检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 2011年第7期31卷 67-74页

作者：邹书敏邵宇丰郑曦方武良李欣颖迟楠复旦大学通信科学与工程系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于双臂马赫-曾德尔调制器(MZM)产生全光正交频分复用信号的原理,讨论了正交光子载波的产生由MZM的射频驱动和直流偏置电压决定的特性;并对基于载波抖动对系统的损伤定义了一个新的参数——载波均衡,以准确地描述产生全光正交频... 详细信息

研究了基于双臂马赫-曾德尔调制器(MZM)产生全光正交频分复用信号的原理,讨论了正交光子载波的产生由MZM的射频驱动和直流偏置电压决定的特性;并对基于载波抖动对系统的损伤定义了一个新的参数——载波均衡,以准确地描述产生全光正交频分复用载波的传输性能。根据选择的载波均衡参数,得到了产生2,3,4和5条正交光载波的最佳工作点;在接收端采用改进的马赫-曾德尔延时干涉仪和光门实现全光离散傅里叶变换,并测得了光门的相位取值和接收端滤波器带宽对接收信号误码性能的影响;最后研究了基于5条正交光边带100 Gb/s全光正交频分复用的传输系统性能。

关键词：光纤通信全光正交频分复用双臂马赫-曾德尔调制器马赫-曾德尔延时干涉仪光门

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用于DC-DC变换器中稳定性保护模块的设计

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 404-410页

作者：徐翊华蒋何李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对现代电子系统中预偏置电压保护与电压边际界限的情况,提出了一种应用于DC/DC数字控制芯片的预偏置电压保护与电压边际界限功能模块的设计。利用CPLD验证该模块的正确性,实现了预偏置电压保护与电压边际界限功能。

关键词：开关电源预偏置电压保护电压边际界限数字控制

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一种基于开关电容的可配置多模滤波器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 95-101页

作者：郑震湘付文汇孟彬易婷洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种基于开关电容的可配置多模滤波器,由模拟信号处理模块、数字控制模块和参考电压电流源组成;通过数字控制模块配置滤波器工作在旁路、低通、带通、自适应工作状态,同时实现低通滤波器截止频率和带通滤波器中心频率可调;自适应... 详细信息

设计了一种基于开关电容的可配置多模滤波器,由模拟信号处理模块、数字控制模块和参考电压电流源组成;通过数字控制模块配置滤波器工作在旁路、低通、带通、自适应工作状态,同时实现低通滤波器截止频率和带通滤波器中心频率可调;自适应滤波器截止频率和中心频率能准确跟随输入信号主频率。整个电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,电源电压3.3 V,功耗仅为1.4 mW。芯片测试结果表明,芯片达到设计的功能和性能。

关键词：多模滤波器开关电容可配置模拟处理器

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应用于多模接收机的低功耗可编程增益放大器

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 245-250页

作者：王玉吉张成闫娜闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

对多模接收机的应用,提出了引入一条闭环伪通路技术结构的可编程增益放大器,在保持一定的线性度及噪声性能的基础上,以较低的功耗实现较大的带宽。该电路增益步长为2 dB,增益变化范围1～39 dB。电路中内嵌了直流失调消除模块防止直流漂... 详细信息

对多模接收机的应用,提出了引入一条闭环伪通路技术结构的可编程增益放大器,在保持一定的线性度及噪声性能的基础上,以较低的功耗实现较大的带宽。该电路增益步长为2 dB,增益变化范围1～39 dB。电路中内嵌了直流失调消除模块防止直流漂移引起的阻塞。芯片采用SMIC 0.13μm 1P8M RFCMOS工艺实现。测试结果表明,在1.2 V电源电压、电压增益为30 dB情况下,芯片输出三阶交调点为27.5 dBm,在最大增益处的噪声系数为25 dB,核心电路功耗仅为2.8 mW。

关键词：可编程增益放大器直流失调消除多模接收机

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一种带有插值滤波器的8位650MHz采样速率数字模拟转换器

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 606-612页

作者：哈钱钱叶凡陈迟晓朱晓石李宁任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对OFDM-UWB标准超宽带收发系统中数模转换器(DAC)的要求,设计了一款8位650MHz采样速率电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。为了提高静态性能,本设计通过蒙特卡洛分析确定电流源最佳尺寸并采用双中心版图技术;为了提高动态性... 详细信息

针对OFDM-UWB标准超宽带收发系统中数模转换器(DAC)的要求,设计了一款8位650MHz采样速率电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。为了提高静态性能,本设计通过蒙特卡洛分析确定电流源最佳尺寸并采用双中心版图技术;为了提高动态性能,文中采用共源共栅电流源结构,对开关电压降摆幅处理并在数字输入端前加入插值滤波器。测试结果表明,DAC的积分非线性(INL)和差分非线性(DNL)分别为0.3LSB和0.41LSB,650MHz转换速率下带内奈奎斯特无杂散动态范围(SFDR)为41dB。整体面积为1.8cm×1.3cm,其中DAC面积为0.8cm×0.8cm。

关键词：超宽带技术电流驱动型高速数模转换器插值滤波器

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一个6GHz宽带低相位噪声CMOS LC VCO

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 478-483页

作者：潘姚华黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器（VCO）。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO。测试结果显示,在中... 详细信息

用SMIC 0.13μm CMOS工艺实现了一个低相位噪声的6 GHz压控振荡器（VCO）。在对其相位噪声分析的基础上,通过改进和优化传统的调谐单元和噪声滤波电路以及加入源极负反馈电阻实现了一个宽带、低增益、低相位噪声VCO。测试结果显示,在中心频率频偏1 MHz处的相位噪声为-119 dBc/Hz,频率调谐范围为6.1~6.7GHz,对应的FOM值达到-188 dB。

关键词：压控振荡器相位噪声开关电容阵列源极反馈电阻噪声滤波

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一种新的应用于开关电容DC/DC转换器的补偿电路

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 280-285页

作者：王科军严伟李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,设计实现了输入电压范围2.7～5.5 V,负载电流高达200 mA的降压式开关电容型DC/DC转换器。为了在整个输入电压和负载电流范围内稳定输出电压,并且提高输出电压精确度,在对开关电容转换器环路建模分析后,... 详细信息

采用Chartered 0.35μm CMOS工艺,设计实现了输入电压范围2.7～5.5 V,负载电流高达200 mA的降压式开关电容型DC/DC转换器。为了在整个输入电压和负载电流范围内稳定输出电压,并且提高输出电压精确度,在对开关电容转换器环路建模分析后,提出了一个新的应用于开关电容DC/DC转换器的频率补偿电路。该补偿电路通过在环路中插入零极点并且将原先的主极点推至高频的方法,确保了系统良好的稳定性以及较高的输出电压精确度。流片测试结果表明:系统在整个负载电流范围内,能够保持稳定。负载调整率为0.002 7%,线性调整率为0.376%。

关键词：开关电容频率补偿直流-直流转换器

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65nm SRAM传统静态指标的测试方案及研究

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 613-618页

作者：陈凤娇简文翔董庆袁瑞林殷茵复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、... 详细信息

65nm及其以下工艺,工艺波动对SRAM性能影响越来越大。SRAM读写噪声容限能够反映SRAM性能的好坏,对于预测SRAM良率有着重要的作用。采用一种新型测试结构测量SRAM读写噪声容限(即SRAM传统静态指标),该测试结构能够测量65nm SRAM在保持、读、写三种操作下的指标:Hold SNM,RSNM,N-curve,WNM。为了解决其它测试方法存在的测试工作量大和IR drop(压降)等问题,该测试结构采用四端结构引出SRAM的内部存储结点,通过译码器选中特定的SRAM单元进行测试,解决了端口复用问题。提出的测试结构已在SIMC65nm CMOS标准工艺上流片验证,并测得相应数据。

关键词：工艺波动传统静态指标静态随机存取存储器测试结构四端结构

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应用于GSM/EDGE零中频接收机的CMOS射频前端

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 251-256页

作者：熊斯黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9... 详细信息

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900 MHz/1 800 MHz)GSM/EDGE系统。射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器。该电路采用0.13μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm。芯片测试结果表明:射频前端在900 MHz频带的噪声系数为2.9 dB,输入三阶交调点为-12.8 dBm,在1 800 MHz频带的噪声系数为3.2 dB,输入三阶交调点为-11.9 dBm。工作在1.2 V电源电压时,射频前端在900 MHz频带和1 800 MHz频带消耗的电流分别为16.3 mA和18.3 mA。

关键词：全球移动通讯系统射频前端低噪声放大器混频器

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一种GSM无线发射系统中的低功耗数模转换器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 90-94,101页

作者：惠志达袁宇丹郭亚炜程旭曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随... 详细信息

针对GSM标准无线发射系统中数模转换器(DAC)的要求,分析了影响其性能和功耗的限制因素,并在SMIC 0.13μm CMOS工艺1.2 V电源电压下设计了一款10位电流驱动型数模转换器(Current-steering DAC)。使用最佳拟合线的算法衡量电流源匹配的随机误差对DAC静态非线性的影响,使得DAC的电流源阵列的面积只有0.02 mm2,而DAC的整体面积也只有0.04 mm2。测试结果表明,DAC的积分非线性(INL)和差分非线性(DNL)分别为0.62 LSB和0.68 LSB,GSM标准信号带宽内的无杂散动态范围(SFDR)为72 dB,整体功耗低于1.4 mW。

关键词：无线发射系统低电压低功耗电流驱动型数模转换器

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