扩展的需求。针对这些问题,提出一种可扩展的航天器电子系统架构模型。该架构遵循层次化总线通信原则,通过电子数据表格(electronic data sheet,EDS)和下位机任务桩来对下位机进行动态维护管理,将下位机的电源配置和管理功能从硬件模块层提升到平台软件层实现,为不同的在轨服务需求提供了实用解决方案。该模型可以有效实现不同功能模块和下位机之间的自动集成,使在轨外部模块更换成为可能。

关键词：系统级设计体系结构接口综合即插即用

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