检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2023年第1期53卷 1-7页

作者：李海鸥余新洁陈永和傅涛谢仕锋张卫尹怡辉曾丽珍桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 中国电子科技集团公司第三十四研究所广西桂林541004 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真... 详细信息

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0~4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14)dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。

关键词：低噪声放大器自偏置 ADS 负反馈 GaAs

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基于变压器匹配的5G通信手机功率放大器设计

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微电子学 2021年第6期51卷 833-837页

作者：谢志远李杰郭磊赵灏尹怡辉张卫李琦孙堂友刘兴鹏陈永和李海鸥桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 中国电子科技集团公司第三十四研究所广西桂林541004 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

基于AWSC 2μm的HBT工艺,设计了一种用于5G通信N77频段(3.3~4.2 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式,显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率,解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明,在N77工作频段内... 详细信息

基于AWSC 2μm的HBT工艺,设计了一种用于5G通信N77频段(3.3~4.2 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式,显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率,解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明,在N77工作频段内,该功率放大器的增益为36~38 dBm,输出功率1 dB压缩点为37 dBm,输出功率1 dB压缩点处的功率附加效率为49.3%,输出功率28.5 dBm处的功率附加效率为16.5%、相邻频道泄漏比为-38.2 dBc。

关键词：功率放大器 HBT 变压器 5G

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非接触式IC卡片上天线的优化设计

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微处理机 2005年第1期26卷 40-43页

作者：高丹王元徐元森中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文以非接触式IC卡为应用背景,从片上天线的集总模型出发,根据对具体天线的仿真分析,发现在较低频率下工作在谐振条件的片上天线能提供给负载的能量不如非谐振时多,提出在设计非接触式IC卡片上天线时,不应考虑天线电路是否谐振,而应从... 详细信息

本文以非接触式IC卡为应用背景,从片上天线的集总模型出发,根据对具体天线的仿真分析,发现在较低频率下工作在谐振条件的片上天线能提供给负载的能量不如非谐振时多,提出在设计非接触式IC卡片上天线时,不应考虑天线电路是否谐振,而应从能量供给的角度来优化片上天线的设计。

关键词：片上天线非接触式IC卡 CMOS

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基于物联网技术的冰箱食物管理系统设计与实现

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移动信息 2020年第12期 56-57页

作者：王若涵李露露王俊宇复旦大学第二附属中学上海200433 专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学) 上海201203 珠海复旦创新研究院广东珠海518057

全球每年食物损失或浪费严重,其中约43%的食物浪费是由家庭行为造成,研究表明使用冰箱是家庭节约食物、减少浪费的重要一环,而食物保质期标签缺失或标记不清是冰箱食物浪费严重的重要原因。市面上智能冰箱能够进行温度调控和保质期提醒... 详细信息

全球每年食物损失或浪费严重,其中约43%的食物浪费是由家庭行为造成,研究表明使用冰箱是家庭节约食物、减少浪费的重要一环,而食物保质期标签缺失或标记不清是冰箱食物浪费严重的重要原因。市面上智能冰箱能够进行温度调控和保质期提醒,减少冰箱食物浪费,但由于价格昂贵、占用空间大,普通家庭望而却步。文章基于普通冰箱和NFC标签,设计一种基于物联网的食物智能管理系统,并开发手机App原型系统,验证系统能够实现冰箱单件食物的保质期提醒,并随时查看冰箱内食物储存情况,从而减少食物浪费,改良家庭消费习惯。

关键词：物联网 NFC 智能冰箱食物智能管理

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原子层沉积一步法AION膜制备工艺研究及其在硅基太阳能电池上的应用

原子层沉积一步法AION膜制备工艺研究及其在硅基太阳能电池上的应...

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：陈宏彦卢红亮杨晓峰张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(～1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用... 详细信息

目前,研究人员对A12O3薄膜的光伏应用研究主要集中在硅基太阳能电池的背钝化上.然而,对于A12O3作为硅基太阳能电池正面钝化膜的研究却很少.主要原因是A12O3材料的折射率较低(～1.63@550),难以在硅基太阳能电池正面形成有效的减反射作用.为了克服这一问题,提出了基于原子层沉积(ALD)技术的一步法制备AlON薄膜新工艺.该工艺通过等离子增强型ALD设备(PEALD),可将反应温度降低至185℃.有别于传统ALD生长时两种前驱体交替通入的生长模式,本工作通过将两种气体前驱体(NH3、O2)同时通入反应腔,以实现N与O的同时掺杂.由图1可见,通过控制薄膜制备过程中的NH3与O2比例,所制得AION薄膜的折射率可以在1.63至2.1(@550nm)范围内连续可调,这为减反射膜系设计带来了极大便利.由图2所示,相于A1N与A12O3,经过折射率与膜厚优化后的AION膜可使硅表面的反射率在550nm处进一步降低5-8％.

关键词：氮氧化铝薄膜原子层沉积减反射性能硅基太阳能电池

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基于叠层结构的非晶铟镓锌氧(a一IGZO)薄膜晶体管的性能优化研究

基于叠层结构的非晶铟镓锌氧(a一IGZO)薄膜晶体管的性能优化研究

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：王韬卢红亮杨建国刘文军张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜... 详细信息

非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜力的有源层材料.本论文采用直流磁控溅射方法制备了叠层非晶IGZO薄膜(氮掺杂IGZO/非晶IGZO/氮掺杂IGZO),将其作为沟道层制备了IGZO薄膜晶体管(TFT),并对器件电学特性和稳定性进行了研究,取得了如下研究成果:1)N掺杂的顶部IGZO薄膜可以有效的阻挡水分子的吸附,并且N掺杂底部IGZO薄膜可以明显降低介质层与沟道层界面陷阱密度;2)直流磁控溅射方法原位掺杂N元素制备叠层IGZO薄膜有着良好的电学性能,通过对N掺杂薄膜厚度的合理搭配,得到的叠层沟道结构TFT具有很好的电学特性,即沟道载流子迁移率达到27.9cm2/Vs,亚阈值摆幅为0.21V/decade,是非掺杂IGZO薄膜TFT器件的1/3,电流开关比达到3.1xl07;3)研究了不同沟道结构IGZO TFT器件在正向栅压应力(PGS,Positive Gate bias Stress)下阈值电压偏移的物理过程.对于界面陷阱或绝缘层内陷阱较多的α-IGZO TFT器件,在PGS下阈值电压正向偏移主要是由于栅绝缘层内陷阱或界面陷阱对沟道电子的捕获,被捕获的电子积累在栅绝缘层内屏蔽了部分栅压,为了使得TFT器件到达正常的开启电流,需要更大的栅压来产生更多的沟道电子.在这种俘获机制中,测试的器件转移特性曲线随着应力时间的增大向正方向平移.随着应力时间的累积,其捕获电子的总数不断增加,阈值电压正向偏移的幅度也越来越大.

关键词：薄膜晶体管非晶铟镓锌氧半导体直流磁控溅射叠层结构电学特性稳定性评价

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原子层沉积ZnO/Cu/ZnO透明导电膜的电学、光学特性研究

原子层沉积ZnO/Cu/ZnO透明导电膜的电学、光学特性研究

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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会

作者：马宏平王韬卢红亮张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海智能电子与系统研究院上海200433中国

获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构... 详细信息

获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构的TCO薄膜。利用光学光谱仪和四探针测量仪测试薄膜的光学和电学特性,并利用X射线衍射和透射电子显微镜观察和表征薄膜的细微结构。实验结果显示铜层的厚度对多层膜的光电特性有很大的影响,当铜层厚度增加时,薄膜的电阻率会不断降低,但是透过率也会随之降低。通过分析发现当铜层厚度为14 nm时,电阻率可以低至～3 x 10-4n_cm,同时在可见光区域的平均透过率也能够达到65％。对于ALD初步实现TCO薄膜的制备,就能够达到如此良好的光电特性,说明ALD技术具有制备优异透明导电膜的巨大应用潜力。通过进一步研究和ALD工艺参数的优化,相信利用ALD能够制备出更低电阻率和更高透过率的TCO薄膜。

关键词：透明导电膜原子层沉积电阻率透过率

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集成电路光刻机精密运动台控制方法综述

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长春工业大学学报 2022年第4期43卷 419-427页

作者：姜龙滨刘维珂杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

关键词：光刻机迭代学习控制扰动观测器同步控制主动减振控制

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基于重掺杂的谐振式传感器频率温度系数补偿研究

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传感器与微系统 2016年第2期35卷 39-41,45页

作者：杨力建游卫龙张磊杨恒李昕欣复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100040

MEMS谐振式传感器具有精度高、准数字输出、抗干扰能力强等特点,高精度压力传感器、应力传感器等多采用谐振式工作原理。频率温度系数补偿是实现高精度谐振式传感器的关键技术。通过实验研究了利用重掺杂改善硅频率温度系数的技术。实... 详细信息

MEMS谐振式传感器具有精度高、准数字输出、抗干扰能力强等特点,高精度压力传感器、应力传感器等多采用谐振式工作原理。频率温度系数补偿是实现高精度谐振式传感器的关键技术。通过实验研究了利用重掺杂改善硅频率温度系数的技术。实验表明:P型掺杂浓度达到7×1019/cm3时,〈110〉晶向频率温度系数降低到-11.68×10-6/K;N型掺杂浓度达到6×1019/cm3时,〈100〉晶向谐振频率是温度的二次函数,在80℃左右频率温度系数有过零点。首次实验演示了利用低功耗加热控制结合N型重掺杂,当环境温度由30℃变化到40℃时,谐振频率温度漂移仅为1.13×10-7/℃。利用该技术可实现超高温度稳定性的谐振式传感器。

关键词：谐振式传感器振荡器频率温度系数温度补偿

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两种级联交错相位调制归零码的100Gbit/s传输

两种级联交错相位调制归零码的100Gbit/s传输

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全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议

作者：邵宇丰贺志学迟楠专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学通信科学与工程系上海 200433 光纤通信技术和网络国家重点实验室(筹) 武汉邮电科学研究院武汉 430074

本文在级联相位调制的100Gbit/s光信号传输系统中，提出了两种新码型-占空比为33％的光交错相移键控归零码(RZ—SDPSK)和占空比为67％的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ—SDPSK)的产生和检测方案。通过50km的普通单模光纤(SMD)和8km... 详细信息

本文在级联相位调制的100Gbit/s光信号传输系统中，提出了两种新码型-占空比为33％的光交错相移键控归零码(RZ—SDPSK)和占空比为67％的光交错相移键控载波抑制归零码(CSRZ—SDPSK)的产生和检测方案。通过50km的普通单模光纤(SMD)和8km的色散补偿光纤(DCF)传输后，当入纤功率相同时，CSRZ—SDPSK码具有较高的色散容限:如果仅考虑一阶偏振模色散，RZ-SDPSK信号具有较好的抗偏振模色散特性。入纤功率在0～10dBm的范围内调节时，两种码型码有相似的传输特性。通过125GHz带宽的三阶高斯滤波器后，RZ—SDPSK码接收性能较优，并且三阶高斯滤波器的带宽值必须大于100GHz，才能有效地恢复信号时钟。

关键词：光纤通信数据传输相位调制色散补偿

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