检索结果-内蒙古大学图书馆

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

作者：薛亚芬张荣福肖鹏程光电信息与计算机工程学院上海理工大学上海复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201603

基于ADS软件采用高电子迁移率晶体管VMMK-1225设计了一工作频率为24GHz的低噪声放大器.仿真结果表明在24GHz处噪声系数小于2,增益大于9,稳定系数大于1,输入与输出的电压驻波比都小于2.该放大器可应用于射频识别、雷达接收系统和汽车导... 详细信息

基于ADS软件采用高电子迁移率晶体管VMMK-1225设计了一工作频率为24GHz的低噪声放大器.仿真结果表明在24GHz处噪声系数小于2,增益大于9,稳定系数大于1,输入与输出的电压驻波比都小于2.该放大器可应用于射频识别、雷达接收系统和汽车导航系统等领域.

关键词：低噪声放大器设计方法噪声系数增益特性稳定系数

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InGaAs MOSFET的电容电压特性

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微电子学 2015年第1期45卷 140-144页

作者：陈军黄大鸣复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降... 详细信息

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。

关键词： InGaAs MOSFET 电容电压特性量子效应

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单平面EWOD器件在化学发光检测中的可靠性研究

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复旦学报（自然科学版） 2015年第6期54卷 721-727页

作者：章凯迪曾智曾祥宇陶国炜周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 复旦大学微电子学院上海200433

研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40... 详细信息

研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40mm/s;二是通过设置片上加热器解决了Teflon的失效问题,使用1W功率加热5min实现片上疏水角恢复至120°.集成嵌入式加热器的EWOD器件用于葡萄糖检测时,最高灵敏度达到0.12V/(μmol·L^(-1)),检测范围1~20 000μmol/L,最低检测限为1μmol/L.

关键词：介质上的电润湿可靠性化学荧光法葡萄糖检测

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基于历史长度自适应的分支预测方法

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计算机辅助设计与图形学学报 2015年第4期27卷 764-770页

作者：赵朝君陈晨陈志坚孟建熠浙江大学超大规模集成电路研究所杭州310027 复旦大学专用集成电路域系统国家重点实验室上海201203

通过研究处理器动态分支预测器中预测效率与分支历史长度的关系,针对程序中各分支指令存在不同最优历史长度的规律,提出一种搜索各分支指令最佳历史长度的分支预测方法.该方法通过实时监测分支指令的预测准确率,在分支预测表硬件资源不... 详细信息

通过研究处理器动态分支预测器中预测效率与分支历史长度的关系,针对程序中各分支指令存在不同最优历史长度的规律,提出一种搜索各分支指令最佳历史长度的分支预测方法.该方法通过实时监测分支指令的预测准确率,在分支预测表硬件资源不变的情况下动态调整预测器的历史长度,以适应程序的动态运行特征.实验结果表明,在相同硬件资源下,文中方法相对于Gshare预测器错误率降低15.8%,相对于Bi-mode预测器预测错误率降低10.3%.

关键词：分支预测分支别名错误率监测历史长度自适应

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一种基于自适应非均匀网格的晶体管表格模型

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复旦学报（自然科学版） 2015年第2期54卷 175-183页

作者：李潇杨帆吴大可周振亚曾璇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 北京华大九天软件有限公司北京100102

提出一种通过自适应建立非均匀网格来构建晶体管表格近似模型的方法,该方法借助哈希映射和辅助查找表能快速查找表格中的待计算点.自适应的非均匀网格构建方法继承了基于树状模型近似方法自适应划分的优势,克服了树状结构中单元查找速... 详细信息

提出一种通过自适应建立非均匀网格来构建晶体管表格近似模型的方法,该方法借助哈希映射和辅助查找表能快速查找表格中的待计算点.自适应的非均匀网格构建方法继承了基于树状模型近似方法自适应划分的优势,克服了树状结构中单元查找速度慢的问题.通过在非均匀网格上进行三次Hermite样条插值来保证表格模型计算的连续性和平滑性,克服了树状结构模型中导数不连续导致收敛困难的问题.实验结果表明该方法可显著加速仿真过程中晶体管模型计算过程,以可接受的内存需求有效缩短电路仿真中瞬态分析的时间并获得较高的精度.

关键词：表格模型晶体管非均匀网格电路仿真

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高压LDMOS击穿电压退化机理研究

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固体电子学研究与进展 2015年第4期35卷 371-376页

作者：金锋徐向明宁开明钱文生王惠惠邓彤王鹏飞张卫专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学上海200433 上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201206

以700V超高压LDMOS器件为例,对击穿电压的退化机理进行了物理解析及失效机理的理论分析,发现栅致漏极漏电(Gate induced drain leakage,GIDL)应力会诱导击穿电压退化,提出了多晶硅栅下场氧鸟嘴处电场强度是影响LDMOS击穿电压可靠性的重... 详细信息

以700V超高压LDMOS器件为例,对击穿电压的退化机理进行了物理解析及失效机理的理论分析,发现栅致漏极漏电(Gate induced drain leakage,GIDL)应力会诱导击穿电压退化,提出了多晶硅栅下场氧鸟嘴处电场强度是影响LDMOS击穿电压可靠性的重要因素。通过TCAD仿真进行确认,提出器件在版图和工艺方面的优化方案,最终通过流片验证了失效机理的正确性。硅片级和封装级的可靠性评估结果显示,优化后的器件击穿电压退化的问题得到解决并满足应用的要求。

关键词：高压横向扩散金属氧化物半导体击穿电压退化栅致漏极漏电可靠性

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面向任务级的多核密码处理器数据分配机制

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计算机工程与设计 2015年第1期36卷 98-102页

作者：戴乐育李伟徐金甫李军伟信息工程大学河南郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为解决在多核密码处理器算法映射中单密码算法高速实现、多密码算法并行实现和复杂信息安全协议实现带来的数据分配问题,对多核密码处理器密码算法的映射方式进行研究,对多核密码处理器进行任务级划分,构建信息安全系统的使用需求、多... 详细信息

为解决在多核密码处理器算法映射中单密码算法高速实现、多密码算法并行实现和复杂信息安全协议实现带来的数据分配问题,对多核密码处理器密码算法的映射方式进行研究,对多核密码处理器进行任务级划分,构建信息安全系统的使用需求、多核密码处理器密码算法的映射方式和多核密码处理器的数据分配方式三者之间的桥梁,提出一种面向任务级的多核密码处理器的数据分配机制。对比实验结果表明,面向任务级的数据分配机制具有更高的性能和灵活性。

关键词：信息安全多核密码处理器密码算法映射任务级数据分配机制

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面向多核的ECC加速阵列研究与设计

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微电子学与计算机 2015年第10期32卷 41-45,49页

作者：王威严迎健李博李伟解放军信息工程大学河南郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了使密码多核处理器支持ECC密码算法,提取ECC运算操作特征,设计了一种面向密码多核处理器的ECC加速阵列结构,可实现640bit以内任意长度的双域(素域和二元域)ECC密码算法,有效支持高并行度的ECC加速算法和多ECC算法并行计算.在CMOS 0.1... 详细信息

为了使密码多核处理器支持ECC密码算法,提取ECC运算操作特征,设计了一种面向密码多核处理器的ECC加速阵列结构,可实现640bit以内任意长度的双域(素域和二元域)ECC密码算法,有效支持高并行度的ECC加速算法和多ECC算法并行计算.在CMOS 0.18μm工艺库下综合并布局布线,电路最大时钟频率238 MHz,和其他文献相比,此算法的运算速度有所提高,算法支持范围更广.

关键词：密码多核处理器 ECC密码算法加速阵列双域可伸缩

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多核密码处理器的数据分配控制器研究与设计

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小型微型计算机系统 2015年第9期36卷 2140-2143页

作者：戴乐育徐金甫李伟解放军信息工程大学三院四教郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了解决在提供复杂多样的高速信息安全服务时日益凸显的数据分配问题,对多核密码处理的数据分配特征进行了分析,设计了多核密码处理器数据分配控制器,实现了多核密码处理器的快速灵活分配.特别针对数据分配控制器任务解析及数据传输的... 详细信息

为了解决在提供复杂多样的高速信息安全服务时日益凸显的数据分配问题,对多核密码处理的数据分配特征进行了分析,设计了多核密码处理器数据分配控制器,实现了多核密码处理器的快速灵活分配.特别针对数据分配控制器任务解析及数据传输的问题,设计了任务引导单元和快速传输通道.在CMOS 65nm工艺下综合,数据分配控制器的最高时钟频率可达到638M Hz.实验结果证明,本文设计的数据分配控制器具有更高的数据分配效率和灵活性.

关键词：信息安全多核密码处理器信息安全协议数据分配控制器任务引导单元

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双域可重构CIOS模乘器的研究与设计

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微电子学 2015年第4期45卷 502-506页

作者：王威严迎建李伟李默然解放军信息工程大学郑州450001 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为提高ECC处理器中模乘的运算速度,并支持长度可重构的双域（素域和二元域）模乘计算,分析了CIOS模乘算法的并行性,提出了适用于硬件并行加速的双参数CIOS算法,设计了6级流水线以及多字数据并行运算的模乘硬件电路,可实现1 152位以内任... 详细信息

为提高ECC处理器中模乘的运算速度,并支持长度可重构的双域（素域和二元域）模乘计算,分析了CIOS模乘算法的并行性,提出了适用于硬件并行加速的双参数CIOS算法,设计了6级流水线以及多字数据并行运算的模乘硬件电路,可实现1 152位以内任意长度的双域模乘运算。在CMOS 0.18μm工艺库下综合并布局布线,电路最大时钟频率为238MHz。与其他文献的运算时间相比,160~1 024位模乘运算时间减少了17%~40%。

关键词： ECC处理器 CIOS模乘算法并行计算

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