检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2010年第4期30卷 574-579页

作者：蔡曙江王科军周文君严伟李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

分析了传统PWM调制和Sigma-Delta调制在噪声性能方面的差异,以及它们对DC-DC变换器输出噪声的影响。在Chartered 0.35μm CMOS工艺条件下实现了一个基于二阶Sigma-Delta调制的低噪声DC-DC变换器,并对其中Sigma-Delta调制模块进行了流片... 详细信息

分析了传统PWM调制和Sigma-Delta调制在噪声性能方面的差异,以及它们对DC-DC变换器输出噪声的影响。在Chartered 0.35μm CMOS工艺条件下实现了一个基于二阶Sigma-Delta调制的低噪声DC-DC变换器,并对其中Sigma-Delta调制模块进行了流片验证。测试结果表明,Sigma-Delta调制模块能够将环路带宽内噪声抑制到-50 dB左右,并且未引入与开关频率有关的谐波成分。仿真结果表明,DC-DC变换器输出电压噪底能够达到-60 dB以下。

关键词： PWM调制 Sigma-Delta调制噪声整形低噪声DC-DC变换器

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应用于GSM/EDGE零中频接收机的CMOS射频前端

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 251-256页

作者：熊斯黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9... 详细信息

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm。芯片测试结果表明:射频前端在900 MHz频带的噪声系数为2.9 dB,输入三阶交调点为-12.8 dBm,在1 800 MHz频带的噪声系数为3.2 dB,输入三阶交调点为-11.9 dBm。工作在1.2 V电源电压时,射频前端在900 MHz频带和1 800 MHz频带消耗的电流分别为16.3 mA和18.3 mA。

关键词：全球移动通讯系统射频前端低噪声放大器混频器

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2.82～4.04GHz CMOS差分调谐LC VCO的设计

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固体电子学研究与进展 2012年第5期32卷 483-488页

作者：彭仁国吴琦张成谈熙闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从1... 详细信息

通过对SMIC 0.13μm CMOS工艺的反型MOS电容的特性研究与测试验证,实现了一个2.82~4.04GHz的低调谐增益变化、低子带频率间隔变化、差分调谐宽带电感电容压控振荡器(LC VCO)。测试结果显示,频率覆盖范围为2.82~4.04 GHz,子带间距变化从12~6.9 MHz,中心差分调谐增益从23~17 MHz/V,相位噪声在频偏1 MHz处为-113^-118 dBc/Hz。

关键词：宽带压控振荡器反型金属氧化物半导体电容差分调谐 Kvco 相噪子带频率间隔

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全集成低噪声CMOS宽带分数分频频率综合器

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 222-227,261页

作者：柴路闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一款应用于CMMB数字电视广播接收的全集成低噪声宽带频率综合器。采用三阶ΣΔ调制器小数分频器完成高精度的频率输出,使用仅一个低相位噪声的宽带VCO输出频率范围覆盖900~1 600 MHz,产生的本振信号覆盖UHF的数字电视频段（470~79... 详细信息

设计了一款应用于CMMB数字电视广播接收的全集成低噪声宽带频率综合器。采用三阶ΣΔ调制器小数分频器完成高精度的频率输出,使用仅一个低相位噪声的宽带VCO输出频率范围覆盖900~1 600 MHz,产生的本振信号覆盖UHF的数字电视频段（470~790 MHz）。设计中的频率综合器能在所有的频道下保证环路的稳定以及最小的环路性能偏差。测试结果表明,整个频率综合器的带内相位噪声小于-85 dBc/Hz,并且带外相位噪声在1MHz时均小于-121 dBc/Hz,总的频率综合器锁定时间小于300μs。设计在UMC 0.18μm RFCMOS工艺下实现,芯片面积小于0.6 mm2,在1.8 V电源电压的测试条件下,总功耗小于22 mW。

关键词：数字电视全集成低噪声频率综合器

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一种GSM无线发射系统中的低功耗数模转换器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 90-94,101页

作者：惠志达袁宇丹郭亚炜程旭曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随... 详细信息

针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随机误差对DAC静态非线性的影响,使得DAC的电流源阵列的面积只有0.02 mm2,而DAC的整体面积也只有0.04 mm2。测试结果表明,DAC的积分非线性(INL)和差分非线性(DNL)分别为0.62 LSB和0.68 LSB,GSM标准信号带宽内的无杂散动态范围(SFDR)为72 dB,整体功耗低于1.4 mW。

关键词：无线发射系统低电压低功耗电流驱动型数模转换器

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一种全差分的高速CMOS运算跨导放大器(OTA)的优化设计

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计算机辅助设计与图形学学报 2004年第12期16卷 1640-1644页

作者：迮德东易婷方杰洪志良复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨... 详细信息

全差分高速CMOS运算跨导放大器由一个折叠级联输入级和一个共源输出增益级构成 ,并采用Cascode补偿技术在对运算跨导放大器的性能做了详细的分析后 ,设计出一个采用单纯形优化算法的优化程序 ,它能够快速地设计出满足指标的运算跨导放大器

关键词：运算跨导放大器(OTA) 折叠-级联放大器代价函数单纯形算法

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适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 398-403页

作者：毕中裕简文翔金钢彭巍闫娜闵昊林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(... 详细信息

设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片。提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感放大器,实现了低功耗读出。芯片在640 kb/s数据率下的读功耗为2.2μA,在5 kb/s的写数据率下的写功耗为18.5μA。芯片采用SMIC 0.13μm标准CMOS工艺制造,存储器总面积为0.39 mm2。

关键词：阻变存储器低功耗射频识别标签高压稳压环路电容分压

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一种高速增益单元存储器的内建自测试方案

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固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 192-197页

作者：严冰解玉凤袁瑞林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从... 详细信息

介绍了一种用于测试高速增益单元嵌入式动态随机存储器的内建自测试方案。该方案包括了指令集设计和体系结构设计。四级指令流水线的引入使全速测试成为可能。该设计方案可以通过执行不同的测试指令,对待测存储器执行多种类型的测试,从而达到较高的故障覆盖率。该内建自测试模块被集成在了一个存储容量为8kb的增益单元嵌入式动态随机存储器芯片中,并在中芯国际0.13μm标准逻辑工艺下进行了流片验证。芯片测试结果表明,该内建自测试方案可以在多种测试模式下对待测存储器执行全速测试,提高了测试速度,降低了对自动测试设备的性能要求,提高了测试的效率。

关键词：内建自测试增益单元嵌入式动态随机存储器

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一种数字CMOS工艺制造的10位100MS/s流水线ADC

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 417-422,454页

作者：王睿顾今龙盛云秦亚杰洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了采用0.18μm数字工艺制造、工作在3.3V下、10位100MS/s转换速率的流水线模数转换器。提出了一种适用于1.5位MDAC的新的金属电容结构,并且使用了高带宽低功耗运算放大器、对称自举开关和体切换的PMOS开关来提高电路性能。芯片已经... 详细信息

介绍了采用0.18μm数字工艺制造、工作在3.3V下、10位100MS/s转换速率的流水线模数转换器。提出了一种适用于1.5位MDAC的新的金属电容结构,并且使用了高带宽低功耗运算放大器、对称自举开关和体切换的PMOS开关来提高电路性能。芯片已经通过流片验证,版图面积为1.35mm×0.99mm,功耗为175mW。14.7MS/s转换速率下测得的DNL和INL分别为0.2LSB和0.45LSB,100MS/s转换速率下测得的DNL和INL分别为1LSB和2.7LSB,SINAD为49.4dB,SFDR为66.8dB。

关键词：流水线模数转换器数字工艺金属叉指电容对称自举开关体切换开关

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La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的化学溶液淀积法制备与表征及其应用

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固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 280-284页

作者：钟宇王晓光林殷茵黄维宁汤庭鳌复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底... 详细信息

采用化学溶液淀积法制备了具有纯钙钛矿结构和良好导电性能的La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3(LSCO)薄膜。LSCO的电阻率随着退火温度的升高、退火时间的增长和厚度增加而减小。650°C退火可以得到7mΩ·cm的电阻率。分别在LSCO和Pt衬底上制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)薄膜,分析结果表明,使用LSCO衬底对BTO的析晶有影响,击穿电压、铁电特性均有较大改善。

关键词：镧锶钴氧钛酸铋化学溶液淀积铁电薄膜

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