检索结果-内蒙古大学图书馆

微波学报 2012年第S1期28卷 178-181页

作者：肖鹏程曾力熊友符黄俊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200120 重庆邮电大学信号与信息处理重庆市重点实验室重庆400065

介绍一种SIR谐振环采用伪交指结构设计微带带通滤波器的设计方法。仿真与实测结果表明该滤波器阻带性能优良,尺寸很小,利于系统小型化设计。为了使滤波器具有更加陡峭的边缘特性,我们在设计中引入马刺线,结果表明引入马刺线后,滤波器尺... 详细信息

介绍一种SIR谐振环采用伪交指结构设计微带带通滤波器的设计方法。仿真与实测结果表明该滤波器阻带性能优良,尺寸很小,利于系统小型化设计。为了使滤波器具有更加陡峭的边缘特性,我们在设计中引入马刺线,结果表明引入马刺线后,滤波器尺寸变化不大,阻带性能和通带选择性则更加优良。

关键词： SIR 马刺线嵌套发夹型谐振环小型化

来源：评论

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一种新型EBG单元结构的微带带阻滤波器

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微波学报 2012年第S1期28卷 218-220页

作者：熊友符曾力肖鹏程郭晓金黄俊重庆邮电大学信号与信息处理重庆市重点实验室重庆400065 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200120

提出了一种新的EBG单元结构,分析了基于该单元结构设计微带带阻滤波器的传输特性与该单元结构几何尺寸的关系,并通过仿真软件HFSS对其传输特性进行了仿真,采用FR4板制作出实际微带带阻滤波器进行了测试验证,测试结果与仿真分析结果是一... 详细信息

提出了一种新的EBG单元结构,分析了基于该单元结构设计微带带阻滤波器的传输特性与该单元结构几何尺寸的关系,并通过仿真软件HFSS对其传输特性进行了仿真,采用FR4板制作出实际微带带阻滤波器进行了测试验证,测试结果与仿真分析结果是一致,表明该EBG单元设计带阻滤波器的可行性。

关键词： EBG 微带带阻滤波器传输特性

来源：评论

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支节线加载DGS谐振环微带双频滤波器设计

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微波学报 2012年第S1期28卷 162-165页

作者：曾力肖鹏程熊友符郭晓金黄俊重庆邮电大学信号与信息处理重庆市重点实验室重庆400065 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200120

提出了一种新型微带双频滤波器结构,即在地板上蚀刻出支节线加载的DGS谐振环,通过地平面上方的馈线耦合馈电的方式设计双频滤波器。HFSS仿真和实际测试研究结果表明,本文提出的滤波器具有结构紧凑、易于引入传输零点从而提高阻带特性、... 详细信息

提出了一种新型微带双频滤波器结构,即在地板上蚀刻出支节线加载的DGS谐振环,通过地平面上方的馈线耦合馈电的方式设计双频滤波器。HFSS仿真和实际测试研究结果表明,本文提出的滤波器具有结构紧凑、易于引入传输零点从而提高阻带特性、两个通带频率容易控制的优点。

关键词： SLR DGS 双频带通滤波器 HFSS

来源：评论

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一种带有马刺线的微带带阻滤波器

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微波学报 2012年第S1期28卷 210-212页

作者：曾力肖鹏程熊友符郭晓金黄俊重庆邮电大学信号与信息处理重庆市重点实验室重庆400065 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200120

提出了一种新的EBG单元结构,为了进一步提高带阻滤波器的带阻特性,还引入了马刺线的设计。仿真分析了基于该EBG单元结构设计的微带带阻滤波器传输特性与单元结构几何尺寸的关系,对比分析了带有马刺线和不带有马刺线的测试结果。研究结... 详细信息

提出了一种新的EBG单元结构,为了进一步提高带阻滤波器的带阻特性,还引入了马刺线的设计。仿真分析了基于该EBG单元结构设计的微带带阻滤波器传输特性与单元结构几何尺寸的关系,对比分析了带有马刺线和不带有马刺线的测试结果。研究结果表明,马刺线的引入可使滤波器阻带深度提高约45dB,5个EBG单元构成的带阻滤波器阻带深度达70dB,而通带特性基本不变。

关键词： EBG 马刺线微带带阻滤波器

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基于微环谐振腔和OFDM技术的慢光缓存

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光通信研究 2012年第6期 25-27页

作者：张自然朱江波张俊文陶理邵宇丰迟楠复旦大学通信科学与工程系信息科学与技术学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

提出一种新的具有较大带宽延时积(BDP)的光缓存结构。该结构基于一个单独的微环谐振腔和一个OFDM(正交频分复用)技术的发射机。较大的带宽延时积是通过将数据分布在OFDM的子载波上然后由谐振腔来获得的。建立了一个包括整个系统的数值模... 详细信息

提出一种新的具有较大带宽延时积(BDP)的光缓存结构。该结构基于一个单独的微环谐振腔和一个OFDM(正交频分复用)技术的发射机。较大的带宽延时积是通过将数据分布在OFDM的子载波上然后由谐振腔来获得的。建立了一个包括整个系统的数值模型,并且在仅考虑5条子载波的仿真中实现了较大的带宽延时积。

关键词：光子集成微环谐振腔慢光

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OFDM系统模拟前端非理想因素的估计补偿

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计算机工程 2012年第22期38卷 15-18,23页

作者：陈昊聂彧李凯叶凡任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 复旦大学微纳电子科技创新平台上海201203

针对正交频分复用系统中3种模拟前端非理想因素(载波频偏、IQ失配、采样频偏)影响系统性能的问题,提出一种新颖的联合估计与补偿算法。在时域对载波频偏和IQ失配进行估计与补偿,在频域对残余载波频偏与采样频偏进行估计与补偿。仿真结... 详细信息

针对正交频分复用系统中3种模拟前端非理想因素(载波频偏、IQ失配、采样频偏)影响系统性能的问题,提出一种新颖的联合估计与补偿算法。在时域对载波频偏和IQ失配进行估计与补偿,在频域对残余载波频偏与采样频偏进行估计与补偿。仿真结果表明,与一些传统算法相比,该算法能利用更少的数据辅助资源,提高估计精度,即使存在较大非理想因素的影响,仍能够提供较低的误码率。

关键词：正交频分复用载波频偏 IQ失配采样频偏估计补偿

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基于多核架构适用于LTE标准的FFT算法研究与实现

基于多核架构适用于LTE标准的FFT算法研究与实现

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第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术

作者：徐虎雄盛嘉奕陈赟虞志益复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于多核架构提出了一种适用于长期演进技术(LTE)下行链路128～2048/1536点快速傅里叶变换(FFT)计算的算法,并进行了仿真.利用多核结构将FFT算法进行并行划分,采用流水线并行和数据并行的结构,减少运行时间.同时将该算法基于一块使用TSM... 详细信息

基于多核架构提出了一种适用于长期演进技术(LTE)下行链路128～2048/1536点快速傅里叶变换(FFT)计算的算法,并进行了仿真.利用多核结构将FFT算法进行并行划分,采用流水线并行和数据并行的结构,减少运行时间.同时将该算法基于一块使用TSMC65nm工艺制成的多核芯片上实现,在750 MHz的工作频率下,计算128～2048/1536点FFT的芯片实测功耗为282～366mW,能量效率为每点35.4～84.33nJ.与其他设计相比,运行速度最多能提高近6倍,计算大点数FFT时,能量效率可提高约20％.

关键词：无线通讯数据处理傅里叶变换算法长期演进技术

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LTE中灵活并行无冲突Turbo码交织器的实现

LTE中灵活并行无冲突Turbo码交织器的实现

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第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术

作者：黄跃斌陈赟曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

为了满足LTE标准中Turbo译码器并行高速的译码要求,设计了一种支持并行译码、存储器访问无冲突的交织器结构.通过对交织器计算公式的推导简化,降低了交织器地址计算的复杂度,同时减少了地址计算单元,只需要一个块地址计算单元即可得到... 详细信息

为了满足LTE标准中Turbo译码器并行高速的译码要求,设计了一种支持并行译码、存储器访问无冲突的交织器结构.通过对交织器计算公式的推导简化,降低了交织器地址计算的复杂度,同时减少了地址计算单元,只需要一个块地址计算单元即可得到所有存储器的块地址值以及置换网络的控制值.该交织器结构能够实时计算交织地址值,同时灵活性非常高,能够支持多种并行度切换的Turbo译码器.设计的结构在SMIC0.13μm工艺下完成综合,面积为0.023mm2,等效门数为4.5k,最高时钟频率为315MHz.

关键词： Turbo译码器结构设计数据存储

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基于CuxSiyO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

基于CuxSiyO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能

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第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术

作者：朱伟简文翔薛晓勇林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、... 详细信息

研究了基于Cux SiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60Co释放出的y射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.

关键词：阻变式随机存储器抗总剂量辐照性能阻变材料

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具有低功耗和多值存储性能的双层WOx/AlON阻变存储器的研究

具有低功耗和多值存储性能的双层WOx/AlON阻变存储器的研究

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第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术

作者：田晓鹏林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOx/AlON RRAM具有低至10 μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低... 详细信息

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOx/AlON RRAM具有低至10 μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低的操作电压,以及多值存储等性能.针对WOx/AlONRRAM,提出了WOx介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型.在直流置位(DC set)过程中,电路中存在一个较大的过冲电流,使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态.在增加WOx介质层后,在WOx层和AlON层间形成了界面肖特基势垒,因此有效地抵抗了过冲电流,提高了低阻态的可控性.

关键词：阻变存储器多值存储性能结构优化

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