检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2009年第4期37卷 673-677页

作者：曹伟洪琪侯慧童家榕来金梅闵昊荆明娥复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

H.264/AVC标准采用了4×4整数变换.本文针对4×4正反变换分别提出了两个新的二维直接信号流图.在此基础上,设计了一个支持多变换的可重构高性能二维结构.该结构无需转置寄存器.采用0.18微米CMOS工艺实现了该电路结构.结果表明,... 详细信息

H.264/AVC标准采用了4×4整数变换.本文针对4×4正反变换分别提出了两个新的二维直接信号流图.在此基础上,设计了一个支持多变换的可重构高性能二维结构.该结构无需转置寄存器.采用0.18微米CMOS工艺实现了该电路结构.结果表明,该结构同现有典型结构相比具有更高的效率.同采用三个独立的单一变换结构实现的ASIC相比,可重构结构以较少的效率下降(14.4%)获得了较大的芯片面积节省(61.1%).在100MHz的时钟频率下工作,该电路即可实时处理分辨率为4096×2048、每秒60帧的高质量视频序列.

关键词：可重构结构整数变换信号流图 H.264

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用于H.264编解码的面向HDTV应用的动态可重构多变换VLSI结构

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电子学报 2011年第5期39卷 1059-1063页

作者：洪琪曹伟童家榕复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种新的支持MPEG-4 AVC/H.264标准4×4整数变换的动态可重构结构.首先,针对4×4正反变换分别推导了两个新的二维直接信号流图.进而设计了一个面向HDTV应用的动态可重构多变换结构.该结构无需转置寄存器且计算单元仅需16... 详细信息

提出了一种新的支持MPEG-4 AVC/H.264标准4×4整数变换的动态可重构结构.首先,针对4×4正反变换分别推导了两个新的二维直接信号流图.进而设计了一个面向HDTV应用的动态可重构多变换结构.该结构无需转置寄存器且计算单元仅需16个加法器(减法器).采用0.18μm CMOS工艺实现了该电路结构.结果表明,最高工作频率可达200MHz,电路规模仅为5140门,最大功耗仅为15.64mW.在100MHz的时钟频率下工作,该电路即可实时处理HDTV 1080P的高质量视频序列.对比现有结构,在HDTV应用中,该结构在面积和功耗方面优势明显.

关键词： H.264 整数变换动态可重构结构信号流图

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双频激励耦合PDE-AE射频系统的准周期稳态响应模拟算法研究

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电子学报 2003年第12期31卷 1856-1860页

作者：武新宇来金梅孙承绶任俊彦章倩苓复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文结合谐波平衡思想 ,提出在空间上离散MOSFET偏微分方程 ,建立与之相应的混合型多变量谐波平衡方程 ,扩展了谐波平衡方程的应用范围 .为了有效地完成这种复杂混合型多变量谐波平衡方程的求解 ,运用谐波平衡方程的同解变换、初始值预... 详细信息

本文结合谐波平衡思想 ,提出在空间上离散MOSFET偏微分方程 ,建立与之相应的混合型多变量谐波平衡方程 ,扩展了谐波平衡方程的应用范围 .为了有效地完成这种复杂混合型多变量谐波平衡方程的求解 ,运用谐波平衡方程的同解变换、初始值预估以及阻尼Newton迭代算法等策略 ,使算法的收敛速度和计算性能都有大幅度提高 .以单平衡混频器为例的模拟结果进一步显示该方法不但能有效地反映出射频电路MOSFET器件的分布特性 ,且算法计算性能对频差变化不灵敏。

关键词：射频集成电路稳态响应双频激励混频器谐波平衡方程 PDE AE

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一种基于伪LRU的新型共享Cache划分机制

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电子学报 2013年第4期41卷 681-684页

作者：倪亚路周晓方复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文提出了一种基于伪LRU方法的新型共享Cache动态划分策略PLRU-SCP.本文提出的划分策略在分析电路中给出了基于二叉树的新型分析方法,在划分电路中使用了一种非遍历的划分算法.并提出了一种新型共享Cache结构.本文提出的新型划分策略... 详细信息

本文提出了一种基于伪LRU方法的新型共享Cache动态划分策略PLRU-SCP.本文提出的划分策略在分析电路中给出了基于二叉树的新型分析方法,在划分电路中使用了一种非遍历的划分算法.并提出了一种新型共享Cache结构.本文提出的新型划分策略比基于LRU方法的不划分共享Cache策略和效用最优的划分策略的性能分别提高了11.05%和8.66%.

关键词：共享Cache 伪LRU替换方法二叉树分析非遍历划分算法

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高性能可编程互连资源设计研究

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电子学报 2011年第5期39卷 1165-1168页

作者：陈星王丽云王元吴方王健陈利光来金梅复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

传统的可编程互联结构在短距离互连上往往采用单管、中距离上有双向线,这使得在CLB中查找表(LUT)数目变大后,互连上的延迟会随线长增加而呈指数增长.本文提出了一种改进的高性能互连结构,改进了短、中和长距离互连,使得其在CLB中LUT数... 详细信息

传统的可编程互联结构在短距离互连上往往采用单管、中距离上有双向线,这使得在CLB中查找表(LUT)数目变大后,互连上的延迟会随线长增加而呈指数增长.本文提出了一种改进的高性能互连结构,改进了短、中和长距离互连,使得其在CLB中LUT数目增加的情况下让芯片拥有更好的互连延迟特性,通过对这种互连结构和传统的互连结构进行建模仿真并对延迟性能比较,结果显示,两倍线的平均延迟降低了21.9%、六倍线的平均延迟均降低了近21.7%,长线平均延迟降低了约4%.这种高性能互连结构应用于我们自主研发设计的FDP2009-2-SOPC芯片中,并对其互连性能进行了测试,验证了我们的思想.

关键词：可编程逻辑器件可编程互连结构延迟

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一种超快速响应的片上线性稳压器

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 612-615,626页

作者：杨柳孙曼洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一种片上超高速低压差(LDO,low dropout)线性稳压器。在仅利用100pF输出电容情况下,采用一种新颖的快速响应回路,使LDO可以响应20ns内负载电流由空载到满载的瞬态变化,大大提高了系统的瞬态响应性能。快速响应回路同时具有补偿作... 详细信息

设计了一种片上超高速低压差(LDO,low dropout)线性稳压器。在仅利用100pF输出电容情况下,采用一种新颖的快速响应回路,使LDO可以响应20ns内负载电流由空载到满载的瞬态变化,大大提高了系统的瞬态响应性能。快速响应回路同时具有补偿作用,保证LDO的稳定性。芯片设计基于SMIC公司的0.35μm CMOS工艺信号模型。测试结果表明,LDO在工作模式下的静态电流约为120μA,在等待模式下的静态电流约为9μA,对上升、下降时间均小于60ns的脉冲信号具有良好的瞬态响应。

关键词：低压差线性稳压器快速响应回路稳定性

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SSN研究及其在VLSI设计流程中的应用

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电子学报 2001年第11期29卷 1471-1474页

作者：徐栋麟郭新伟徐志伟林越任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

本文详述了同步开关噪声 (SSN)影响VLSI电路可靠性的一个主要因素 :芯片封装界面的寄生电感 .根据在芯片中插入电源 /地线引脚 ,减小芯片封装界面的寄生电感的思想 ,提出一种简便有效的基于SSN性能的输出驱动器优化布局方法并将之集... 详细信息

本文详述了同步开关噪声 (SSN)影响VLSI电路可靠性的一个主要因素 :芯片封装界面的寄生电感 .根据在芯片中插入电源 /地线引脚 ,减小芯片封装界面的寄生电感的思想 ,提出一种简便有效的基于SSN性能的输出驱动器优化布局方法并将之集成到VLSI设计流程中 .用 0 6微米CMOS工艺进行了验证 .结果表明 :该优化设计可有效降低SSN对VLSI电路可靠性的影响 .

关键词：同步开关噪声超大规模集成电路电子设计自动化设计流程

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基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器

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物理化学学报 2019年第10期35卷 1058-1077页

作者：李家意丁一张卫周鹏复旦大学微电子学院专用集成电路和系统国家重点实验室

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新... 详细信息

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维材料及其制备方法,阐述了光电探测器件的基本原理和评价参数,以及回顾了二维材料及其异质结构在光电探测器中的应用,最后总结了该领域仍然面临的挑战并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：光电探测二维材料异质结过渡金属二硫化物机械剥离

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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

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物理学报 2018年第9期67卷 22-29页

作者：邵龑丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 详细信息

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.

关键词：铟镓锌氧化物薄膜晶体管氢元素杂质电学可靠性

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超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）

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红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 693-698页

作者：徐大朋程佩红陈琳张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 详细信息

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.

关键词：电场调制阻变存储器原子层沉积

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