检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2013年第2期33卷 175-178页

作者：陈刚解玉凤林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.... 详细信息

介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8～3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。

关键词：互补型金属氧化物半导体温度传感器亚阈值区低功耗宽电压范围电源抑制比

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一种高效的模拟波形数据压缩方法

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复旦学报（自然科学版） 2013年第4期52卷 486-491页

作者：刘毅杨帆曾璇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

随着集成电路规模的增加,电路仿真的波形数据量也急剧膨胀.为了降低存储量,提出了一种高效的模拟波形数据压缩方法.该压缩方法是流压缩方法,采用预测、量化、编码等技术,所需的数据缓冲存储量很小,可在电路仿真时对仿真波形进行实时压... 详细信息

随着集成电路规模的增加,电路仿真的波形数据量也急剧膨胀.为了降低存储量,提出了一种高效的模拟波形数据压缩方法.该压缩方法是流压缩方法,采用预测、量化、编码等技术,所需的数据缓冲存储量很小,可在电路仿真时对仿真波形进行实时压缩和输出.在保持数据精度的同时,该方法可以达到很高的压缩比.该方法计算复杂度低,可以处理大数据量的波形文件,是一种非常实用的压缩方法.实际电路的仿真波形压缩测试结果表明,当波形误差在0.1%左右时,压缩文件大小仅为原文件的10%左右,极大地降低了数据存储量.

关键词：集成电路仿真波形压缩方法

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先进逻辑工艺下SRAM漏电流测试

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复旦学报（自然科学版） 2013年第4期52卷 535-540,546页

作者：陈浩董庆马亚楠林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏... 详细信息

对于65nm及以下的先进逻辑工艺,SRAM的漏电流功耗占据了保持状态下功耗的一半以上,成为降低功耗的主要瓶颈之一.精确测量漏电流成为优化工艺从而降低功耗的先决条件.在保持SRAM原有版图环境不变的情况下,通过对SRAM施加不同激励,将栅漏电流、结漏电流和衬底漏电流这3种漏电流有效地区分出来.通过大量的测试,得到在不同温度下SRAM漏电流的相应数据结果用以分析,并对漏电流在整片晶圆内的系统波动和局部随机波动进行了讨论.

关键词：漏电流 SRAM 测试方法四端结构随机波动

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用于高性能电流舵型DAC的数字校准模块

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复旦学报（自然科学版） 2013年第4期52卷 517-525页

作者：林宇婧程龙叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201303

提出了一种用于14-bit 400MS/s电流舵型数字模拟转换器的数字校准模块.在校准关闭时,该模块仅作为温度计译码器进行编码转换.在校准开启时,校准开关基于一个低频校准时钟,依次对电流单元进行校准.由于使用单一频率的校准时钟会在SFDR中... 详细信息

提出了一种用于14-bit 400MS/s电流舵型数字模拟转换器的数字校准模块.在校准关闭时,该模块仅作为温度计译码器进行编码转换.在校准开启时,校准开关基于一个低频校准时钟,依次对电流单元进行校准.由于使用单一频率的校准时钟会在SFDR中引入杂散尖峰,降低DAC的动态性能,所以本设计中的数字校准时钟模块采用了LFSR与CA叠加的结构,在频带上提供近似白噪声的输出控制信号.该数字模块采用SMICCMOS 0.18μm 1P6M工艺,电源电压为1.8V.研究结果表明,在200MHz下,对5MHz的输入信号,模块开启后,SFDR的提升接近18dB.可知,该模块可以大幅提高数模转换器的SFDR,可用于高性能电流舵型DAC中.

关键词：电流舵型数模转换器 LFSR CA 数字校准

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应用于TV Tuner的片上LDO设计

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复旦学报（自然科学版） 2013年第4期52卷 492-496,504页

作者：张艺武王俊宇唐长文复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

给出了一种应用于电视调谐器(TV Tuner)中的片上低压差线性稳压器(LDO)的设计方案.分别设计了一个瞬态增强型的LDO和一个低噪声高电源抑制比(PSR)的LDO,芯片在0.18μm CMOS工艺下流片,面积分别为0.014mm2与0.045mm2.瞬态增强LDO在负载从... 详细信息

给出了一种应用于电视调谐器(TV Tuner)中的片上低压差线性稳压器(LDO)的设计方案.分别设计了一个瞬态增强型的LDO和一个低噪声高电源抑制比(PSR)的LDO,芯片在0.18μm CMOS工艺下流片,面积分别为0.014mm2与0.045mm2.瞬态增强LDO在负载从0变化到30mA时,输出动态电压变化为100mV;低噪声高PSR LDO 100Hz到100kHz的积分噪声为9.2μV,PSR在1kHz处为-80dB,在1MHz下为-46dB.

关键词：片上LDO TV Tuner 瞬态增强LDO 高PSR 低噪声

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全数字锁相环中宽带数控振荡器设计

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复旦学报（自然科学版） 2013年第4期52卷 505-511,516页

作者：韩晖翔俞思辰闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

在TSMC 65nm工艺下设计了一个调谐范围为3～5GHz、用于全数字锁相环的宽带数控LC振荡器.该振荡器的电容阵列分成粗调、中调和细调三个阵列,其中粗调为MIM开关电容,中调和细调采用数控人造介质(DiCAD)实现.测试结果表明:当中心频率为3GHz... 详细信息

在TSMC 65nm工艺下设计了一个调谐范围为3～5GHz、用于全数字锁相环的宽带数控LC振荡器.该振荡器的电容阵列分成粗调、中调和细调三个阵列,其中粗调为MIM开关电容,中调和细调采用数控人造介质(DiCAD)实现.测试结果表明:当中心频率为3GHz和5GHz时,频偏1MHz处相位噪声分别为-123dBc/Hz和-116dBc/Hz,功耗分别为12mA和5mA.

关键词：数控振荡器宽带数控人造介质相位噪声

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一种12-bit 50-MS/s 4-mW带比较器失调校正的逐次逼近型模数转换器

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复旦学报（自然科学版） 2013年第3期52卷 314-320,327页

作者：林涛顾蔚如王明硕叶凡许俊任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文设计了一款低功耗12-bit 50-MS/s逐次逼近型模数转换器,提出了一种动态比较器失调电压校正技术,取代了采用预放大器降低比较器失调电压的传统方法,解决了比较器低功耗和高精度之间的矛盾;基于时分复用的方法,改进了转换器核心数字逻... 详细信息

本文设计了一款低功耗12-bit 50-MS/s逐次逼近型模数转换器,提出了一种动态比较器失调电压校正技术,取代了采用预放大器降低比较器失调电压的传统方法,解决了比较器低功耗和高精度之间的矛盾;基于时分复用的方法,改进了转换器核心数字逻辑,只需传统结构1/2的硬件电路便能实现相同的功能.此外,本文针对桥接电容和寄生电容引入的非线性问题做了详细的分析和公式推导.本设计采用SMIC 65nm标准CMOS工艺,核心芯片供电电压为1.2V,采样速率为50MS/s,版图后仿真结果表明,该ADC可达到71.5dB的信噪比和84.5dB的无杂散动态范围,功耗为4mW,芯片核心面积为0.3×0.2mm2.

关键词：逐次逼近型模数转换器桥接电容比较器失调校正时分复用

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应用于全数字锁相环的3.44～5.25GHz,FOM值为182dBc/Hz的低功耗数控振荡器设计

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复旦学报（自然科学版） 2013年第4期52卷 512-516页

作者：牛杨杨李巍李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一个应用于全数字锁相环的宽带电感电容数控振荡器(DCO).通过设计粗调谐电容阵列、中等调谐电容阵列和精细调谐电容阵列,实现了宽的调谐范围.采用NMOS和PMOS互补型交叉耦合电路,实现了低功耗、高优值(FOM)的振荡器.设计采用TSMC 0... 详细信息

设计了一个应用于全数字锁相环的宽带电感电容数控振荡器(DCO).通过设计粗调谐电容阵列、中等调谐电容阵列和精细调谐电容阵列,实现了宽的调谐范围.采用NMOS和PMOS互补型交叉耦合电路,实现了低功耗、高优值(FOM)的振荡器.设计采用TSMC 0.13μm CMOS工艺,电源电压为1.2V.测试结果表明,DCO的调谐范围达到3.44～5.25GHz,调谐百分比为41.7%.在4.06GHz频率处,振荡器电路在1MHz频偏处的相位噪声为-117.6 dBc/Hz.在调谐范围内,设计的DCO电路在1 MHz频偏处的FOM值为182～185.5dBc/Hz.功耗为1.44～3.6mW.

关键词：数控振荡器宽带全数字锁相环

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基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

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复旦学报（自然科学版） 2013年第3期52卷 292-296页

作者：朱伟简文翔薛晓勇林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压... 详细信息

研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.

关键词：阻变式随机存储器总剂量辐照 CuxSiyO 60Coγ射线

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具有低功耗和多值存储性能的双层WO_X/AlON阻变存储器的研究

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复旦学报（自然科学版） 2013年第3期52卷 309-313页

作者：田晓鹏林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低... 详细信息

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低的操作电压,以及多值存储等性能.针对WOX/AlONRRAM,提出了WOX介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型.在直流置位(DC set)过程中,电路中存在一个较大的过冲电流,使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态.在增加WOX介质层后,在WOX层和AlON层间形成了界面肖特基势垒,因此有效地抵抗了过冲电流,提高了低阻态的可控性.

关键词： WOx AlON WOx/AlON reset电流多值存储

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